【技术实现步骤摘要】
一种大规格低衰减的光纤预制棒及其制备方法
本申请属于光纤预制棒制造
，尤其是涉及一种大规格低衰减的光纤预制棒及其制备方法。
技术介绍
光纤预制棒是光纤的上游产品，决定着光纤的性能与种类，同时，光纤预制棒也是光纤光缆整条产品链利润最大的部分，长期以来光纤预制棒制造技术被国外公司所垄断，导致我国光纤预制棒严重依赖进口，阻碍了我国光通信网络的发展。光纤衰减是光纤传输的重要指标，对光纤通信的传输距离有决定性的影响，光纤衰减的高低直接影响传输距离或中继站间隔距离的远近，因此，降低光纤衰减对光纤通信有着重大的现实意义。同时，大尺寸光纤预制棒拉丝可达上千公里，大大提高了生产效率，成为目前能降低光纤成本的有效方法。目前，各大光纤制造商纷纷进行研究大规格低衰减光纤预制棒的制造技术，以期在激烈的市场竞争中获得更大的主动权。通常，制造光纤预制棒的技术为先制造预制棒芯棒，然后在芯棒外制造包层，芯棒制造技术主要有以下四种：改进的化学汽相沉积法(MCVD)、微波等离子体化学汽相沉积(PCVD)、外部气相沉积法(OVD)和轴向气相沉积法(VAD)，外包层制造技术主要包括OVD法，套管法，...
【技术保护点】
1.一种大规格低衰减光纤预制棒的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：利用MCVD工艺在作为下陷层的石英管内壁依次沉积内包层、外芯层和内芯层，获得沉积管，并将沉积管在高温下熔缩成具有内芯层、外芯层、内包层和下陷层的预制棒芯棒；利用VAD工艺在预制棒芯棒上沉积第一外包层疏松体，并经过第一次烧结处理，制备出初级光纤预制棒；利用OVD工艺在初级光纤预制棒上沉积第二外包层疏松体，并经过第二次烧结处理，制备出光纤预制棒；所述内芯层、外芯层、内包层、下陷层、第一外包层以二氧化硅作为基底材料并加入掺杂剂，第二外包层为纯二氧化硅，内芯层、外芯层、内包层、下陷层、第一外包层的相对折射率依次为Δ...
【技术特征摘要】
1.一种大规格低衰减光纤预制棒的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：利用MCVD工艺在作为下陷层的石英管内壁依次沉积内包层、外芯层和内芯层，获得沉积管，并将沉积管在高温下熔缩成具有内芯层、外芯层、内包层和下陷层的预制棒芯棒；利用VAD工艺在预制棒芯棒上沉积第一外包层疏松体，并经过第一次烧结处理，制备出初级光纤预制棒；利用OVD工艺在初级光纤预制棒上沉积第二外包层疏松体，并经过第二次烧结处理，制备出光纤预制棒；所述内芯层、外芯层、内包层、下陷层、第一外包层以二氧化硅作为基底材料并加入掺杂剂，第二外包层为纯二氧化硅，内芯层、外芯层、内包层、下陷层、第一外包层的相对折射率依次为Δn1、Δn2、Δn3、Δn4、Δn5，相对折射率大小为：Δn1>Δn2>0>Δn3>Δn5>Δn4。2.根据权利要求1所述的大规格低衰减光纤预制棒的制备方法，其特征在于，所述第一次烧结处理或第二次烧结处理方法为：使待烧结的初级光纤预制棒或光纤预制棒在烧结炉内自转，通过烧结炉外加热线圈的上下移动对烧结炉内部气体加热，完成烧结，加热线圈的移动速度优选为5-10mm/min，自转速度优选为3-6rpm。3.根据权利要求1或2所述的大规格低衰减光纤预制棒的制备方法，其特征在于，所述第一次烧结处理包括脱羟处理、掺氟处理和玻璃化处理三个步骤，首先向烧结炉内通入惰性气体和氯气，使烧结炉内温度以25～35mm/min的升温速率达到900～1100℃，保温1-2h，完成脱羟处理；其次向烧结炉内通入含氟气体和惰性气体，使烧结炉内温度以15～25mm/min的升温速率达到1100～1300℃，保温2-3h，完成掺氟处理；最后向烧结炉内只通入惰性气体，使烧结炉内温度以8～15mm/min的升温速率达到1400～1600℃，保温3-4h，完成玻璃化处理。4.根据权利要求1-3任一项所述的大规格...
【专利技术属性】
技术研发人员：莫思铭，李凡，眭立洪，张国栋，周莉，李想，
申请(专利权)人：江苏永鼎股份有限公司，江苏永鼎光纤科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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