【技术实现步骤摘要】
一种长链共轭π键交联超强韧高导电石墨烯复合薄膜的制备方法
本专利技术涉及一种长链共轭π键交联超强韧高导电石墨烯复合薄膜的制备方法,属于纳米复合材料制备领域。
技术介绍
由于石墨烯在航空航天和柔性电子器件领域具有广泛的应用(Adv.Mater.2016,28,7862.),因此,在室温下将矿产丰富的石墨转变为高性能的石墨烯薄膜具有重要意义。该转变过程通常包含石墨的剥离,再组装以及后续的还原过程。研究表明低温(~0℃)下氧化可以将石墨高效地剥离成高质量的GO纳米片(Adv.Mater.2013,25,3583.);此外,室温下的HI化学还原是一种能高效还原GO成rGO的方法(Carbon2010,48,4466.),其不仅比其他化学还原方法对石墨烯薄膜的微观结构破坏更小,而且比高温煅烧过程更廉价。目前,尽管有很多先进的技术可以实现石墨烯薄膜的宏量制备,例如结合卷对卷连续收集技术的电喷射沉积(Adv.Mater.2014,26,4521.)、湿纺(Chem.Mater.2014,26,6786.)、凝胶成膜(Adv.Mater.2015,27,6708.)以及连续离心铸 ...
【技术保护点】
1.一种长链共轭π键交联超强韧高导电石墨烯复合薄膜的制备方法,其特征在于,实现步骤如下:(1)将芘甲醇和10,12‑二十二碳二炔二酸(DDA)搅拌混合均匀,再向其中加入1‑乙基‑3‑(3‑二甲氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐(EDCI)、4‑二甲基氨基吡啶(DMAP)和二氯甲烷(DCM),搅拌反应一段时间,得到10,12‑二十二碳二炔二酸二芘甲酯(BPDD);(2)利用搅拌方法将步骤(1)制得的BPDD均匀溶解于DCM中,得到BPDD分散液;(3)利用搅拌超声方法将氧化石墨烯(GO)配成均匀的GO水溶液;(4)采用真空抽滤法将步骤(3)得到的所述GO水溶液组装成自支撑的GO薄膜;( ...
【技术特征摘要】
1.一种长链共轭π键交联超强韧高导电石墨烯复合薄膜的制备方法,其特征在于,实现步骤如下:(1)将芘甲醇和10,12-二十二碳二炔二酸(DDA)搅拌混合均匀,再向其中加入1-乙基-3-(3-二甲氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐(EDCI)、4-二甲基氨基吡啶(DMAP)和二氯甲烷(DCM),搅拌反应一段时间,得到10,12-二十二碳二炔二酸二芘甲酯(BPDD);(2)利用搅拌方法将步骤(1)制得的BPDD均匀溶解于DCM中,得到BPDD分散液;(3)利用搅拌超声方法将氧化石墨烯(GO)配成均匀的GO水溶液;(4)采用真空抽滤法将步骤(3)得到的所述GO水溶液组装成自支撑的GO薄膜;(5)将步骤(4)得到的GO薄膜浸泡于氢碘酸(HI)中,洗涤干燥后得到还原氧化石墨烯(rGO)薄膜;(6)在避光条件下,将步骤(5)得到的rGO薄膜浸泡于步骤(2)得到的BPDD分散液中,使BPDD通过共轭π键吸附在rGO纳米片表面,洗涤干燥后得到复合薄膜;(7)在惰性气体保护下,对步骤(6)得到的所述复合薄膜进行紫外光照射,制得长链共轭π键交联的石墨烯(πBG)复合薄膜。2.根据权利要求1所述的一种长链共轭π键交联超强韧高导电石墨烯复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中芘甲醇和DDA的质量比为1.28~1.4,EDCI和DDA的质量比为1.5~1.8,DMAP和DDA的质量比为0.3~0.5,DCM和DDA的质量比为300~350;搅拌反应时间为24~36h,反应时避光。3.根据权利要求1所述的一种长链共轭π键交联超强韧高导电石墨烯复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中,BPDD分散液的浓度为0.5~2mg/mL;搅拌时间为20~40min,避光搅拌。4.根据权利要求1所述的一种长链共轭π键交联超强韧高导电石墨烯复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中,GO水溶液...
【专利技术属性】
技术研发人员:程群峰,万思杰,江雷,
申请(专利权)人:北京航空航天大学,
类型:发明
国别省市:北京,11
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