一种用于氮化硅及多晶硅的CMP抛光液制造技术

本发明专利技术提供一种用于氮化硅及多晶硅的CMP抛光液，其包括，二氧化硅研磨颗粒以及至少一种增速剂。所述的增速剂为含一个或多个羧基基团的吡啶化合物、哌啶化合物、吡咯烷化合物或吡咯化合物。本发明专利技术所提供的CMP抛光液同时具有较高的氮化硅和多晶硅去除速率。

CMP Polishing Fluid for Silicon Nitride and Polycrystalline Silicon

【技术实现步骤摘要】
一种用于氮化硅及多晶硅的CMP抛光液
本专利技术涉及化学机械抛光液领域，尤其涉及一种用于氮化硅及多晶硅的CMP抛光液。
技术介绍
在集成电路制成中，氮化硅材料通常被作为阻挡层或者刻蚀终止层来保护下层结构。因此，在半导体装置的生产中，几乎每个阶段都需要进行去除氮化硅层的步骤，例如在形成元素分离结构的步骤中，就需要除去作为阻挡层的氮化硅层。但是，在半导体制备工艺的不同阶段，对氮化硅材料的抛光速率也有不同的要求。对于使用氮化硅材料作为阻挡层的情况，往往需要先抛光阻挡层上的其他材料，而要求停止在阻挡层上，从而大多数的抛光液都是力求降低氮化硅的去除速率，而得到其他材料相对比较高的去除速率，比如在浅沟槽隔离(STI)工艺中，氮化硅作为终止层，使用的CMP抛光液则需要具有高的二氧化硅去除速率及较低的氮化硅。但是，在硅栅板打开(POP)工艺中，则需要高的氮化硅去除速度及低的多晶硅去除速度。如，专利CN102199399A，提出一种可用于抛光氮化硅的抛光液，其中含有水，磨料，烷基芳基聚醚磺酸化合物，该抛光液对于氧化硅/多晶硅选择性≥5:1，对于氮化硅/多晶硅选择性≥5:1；CN102201337A，提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于氮化硅及多晶硅的CMP抛光液，其特征在于，包括，二氧化硅研磨颗粒以及至少一种增速剂。所述的增速剂为含一个或多个羧基基团的吡啶化合物、哌啶化合物、吡咯烷化合物或吡咯化合物及其衍生物。

【技术特征摘要】
1.一种用于氮化硅及多晶硅的CMP抛光液，其特征在于，包括，二氧化硅研磨颗粒以及至少一种增速剂。所述的增速剂为含一个或多个羧基基团的吡啶化合物、哌啶化合物、吡咯烷化合物或吡咯化合物及其衍生物。2.如权利要求1所述的CMP抛光液，其特征在于，所述二氧化硅研磨颗粒的平均粒径为80nm～200nm。3.如权利要求1所述的CMP抛光液，其特征在于，所述二氧化硅研磨颗粒的平均粒径为100nm～160nm。4.如权利要求1所述的CMP抛光液，其特征在于，所述二氧化硅研磨颗粒的质量百分比浓度为2～20％。5.如权利要求所述的CMP抛光液，其特征在于，所述二氧化硅研磨颗粒的质量百分比浓度为5％～15％。6.如权利要求1所述的CMP抛光液，其特征在于，所述增速剂选自2-羧基...

【专利技术属性】
技术研发人员：周文婷，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31