【技术实现步骤摘要】
集成电路
各种实施例及其实现涉及集成电路，更具体地，涉及检测从集成电路的衬底背面对集成电路的衬底的潜在减薄以及检测通过故障注入进行的差分故障分析(DFA)攻击。
技术介绍
在欺诈者为了从集成电路的存储器(例如智能卡的受保护的存储器)中提取机密数据而进行的可能攻击中，可以提及使用故障注入进行的已知差分故障分析(DFA)攻击。这些攻击的目的是干扰存储器的操作和/或内容，或者其它的，以例如借助于通过芯片背面传输的一种辐射(激光、红外线、X射线等)来修改电路的逻辑操作。因此，这种可能的攻击例如可以通过使用聚焦离子束(FIB)的聚焦离子束，或者例如借助于激光束来执行。因此，寻求保护电子电路免受背面激光攻击是特别有益的。当攻击者从集成电路的衬底的背面开始对集成电路的衬底进行减薄以便尽可能接近集成电路的在其正面上形成的部件时，这样的攻击的有效性增加。存在用于检测对衬底的减薄的装置，其允许集成电路被保护以免受该类型的攻击。存在能够以简单的方式检测经由背面对衬底的减薄和DFA攻击两者的需要。
技术实现思路
本公开的目的是提供一种集成电路，以至少部分地解决现有技术中存在的上述问题。根据一个实...
【技术保护点】
1.一种集成电路，其特征在于，包括：半导体衬底，其具有背面；第一半导体阱，位于所述半导体衬底中，所述第一半导体阱包括电路部件；第二半导体阱，位于所述半导体衬底中，所述第二半导体阱与所述第一半导体阱以及所述衬底的其余部分绝缘；其中，所述第二半导体阱包括检测设备，所述检测设备可配置成在第一配置中操作以检测经由所述背面对所述半导体衬底的减薄，并且在第二配置中操作以检测通过向所述集成电路中的故障注入而进行的差分故障分析(DFA)攻击。
【技术特征摘要】
2017.10.11 FR 17595191.一种集成电路，其特征在于，包括：半导体衬底，其具有背面；第一半导体阱，位于所述半导体衬底中，所述第一半导体阱包括电路部件；第二半导体阱，位于所述半导体衬底中，所述第二半导体阱与所述第一半导体阱以及所述衬底的其余部分绝缘；其中，所述第二半导体阱包括检测设备，所述检测设备可配置成在第一配置中操作以检测经由所述背面对所述半导体衬底的减薄，并且在第二配置中操作以检测通过向所述集成电路中的故障注入而进行的差分故障分析(DFA)攻击。2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述检测设备的所述第一配置通过检测不存在响应于所施加的偏置而在所述第二半导体阱中流动的电流，来检测经由所述背面对所述半导体衬底的减薄；以及所述检测设备的所述第二配置通过在不存在所施加的偏置的情况下检测在所述第二半导体阱中流动的电流，来检测所述差分故障分析攻击，其中没有检测到对所述半导体衬底的所述减薄。3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述半导体衬底具有与所述背面相对的正面，并且所述检测设备包括：第一隔离沟槽，其在所述第二半导体阱的外围的两个位置之间延伸到所述第二半导体阱中，所述第一隔离沟槽具有距所述正面的深度，所述第一隔离沟槽与所述第二半导体阱的底部相隔一定距离；以及检测电路，其在所述第一配置中操作，以测量表示分别位于所述第一隔离沟槽的相对侧上的两个接触区域之间的所述第二半导体阱的电阻的物理量，并且在所述第二配置中操作，以检测在所述两个接触区域之间流动的电流的存在。4.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述检测电路包括：偏置电路，其被配置为在所述两个接触区域之间施加电位差；以及比较电路，其被配置为测量在所述两个接触区域之间流动的所述电流。5.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述检测电路包括控制电路，所述控制电路被配置为通过启用所述偏置电路来将所述检测设备初始地置于所述第一配置中，并且随后在检测到所述半导体衬底的未减薄之后从所述第一配置切换到所述第二配置。6.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，所述切换包括：禁用所述偏置电路，并且使用所述比较电路来测量所述第一配置和所述第二配置中的电流。7.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述半导体衬底具有第一导电类型，所述第一半导体阱具有第二导电类型，并且所述第二半导体阱具有所述第一导电类型。8.根据权利要求7所述的集成电路，其特征在于，所述第二半导体阱与所述第一半导体阱通过第一隔离区以及通过所述第一半导体阱和所述第二半导体阱之间的PN结隔离，所述第一隔离区包...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·萨拉菲亚诺斯，A·马扎基，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：新型
国别省市：法国,FR
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