可饱和吸收体制备方法、可饱和吸收体及光纤激光器技术

本申请公开一种可饱和吸收体制备方法、可饱和吸收体及光纤激光器。其中，可饱和吸收体制备方法包括：将块体的三硒化二铟放置于有机溶剂中；将含有三硒化二铟的有机溶剂放置于超声机中以获取悬浮液；将所述悬浮液进行离心处理，提取离心处理后的上层液体；将所述上层液体滴在石英片上烘干，获取三硒化二铟二维纳米石英片；以及将所述三硒化二铟二维纳米石英片进行抛光以获取可饱和吸收体。本申请公开的可饱和吸收体制备方法能够采用廉价的方式制备可饱和吸收体，并且，适合进行大规模制备可饱和吸收体。

Fabrication of Saturable Absorber, Saturable Absorber and Fiber Laser

【技术实现步骤摘要】
可饱和吸收体制备方法、可饱和吸收体及光纤激光器
本专利技术涉及激光器的可饱和吸收器件领域，具体而言，涉及一种可饱和吸收体制备方法、可饱和吸收体及光纤激光器。
技术介绍
超短脉冲激光有极其广泛的应用，如超快光开关、光纤通信、光纤传感、工业加工、激光制导、激光医疗等领域，目前产生超短脉冲激光常用方法是被动锁模，可饱和吸收体是用于被动锁模的核心部件。目前，被动锁模光纤激光器由于其结构简单，维护方便等优点在科研，医疗和制造领域有广泛的应用前景，成为研究热点。目前，人们使用半导体可饱和吸收镜(SESAM)作为锁模的核心部件，SESAM由于生长在布拉格反射镜表面的Ⅲ-Ⅴ族半导体单量子肼或多重量子肼构成。然而SESAM光损伤阈值低，应用波段窄(约800-1600nm)，恢复时间较长(约几纳秒)，结构复杂，且制造需要高洁净环境和昂贵的分子数外延，金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)，制造成本高，性能上还存在调制深度难以调控、光损伤阈值低等诸多问题，而且SESAM作为反射装置只能在特定的线性拓扑腔中应用，这样就很大程度上限制了光纤激光器的腔体结构。近年来，随着纳米技术的发展，一系列碳纳米材料如石墨本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可饱和吸收体制备方法，其特征在于，包括：将块体的三硒化二铟放置于有机溶剂中；将含有三硒化二铟的有机溶剂放置于超声机中以获取悬浮液；将所述悬浮液进行离心处理，提取离心处理后的上层液体；将所述上层液体滴在石英片上烘干，获取三硒化二铟二维纳米石英片；以及将所述三硒化二铟二维纳米石英片进行抛光以获取可饱和吸收体。

【技术特征摘要】
1.一种可饱和吸收体制备方法，其特征在于，包括：将块体的三硒化二铟放置于有机溶剂中；将含有三硒化二铟的有机溶剂放置于超声机中以获取悬浮液；将所述悬浮液进行离心处理，提取离心处理后的上层液体；将所述上层液体滴在石英片上烘干，获取三硒化二铟二维纳米石英片；以及将所述三硒化二铟二维纳米石英片进行抛光以获取可饱和吸收体。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机溶剂，包括：N-环己基吡咯烷酮溶剂。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述三硒化二铟在N-环己基吡咯烷酮溶剂的浓度为2mg/ml。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述三硒化二铟二维纳米石英片进行抛光以获取可饱和吸收体，包括：将所述三硒化二铟二维纳米石英片通过端面抛光的方式处理，获取所述可饱和吸收体。5.一种可饱和吸收体，其特征在于，所述可饱和吸收体为如权利要求1-4任一项方法制备的可饱和吸收体。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾远康，龙慧，邓俊贤，曾龙辉，
申请(专利权)人：香港理工大学，
类型：发明
国别省市：中国香港,81