一种芯片以及电子设备制造技术

本申请提供了一种芯片以及电子设备，以释放前道介质层更多的内部空间。芯片包括第一金属层、第二金属层、前道介质层以及填充介质层；第一金属层与第二金属层之间设有填充介质层，第一金属层与第二金属层设于前道介质层上，第一金属层以及第二金属层之间用于设置MIM电容，第一金属层的第一侧面用于与MIM电容的第一金属极层电连接，第二金属层的第二侧面用于与MIM电容的第二金属极层电连接；前道介质层设有第一前道金属层以及第二前道金属层，第一金属层与第一前道金属层电连接，第二金属层与第二前道金属层电连接，第一金属层以及第一前道金属层用于将第一金属极层引入前道介质层，第二金属层以及第二前道金属层用于将第二金属极层引入前道介质层。

A Chip and Electronic Equipment

【技术实现步骤摘要】
一种芯片以及电子设备
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种芯片以及电子设备。
技术介绍
集成电容为半导体工艺中常见的集成器件，在芯片中可应用于电路的补偿、滤波器的设计以及电荷泵的设计等方面，也可作为改善电源或者信号质量的解耦电容等等，具有广泛的应用范围及使用价值。在芯片的应用中，集成电容需要占用芯片封装结构的内部空间，以设置在芯片封装结构内，并与芯片封装结构的内部走线以及内部组件进行连接，实现其功能。然而，在实际应用中发现，在现有的芯片封装结构中，集成电容的设置容易影响其内部组件以及内部走线的布置，且随着芯片的要求越来越高，该项问题愈加的突出，因此，集成电容在芯片封装结构中的应用亟待进一步的优化。
技术实现思路
本申请提供了一种芯片以及电子设备，以释放芯片的前道介质层更多的内部空间。本申请在第一方面，提供了一种芯片，芯片包括第一金属层、第二金属层、前道介质层以及填充介质层；第一金属层与第二金属层之间设有填充介质层，第一金属层与第二金属层设于前道介质层上，第一金属层以及第二金属层之间用于设置金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)电容，第一金属层的第一侧面用于与MIM电容的第一金属极层贴合并形成电连接，第二金属层的第二侧面用于与MIM电容的第二金属极层贴合并形成电连接；前道介质层设有第一前道金属层以及第二前道金属层，第一前道金属层以及第二前道金属层均部分裸露于前道介质层的表面，第一金属层与第一前道金属层裸露于前道介质层的表面处电连接，第二金属层与第二前道金属层裸露于前道介质层的表面处电连接，第一金属层以及第一前道金属层用于将第一金属极层引入前道介质层，第二金属层以及第二前道金属层用于将第二金属极层引入前道介质层，第一前道金属层以及第二前道金属层可与前道介质层中的内部走线或者内部组件进行电连接。容易理解，由于在本申请提供的芯片结构中，将第一金属层、第二金属层以及填充介质层均设置在了前道介质层上，同时可将MIM电容也设置在前道介质层上，MIM电容的第一金属极层以及第二金属极层可分别通过第一金属层以及第二金属层引入前道介质层中，可大大减少集成电容对前道介质层的内部空间的占用，从而释放芯片其前道介质层更多的内部空间，更便于在芯片的前道介质层中内部组件及内部走线的布置。结合本申请第一方面，在本申请第一方面的第一种可能的实现方式中，前道介质层包括第一介质层以及多个设于第一介质层上的第二介质层，第二介质层为表面钝化层，第二介质层可提供机械保护，多个的第二介质层之间设有间隙，第一介质层在间隙处设有第一前道金属层；第一金属层包括第四金属层以及第五金属层，第四金属层与第五金属层贴合并形成电连接，第四金属通过间隙与第一前道金属层电连接，第五金属层包括水平方向上延展形成的延展部，延展部贴合设于第二介质层上，第一侧面为延展部背离第二介质层的一面。可以理解，第四金属层以及第五金属层的细化结构，可便于第一金属层在工艺上的加工，且在进行封装工艺时，还可便于第一金属层的封装，更具有灵活性。结合本申请第一方面或者本申请第一方面的第一种可能的实现方式，在本申请第一方面的第二种可能的实现方式中，MIM电容还可实现并联结构，设有第三金属极层，对应的，芯片还包括第三金属层，第三金属层设于前道介质层上，第三金属层的第三侧面用于与MIM电容的第三金属极层电连接；前道介质层还设有第三前道金属层，第三前道金属层与第三金属层电连接，第三金属层以及第三前道金属层用于将第三金属极层引入前道介质层。可以理解，构成一个双层的MIM电容并联结构，不仅可提高空间利用率，还可带来更大的电容容值密度，增强其电路补偿、滤波器、电荷泵、改善电源或者信号质量的解耦电容等等功能的效果。结合本申请第一方面、本申请第一方面的第一种或者第二种可能的实现方式，在本申请第一方面的第三种可能的实现方式中，第一金属层、第二金属层、第一前道金属层以及第二前道金属层所使用的材料包括铝以及铜中的任意一种。结合本申请第一方面的上述任意种可能的实现方式，在本申请第一方面的第四种可能的实现方式中，第四金属层以及第五金属层所使用的材料包括铝以及铜中的任意一种。结合本申请第一方面的第二种至第四种中任意种可能的实现方式，在本申请第一方面的第五种可能的实现方式中，第三金属层所使用的材料包括铝以及铜中的任意一种。本申请在第二方面，提供了一种芯片，芯片包括第一金属层、第二金属层、前道介质层、填充介质层以及MIM电容；第一金属层与第二金属层之间设有填充介质层，第一金属层与第二金属层设于前道介质层上，第一金属层以及第二金属层之间设有MIM电容，第一金属层的第一侧面与MIM电容的第一金属极层电连接，第二金属层的第二侧面与MIM电容的第二金属极层电连接；前道介质层设有第一前道金属层以及第二前道金属层，第一金属层与第一前道金属层电连接，第二金属层与第二前道金属层电连接，第一金属层以及第一前道金属层将第一金属极层引入前道介质层，第二金属层以及第二前道金属层将第二金属极层引入前道介质层。容易理解，由于在本申请提供的芯片结构中，将第一金属层、第二金属层以及填充介质层均设置在了前道介质层上，同时将MIM电容也设置在前道介质层上，MIM电容的第一金属极层以及第二金属极层可分别通过第一金属层以及第二金属层引入前道介质层中，可大大减少集成电容对前道介质层的内部空间的占用，从而释放芯片其前道介质层更多的内部空间，更便于在芯片的前道介质层中内部组件及内部走线的布置。结合本申请第二方面，在本申请第二方面的第一种可能的实现方式中，前道介质层包括第一介质层以及多个设于第一介质层上的第二介质层，第二介质层为表面钝化层，第二介质层可提供机械保护，多个的第二介质层之间设有间隙，第一介质层在间隙处设有第一前道金属层；第一金属层包括第四金属层以及第五金属层，第四金属层与第五金属层贴合并形成电连接，第四金属通过间隙与第一前道金属层电连接，第五金属层包括水平方向上延展形成的延展部，延展部贴合设于第二介质层上，第一侧面为延展部背离第二介质层的一面。可以理解，第四金属层以及第五金属层的细化结构，可便于第一金属层在工艺上的加工，且在进行封装工艺时，还可便于第一金属层的封装，更具有灵活性。结合本申请第二方面或者本申请第二方面的第一种可能的实现方式，在本申请第一方面的第二种可能的实现方式中，芯片还包括第三金属层，第三金属层设于前道介质层上，第三金属层的第三侧面用于与MIM电容的第三金属极层电连接；前道介质层还设有第三前道金属层，第三前道金属层与第三金属层电连接，第三金属层以及第三前道金属层用于将第三金属极层引入前道介质层。可以理解，构成一个双层的MIM电容并联结构，不仅可提高空间利用率，还可带来更大的电容容值密度，增强其电路补偿、滤波器、电荷泵、改善电源或者信号质量的解耦电容等等功能的效果。结合本申请第二方面或者本申请第二方面的上述任意种可能的实现方式，在本申请第二方面的第三种可能的实现方式中，MIM电容依次包括第一金属极层、绝缘体层以及第二金属极层；第一金属极层以及第二金属极层分别包括多层层叠设置的子金属层，第一金属极层以及第二金属极层中任意相邻的两层子金属层所采用的材料不同，绝缘体层包括多层层叠设置的子绝缘体层，绝缘体层中任意相邻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括第一金属层、第二金属层、前道介质层以及填充介质层；所述第一金属层与所述第二金属层之间设有所述填充介质层，所述第一金属层与所述第二金属层设于所述前道介质层上，所述第一金属层以及所述第二金属层之间用于设置金属‑绝缘体‑金属MIM电容，所述第一金属层的第一侧面用于与所述MIM电容的第一金属极层电连接，所述第二金属层的第二侧面用于与所述MIM电容的第二金属极层电连接；所述前道介质层设有第一前道金属层以及第二前道金属层，所述第一金属层与所述第一前道金属层电连接，所述第二金属层与所述第二前道金属层电连接，所述第一金属层以及所述第一前道金属层用于将所述第一金属极层引入所述前道介质层，所述第二金属层以及所述第二前道金属层用于将所述第二金属极层引入所述前道介质层。

【技术特征摘要】
1.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括第一金属层、第二金属层、前道介质层以及填充介质层；所述第一金属层与所述第二金属层之间设有所述填充介质层，所述第一金属层与所述第二金属层设于所述前道介质层上，所述第一金属层以及所述第二金属层之间用于设置金属-绝缘体-金属MIM电容，所述第一金属层的第一侧面用于与所述MIM电容的第一金属极层电连接，所述第二金属层的第二侧面用于与所述MIM电容的第二金属极层电连接；所述前道介质层设有第一前道金属层以及第二前道金属层，所述第一金属层与所述第一前道金属层电连接，所述第二金属层与所述第二前道金属层电连接，所述第一金属层以及所述第一前道金属层用于将所述第一金属极层引入所述前道介质层，所述第二金属层以及所述第二前道金属层用于将所述第二金属极层引入所述前道介质层。2.根据据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述前道介质层包括第一介质层以及多个设于所述第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层为表面钝化层，多个的所述第二介质层之间设有间隙，所述第一介质层在所述间隙处设有所述第一前道金属层；所述第一金属层包括第四金属层以及第五金属层，所述第四金属层与所述第五金属层电连接，所述第四金属通过所述间隙与所述第一前道金属层电连接，所述第五金属层包括延展部，所述延展部设于所述第二介质层上，所述第一侧面为所述延展部背离所述第二介质层的一面。3.根据权利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括第三金属层，所述第三金属层设于所述前道介质层上，所述第三金属层的第三侧面用于与所述MIM电容的第三金属极层电连接；所述前道介质层还设有第三前道金属层，所述第三前道金属层与所述第三金属层电连接，所述第三金属层以及所述第三前道金属层用于将所述第三金属极层引入所述前道介质层。4.根据权利要求1至3中任一项所述的芯片，其特征在于，所述第一金属层、所述第二金属层、所述第一前道金属层以及所述第二前道金属层所使用的材料包括铝以及铜中的任意一种。5.根据权利要求2至4中任一项所述的芯片，其特征在于，所述第四金属层以及所述第五金属层所使用的材料包括铝以及铜中的任意一种。6.根据权利要求3至5中任一项所述的芯片，其特征在于，所述第三金属层所使用的材料包括铝以及铜中的任意一种。7.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括第一金属层、第二金属层、前道介质层、填充介质层以及金属-绝缘体-金属MIM电容；所述第一金属层与所述第二金属层之间设有所述填充介质层，所述第一金属层与所述第二金属层设于所述前道介质层上，所述第一金属层以及所述第二金属层之间设有所述MIM电容，所述第一金属层的第一侧面与所述MIM电容的第一金属极层电连接，所述第二金属层的第二侧面与所述MIM电容的第二金属极层电连接；所述前道介质层设有第一前道金属层以及第二前道金属层，所述第一金属层与所述第一前道金属层电连接，所述第二金属层与所述第二前道金属层电连接，所述第一金属层以及所述第一前道金属层将所述第一金属极层引入所述前道介质层，所述第二金属层以及所述第二前道金属层将所述第二金属极层引入所述前道介质层。8.根据据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋其梦，崔晓娟，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44