半导体模块制造技术

本发明专利技术具备：至少1组第1及第2开关器件，它们串联地插入至第1电位与比第1电位低的第2电位之间，互补地进行动作；第1及第2驱动电路，它们进行第1及第2开关器件的驱动控制，在半导体模块中，第1及第2驱动电路、至少1组第1及第2开关器件被封装于俯视形状为矩形的封装件，该半导体模块具备：控制端子，其设置为从封装件的第1及第2长边中的第1长边的侧面凸出，被输入第1及第2驱动电路的控制信号；输出端子，其设置为从第2长边的侧面凸出；第1主端子，其设置为从封装件的第1及第2短边中的第1短边的侧面凸出，被赋予第1电位；以及第2主端子(2)，其设置为从第2短边的侧面凸出，被赋予第2电位。

Semiconductor module

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体模块
本专利技术涉及半导体模块，特别涉及表面安装型的半导体模块。
技术介绍
就将电子部件接合于印刷基板的基板安装而言，举出将电子部件的引线插入至在印刷基板之上设置的通孔而接合的插入安装、将电子部件的电极与在印刷基板的表面设置的焊盘接合的表面安装等，在表面安装中通过使用表面安装型的半导体模块，从而存在能够简化安装工序等优点。在专利文献1中，作为功率模块公开了表面安装型的半导体模块，表面安装型的半导体模块已得到实用化。专利文献1：日本特开2015-002185号公报
技术实现思路
在专利文献1所公开的半导体模块中具有如下问题，即，称为P相端子、N相端子的主端子排列配置在模块的封装件的相同边，难以确保两端子间的沿面距离。本专利技术就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供确保了P相端子和N相端子之间的沿面距离的半导体模块。本专利技术涉及的半导体模块具备：至少1组第1及第2开关器件，它们串联地插入至第1电位与比所述第1电位低的第2电位之间，互补地进行动作；第1驱动电路，其进行所述第1开关器件的驱动控制；以及第2驱动电路，其进行所述第2开关器件的驱动控制，所述至少1组第1及第2开关器件、所述第1及第2驱动电路被封装于俯视形状为矩形的封装件，该半导体模块具备：控制端子，其设置为从所述封装件的第1及第2长边中的所述第1长边的侧面凸出，被输入所述第1及第2驱动电路的控制信号；输出端子，其设置为从所述第2长边的侧面凸出，被赋予所述第1及第2开关器件的输出；第1主端子，其设置为从所述封装件的第1及第2短边中的所述第1短边的侧面凸出，被赋予所述第1电位；以及第2主端子，其设置为从所述第2短边的侧面凸出，被赋予所述第2电位。专利技术的效果根据本专利技术涉及的半导体模块，能够得到确保了第1主端子与第2主端子之间的沿面距离的半导体模块。附图说明图1是表示本专利技术涉及的实施方式1的半导体模块的结构的图。图2是表示本专利技术涉及的实施方式1的上表面侧的外观的图。图3是表示本专利技术涉及的实施方式1的电路结构的图。图4是表示本专利技术涉及的实施方式2的半导体模块的结构的图。图5是表示本专利技术涉及的实施方式2的上表面侧的外观的图。图6是表示本专利技术涉及的实施方式3的半导体模块的结构的图。图7是表示本专利技术涉及的实施方式3的下表面侧的外观的图。图8是表示本专利技术涉及的实施方式3的半导体模块的结构的剖视图。图9是表示本专利技术涉及的实施方式3的半导体模块的安装的一个例子的剖视图。图10是表示本专利技术涉及的实施方式4的半导体模块的结构的图。图11是表示本专利技术涉及的实施方式4的下表面侧的外观的图。图12是表示本专利技术涉及的实施方式4的半导体模块的结构的剖视图。图13是表示本专利技术涉及的实施方式5的半导体模块的结构的图。图14是表示本专利技术涉及的实施方式5的下表面侧的外观的图。图15是表示本专利技术涉及的实施方式5的半导体模块的结构的剖视图。图16是表示本专利技术涉及的实施方式6的半导体模块的结构的图。图17是表示本专利技术涉及的实施方式6的下表面侧的外观的图。图18是表示本专利技术涉及的实施方式6的半导体模块的结构的剖视图。具体实施方式<实施方式1>图1是表示本专利技术涉及的实施方式1的半导体模块100的结构的图，为了示出封装件PKG内的构造，省略地示出封装件PKG。另外，图2示出由封装件PKG封装后的状态下的半导体模块100的上表面侧的外观。如图1及图2所示，半导体模块100为表面安装型的模块，在俯视形状为矩形的封装件PKG的2个长边中的一个长边(第1长边)具备高电位侧基准电压端子6、高电位侧驱动电压端子7、控制端子8、控制电源端子9及接地端子10，在另一个长边(第2长边)具备U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5。另外，在封装件PKG的2个短边中的一个短边(第1短边)具备作为功率端子的P相端子1(第1主端子)，在另一个短边(第2短边)具备作为功率端子的N相端子2(第2主端子)。此外，P相端子1及N相端子2各自配置于短边的中央部。此外，将与封装件PKG的长边平行的方向称为Y方向，将与短边平行的方向称为X方向。通过设为这样的端子配置，从而P相端子1及N相端子2各自与其它端子分离地存在，因此能够可靠地确保与其它端子的沿面距离，能够抑制电短路的产生。图3是表示半导体模块100的电路结构的图。如图3所示，半导体模块100为3相输出的逆变器用模块，但为了简化而仅示出3相(U相、V相、W相)中的U相的电路结构。半导体模块100具备：逆变器电路，其在成为高电位(第1电位)侧的P相端子1和成为低电位(第2电位)侧的N相端子2之间串联连接有高电位侧开关器件Q1(第1开关器件)和低电位侧开关器件Q11(第2开关器件)，高电位侧开关器件Q1和低电位侧开关器件Q11这两者的连接节点成为U相输出端子3；高电位侧驱动电路11(第1驱动电路)，其对高电位侧开关器件Q1进行驱动；以及低电位侧驱动电路12(第2驱动电路)，其对低电位侧开关器件Q11进行驱动。此外，在本实施方式中示出下述例子，即，作为高电位侧开关器件Q1及低电位侧开关器件Q11使用了IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，但并不限于此，也可以使用MOS(MetalOxideSemiconductor)晶体管、RC(ReverseConducting)-IGBT。另外，半导体模块100具备自举电路(BS电路)。BS电路由在高电位侧驱动电路11的高电位侧驱动电压端子VB和控制电源电压端子VCC之间串联连接的自举二极管BSD及限流电阻R、外接的自举电容器BSC构成。另外，半导体模块100成为向其外接控制电源PW1的结构，该控制电源PW1将控制电源电压VCC输入至高电位侧驱动电路11及低电位侧驱动电路12的控制电源电压端子VCC。此外，BS电路为根据高电位侧基准电压VS形成高电位侧驱动电压VB的电路，对高电位侧基准电压端子VS赋予高电位侧驱动电压VB。高电位侧驱动电路11成为如下结构，即，从外部将高电位侧输入信号HIN输入至信号输入端子HI，从高电位侧输出端子HO输出对高电位侧开关器件Q1的驱动进行控制的控制信号，赋予至高电位侧开关器件Q1的栅极。另外，低电位侧驱动电路12成为如下结构，即，从外部将低电位侧输入信号LIN输入至信号输入端LI，从低电位侧输出端子LO输出对高电位侧开关器件Q11的驱动进行控制的控制信号，赋予至低电位侧开关器件Q11的栅极。这里返回到图1的说明，对半导体模块100的内部的结构进行说明。此外，在下面的记载中“A和B电连接”这样的表述是指在结构A和结构B之间双向流过电流。如图1所示，俯视形状为矩形的芯片焊盘PD3配置于半导体模块100的中央部，在芯片焊盘PD3之上，高电位侧开关器件Q1、Q2及Q3是以在Y方向上排列成1列的方式搭载的。而且，从芯片焊盘PD3的一个短边延伸出P相端子1，从封装件PKG的1个短边的侧面凸出。此外，在与芯片焊盘PD3接触的高电位侧开关器件Q1、Q2及Q3的下表面设置有集电极，在上表面设置有发射极和栅极。另外，在芯片焊盘PD3的与P相端子1延伸侧相反的短边侧配置有芯片焊盘PD11、PD12及PD13，在芯片焊盘PD11、PD12及PD13之上各自搭载有低电位侧开关器件Q11本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体模块，其具备：至少1组第1及第2开关器件，它们串联地插入至第1电位与比所述第1电位低的第2电位之间，互补地进行动作；第1驱动电路，其进行所述第1开关器件的驱动控制；以及第2驱动电路，其进行所述第2开关器件的驱动控制，所述至少1组第1及第2开关器件、所述第1及第2驱动电路被封装于俯视形状为矩形的封装件，该半导体模块具备：控制端子，其设置为从所述封装件的第1及第2长边中的所述第1长边的侧面凸出，被输入所述第1及第2驱动电路的控制信号；输出端子，其设置为从所述第2长边的侧面凸出，被赋予所述第1及第2开关器件的输出；第1主端子，其设置为从所述封装件的第1及第2短边中的所述第1短边的侧面凸出，被赋予所述第1电位；以及第2主端子，其设置为从所述第2短边的侧面凸出，被赋予所述第2电位。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体模块，其具备：至少1组第1及第2开关器件，它们串联地插入至第1电位与比所述第1电位低的第2电位之间，互补地进行动作；第1驱动电路，其进行所述第1开关器件的驱动控制；以及第2驱动电路，其进行所述第2开关器件的驱动控制，所述至少1组第1及第2开关器件、所述第1及第2驱动电路被封装于俯视形状为矩形的封装件，该半导体模块具备：控制端子，其设置为从所述封装件的第1及第2长边中的所述第1长边的侧面凸出，被输入所述第1及第2驱动电路的控制信号；输出端子，其设置为从所述第2长边的侧面凸出，被赋予所述第1及第2开关器件的输出；第1主端子，其设置为从所述封装件的第1及第2短边中的所述第1短边的侧面凸出，被赋予所述第1电位；以及第2主端子，其设置为从所述第2短边的侧面凸出，被赋予所述第2电位。2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述第1主端子设置于所述第1短边的中央部，所述第2主端子设置于所述第2短边的中央部。3.一种半导体模块，其具备：至少1组第1及第2开关器件，它们串联地插入至第1电位与比所述第1电位低的第2电位之间，互补地进行动作；第1驱动电路，其进行所述第1开关器件的驱动控制；以及第2驱动电路，其进行所述第2开关器件的驱动控制，所述至少1组第1及第2开关器件、所述第1及第2驱动电路被封装于俯视形状为矩形的封装件，该半导体模块具备：控制端子，其设置为从所述封装件的第1及第2长边中的所述第1长边的侧面凸出，被输入所述第1及第2驱动电路的控制信号；输出端子，其设置为从所述第2长边的侧面凸出，被赋予所述第1及第2开关器件的输出；第1主端子，其表面的一部分从在向电路基板安装时成为面向所述电路基板侧的所述封装件的背面设置的第1开口部露出，露出的部分被赋予所述第1电位；以及第2主端子，其表面的一部分从在所述背面设置的第2开口部露出...

【专利技术属性】
技术研发人员：横山脩平，柴田祥吾，长谷川真纪，野口宏一朗，森茂，岩上彻，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP