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一种具有良好疏油性的硅胶烤垫制备方法技术

技术编号:21536382 阅读:32 留言:0更新日期:2019-07-06 18:21
本发明专利技术公开了一种具有良好疏油性的硅胶烤垫制备方法,涉及食品硅胶技术领域,包括以下步骤:(1)将乙烯基硅油、含氢硅油、松香树脂接枝改性含氢硅油、抑制剂、催化剂、改性纳米二氧化硅、硅烷偶联剂混合,制成液态硅胶;(2)将上述得到的液态硅胶静置,然后采用超声波对静置后的液态硅胶处理,得到预处理液态硅胶;(3)将上述得到的预处理液态硅胶注射到模具内,然后干燥,等到模具内的液态硅胶形成半凝固状态时,然后放入等离子体反应室内;本发明专利技术通过对硅胶烤垫的原料进行合理配比,能够制得性能优异的硅胶烤垫,看出本发明专利技术制备的硅胶烤垫具有疏油性能。

A preparation method of silica gel baking pad with good oil-thinning property

【技术实现步骤摘要】
一种具有良好疏油性的硅胶烤垫制备方法
本专利技术属于食品硅胶
,具体涉及一种具有良好疏油性的硅胶烤垫制备方法。
技术介绍
在传统的食品蒸煮、烘烤作业中,通常采用普通的纸或者铝箔等作为蒸煮或烘烤食品的垫底,或者不采用任何垫底直接在烤盘上进行蒸煮、烘烤食品,前者在进行蒸煮或烘烤食品的过程在中,由于时间较长,食品与纸会紧密且牢固的粘合在一起,去除麻烦,即使在粘合在食品表面上的纸被剥离的过程中还会附带一些食品表皮,不仅影响食品的美观,而且造成极大的浪费,后者采用烤盘烘烤会在烤盘上严重的留下油渍等残留物,不易清洗。为了解决上述问题,人们应用到了食品级硅胶来制作烤垫来代替传统垫底,但是,现有的硅胶烤垫疏油性一般,长时间工作后,会导致烘烤过程中食品中的油渍渗透到硅胶烤垫内部造成硅胶烤垫性能逐渐降低,寿命缩短。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有的问题,提供了一种具有良好疏油性的硅胶烤垫制备方法。本专利技术是通过以下技术方案实现的:一种具有良好疏油性的硅胶烤垫制备方法,包括以下步骤:(1)将乙烯基硅油、含氢硅油、松香树脂接枝改性含氢硅油、抑制剂、催化剂、改性纳米二氧化硅、硅烷偶联剂混合,加热至185-190℃,以1800r/min转速搅拌反应2小时后,制成液态硅胶;(2)将上述得到的液态硅胶静置12-14min,然后采用500W、40kHz的超声波对静置后的液态硅胶处理5-8min,再继续静置10-12min,得到预处理液态硅胶;(3)将上述得到的预处理液态硅胶注射到模具内,然后置于85℃的下干燥2.5小时,等到模具内的液态硅胶形成半凝固状态时,然后放入等离子体反应室内,反应室真空度抽至1.2×10-3Pa,通入四氟甲烷气体,开启射频电源起辉,调节溅射气压为12-14Pa,射频溅射功率为250W,四氟甲烷处理时间为320-350s,然后再继续冷却至完全凝固,再在60℃下复温处理30min,自然冷却至室温,即可。进一步的,所述乙烯基硅油、含氢硅油、松香树脂接枝改性含氢硅油、抑制剂、催化剂、纳米二氧化硅、硅烷偶联剂重量份比为:乙烯基硅油98-100、含氢硅油5-6、松香树脂接枝改性含氢硅油1-1.5、抑制剂0.030-0.033、催化剂0.15-0.17、纳米二氧化硅10-12、硅烷偶联剂1.5-1.9。进一步的,所述的含氢硅油活泼氢含量为0.35%。进一步的,催化剂为铂金催化剂。进一步的,所述的抑制剂为胺类抑制剂。进一步的,所述改性纳米二氧化硅制备方法为:将纳米二氧化硅均匀分散到质量分数为10%的氢氧化钠溶液中,在80℃下加热搅拌30min,搅拌速率为500r/min,然后向氢氧化钠溶液中添加其质量45%的乙醇和1.5%的伯胺/乙氧基偶联剂,继续搅拌2小时,然后进行过滤,清洗,烘干至恒重,得到改性纳米二氧化硅。进一步的,所述改性纳米二氧化硅zeta电位为-3.5mV。进一步的,所述松香树脂接枝改性含氢硅油制备为:将含氢硅油和松香树脂按35:2.2的重量比混合加入到反应釜中,在氮气保护下边搅拌边加热到100℃时,再添加松香树脂质量1.2的氯铂酸催化剂进行反应30min,然后再在122℃下保温1.8小时,自然冷却至室温,即得。有益效果:本专利技术通过对硅胶烤垫的原料进行合理配比,能够制得性能优异的硅胶烤垫,看出本专利技术制备的硅胶烤垫具有疏油性能,采用未处理的二氧化硅制备的硅胶烤垫在浸泡花生油后,增加的质量明显增加,可见,本专利技术中的改性二氧化硅的存在,能够一定程度的提高硅胶烤垫的疏油性能,在液态硅胶完全凝固后进行相同工艺的等离子体处理得到的硅胶烤垫在浸泡花生油后,质量大幅度增加,由此可见,在液态硅胶完全凝固后进行相同工艺的等离子体处理得到的硅胶烤垫疏油性能明显不如本申请中的处理得到的硅胶烤垫,本专利技术通过添加少量的松香树脂接枝改性含氢硅油,能够一定程度上提高硅胶分子之间的结合力,增强硅胶烤垫的耐磨性能,同时,还能够明显的避免硅胶烤垫加工制成成品时内部出现过多的气泡,影响硅胶烤垫的质量。具体实施方式实施例1一种具有良好疏油性的硅胶烤垫制备方法,包括以下步骤:(1)将乙烯基硅油、含氢硅油、松香树脂接枝改性含氢硅油、抑制剂、催化剂、改性纳米二氧化硅、硅烷偶联剂混合,加热至185℃,以1800r/min转速搅拌反应2小时后,制成液态硅胶;(2)将上述得到的液态硅胶静置12min,然后采用500W、40kHz的超声波对静置后的液态硅胶处理5min,再继续静置10min,得到预处理液态硅胶;(3)将上述得到的预处理液态硅胶注射到模具内,然后置于85℃的下干燥2.5小时,等到模具内的液态硅胶形成半凝固状态时,然后放入等离子体反应室内,反应室真空度抽至1.2×10-3Pa,通入四氟甲烷气体,开启射频电源起辉,调节溅射气压为12Pa,射频溅射功率为250W,四氟甲烷处理时间为320s,然后再继续冷却至完全凝固,再在60℃下复温处理30min,自然冷却至室温,即可。进一步的,所述乙烯基硅油、含氢硅油、松香树脂接枝改性含氢硅油、抑制剂、催化剂、纳米二氧化硅、硅烷偶联剂重量份比为:乙烯基硅油98、含氢硅油5、松香树脂接枝改性含氢硅油1、抑制剂0.030、催化剂0.15、纳米二氧化硅10、硅烷偶联剂1.5。进一步的,所述的含氢硅油活泼氢含量为0.35%。进一步的,催化剂为铂金催化剂。进一步的,所述的抑制剂为胺类抑制剂。进一步的,所述改性纳米二氧化硅制备方法为:将纳米二氧化硅均匀分散到质量分数为10%的氢氧化钠溶液中,在80℃下加热搅拌30min,搅拌速率为500r/min,然后向氢氧化钠溶液中添加其质量45%的乙醇和1.5%的伯胺/乙氧基偶联剂,继续搅拌2小时,然后进行过滤,清洗,烘干至恒重,得到改性纳米二氧化硅。进一步的,所述改性纳米二氧化硅zeta电位为-3.5mV。进一步的,所述松香树脂接枝改性含氢硅油制备为:将含氢硅油和松香树脂按35:2.2的重量比混合加入到反应釜中,在氮气保护下边搅拌边加热到100℃时,再添加松香树脂质量1.2的氯铂酸催化剂进行反应30min,然后再在122℃下保温1.8小时,自然冷却至室温,即得。实施例2一种具有良好疏油性的硅胶烤垫制备方法,包括以下步骤:(1)将乙烯基硅油、含氢硅油、松香树脂接枝改性含氢硅油、抑制剂、催化剂、改性纳米二氧化硅、硅烷偶联剂混合,加热至190℃,以1800r/min转速搅拌反应2小时后,制成液态硅胶;(2)将上述得到的液态硅胶静置14min,然后采用500W、40kHz的超声波对静置后的液态硅胶处理8min,再继续静置12min,得到预处理液态硅胶;(3)将上述得到的预处理液态硅胶注射到模具内,然后置于85℃的下干燥2.5小时,等到模具内的液态硅胶形成半凝固状态时,然后放入等离子体反应室内,反应室真空度抽至1.2×10-3Pa,通入四氟甲烷气体,开启射频电源起辉,调节溅射气压为12-14Pa,射频溅射功率为250W,四氟甲烷处理时间为350s,然后再继续冷却至完全凝固,再在60℃下复温处理30min,自然冷却至室温,即可。进一步的,所述乙烯基硅油、含氢硅油、松香树脂接枝改性含氢硅油、抑制剂、催化剂、纳米二氧化硅、硅烷偶联剂重量份比为:乙烯基硅油100、含氢硅油6、松香树脂接枝改性含氢硅油1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有良好疏油性的硅胶烤垫制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将乙烯基硅油、含氢硅油、松香树脂接枝改性含氢硅油、抑制剂、催化剂、改性纳米二氧化硅、硅烷偶联剂混合,加热至185‑190℃,以1800r/min转速搅拌反应2小时后,制成液态硅胶;(2)将上述得到的液态硅胶静置12‑14min,然后采用500W、40kHz的超声波对静置后的液态硅胶处理5‑8min,再继续静置10‑12min,得到预处理液态硅胶;(3)将上述得到的预处理液态硅胶注射到模具内,然后置于85℃的下干燥2.5小时,等到模具内的液态硅胶形成半凝固状态时,然后放入等离子体反应室内,反应室真空度抽至1.2×10

【技术特征摘要】
1.一种具有良好疏油性的硅胶烤垫制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将乙烯基硅油、含氢硅油、松香树脂接枝改性含氢硅油、抑制剂、催化剂、改性纳米二氧化硅、硅烷偶联剂混合,加热至185-190℃,以1800r/min转速搅拌反应2小时后,制成液态硅胶;(2)将上述得到的液态硅胶静置12-14min,然后采用500W、40kHz的超声波对静置后的液态硅胶处理5-8min,再继续静置10-12min,得到预处理液态硅胶;(3)将上述得到的预处理液态硅胶注射到模具内,然后置于85℃的下干燥2.5小时,等到模具内的液态硅胶形成半凝固状态时,然后放入等离子体反应室内,反应室真空度抽至1.2×10-3Pa,通入四氟甲烷气体,开启射频电源起辉,调节溅射气压为12-14Pa,射频溅射功率为250W,四氟甲烷处理时间为320-350s,然后再继续冷却至完全凝固,再在60℃下复温处理30min,自然冷却至室温,即可。2.如权利要求1所述的一种具有良好疏油性的硅胶烤垫制备方法,其特征在于,所述乙烯基硅油、含氢硅油、松香树脂接枝改性含氢硅油、抑制剂、催化剂、纳米二氧化硅、硅烷偶联剂重量份比为:乙烯基硅油98-100、含氢硅油5-6、松香树脂接枝改性含氢硅油1-1.5、抑制剂0.030-0.033、催化剂0.15-0.17、纳米二氧化硅10-...

【专利技术属性】
技术研发人员:史雪芳
申请(专利权)人:史雪芳
类型:发明
国别省市:安徽,34

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