【技术实现步骤摘要】
高电压启动电路及开关模式电源本申请要求于2017年12月21日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0177588号韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的全部公开出于所有的目的通过引用包含于此。
下面的描述涉及一种用于将待机功耗归零的高电压启动电路。下面的描述还涉及具有这样的高电压启动电路的开关模式电源。
技术介绍
开关模式电源(SMPS)表示具有有效地转换功率的开关调节器(switchingregulator)的电子电源。SMPS的正常操作通常需要启动电路。启动电路在所有的集成电路(IC)处于初始状态时提供电流路径和电压路径，使得IC能够适当地操作。启动电路在启动时包括电流路径以形成SMPS的启动所需的电流路径，其中，该电流路径即使在启动之后也始终处于接通状态。因此，由于启动之后电流路径的存在而导致待机功耗很大。可选的技术使用在启动之后将电流路径移动到其他位置的方法，以降低启动电路的待机功耗。然而，由于可选的技术在高电压(诸如，500V-600V)下驱动，因此即使电流的量被减小，但是待机功耗仍很大。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以简化的形式介绍在以下具体实施方...
【技术保护点】
1.一种高电压启动电路，包括：电源端，被配置为供应电力；锁存单元，连接到电源端并包括第一P型金属氧化物半导体PMOS晶体管、连接到第一PMOS晶体管的第一N型金属氧化物半导体NMOS晶体管、第二PMOS晶体管以及连接到第二PMOS晶体管的第二NMOS晶体管，其中，第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管、以及第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管形成锁存结构；电荷分享单元，包括第一电容器和第二电容器，其中，第一电容器被配置为将第一电压供应给第二PMOS晶体管的漏极，第二电容器被配置为将第二电压供应给第一PMOS晶体管的漏极；切换单元，被配置为：形成基于第一电压和第二电压使用从...
【技术特征摘要】
2017.12.21 KR 10-2017-01775881.一种高电压启动电路，包括：电源端，被配置为供应电力；锁存单元，连接到电源端并包括第一P型金属氧化物半导体PMOS晶体管、连接到第一PMOS晶体管的第一N型金属氧化物半导体NMOS晶体管、第二PMOS晶体管以及连接到第二PMOS晶体管的第二NMOS晶体管，其中，第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管、以及第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管形成锁存结构；电荷分享单元，包括第一电容器和第二电容器，其中，第一电容器被配置为将第一电压供应给第二PMOS晶体管的漏极，第二电容器被配置为将第二电压供应给第一PMOS晶体管的漏极；切换单元，被配置为：形成基于第一电压和第二电压使用从电源端供应的电压作为电源电压对外部电容器进行充电的电流路径。2.根据权利要求1所述的高电压启动电路，其中，第一PMOS晶体管响应于第一NMOS晶体管截止而导通，第二PMOS晶体管响应于第二NMOS晶体管导通而截止。3.根据权利要求1所述的高电压启动电路，其中，锁存单元不被配置为形成用于对外部电容器进行充电的电流路径，并且切换单元被配置为选择性地形成用于对外部电容器进行充电的电流路径。4.根据权利要求1所述的高电压启动电路，其中，第一电压的增长速度大于第二电压的增长速度。5.根据权利要求1所述的高电压启动电路，其中，切换单元包括第三NMOS晶体管和第三PMOS晶体管，其中，第三NMOS晶体管包括用于接收第一电压的栅极，第三PMOS晶体管包括用于接收第二电压的栅极。6.根据权利要求5所述的高电压启动电路，其中，第三NMOS晶体管和第三PMOS晶体管同时导通或同时截止。7.根据权利要求1所述的高电压启动电路，其中，通过第一NMOS晶体管的栅极接收的信号和通过第二NMOS晶体管的栅极接收的信号互补。8.根据权利要求1所述的高电压启动电路，其中，切换单元被配置为：响应于外部电容器的充电电压达到预定电压，阻断用于对外部电容器进行充电的电流路径。9.一种开关模式电源SMPS，包括：高电压端，被配置为供应一电压；结型场效应晶体管JFET，被配置为将所述一电压钳位到中间电压，其中，所述一电压大于所述中间电压；高电压启动电路，被配置为从JFET的源极接收所述中间电压并响应于接收到的中间电压输出用于驱动SMPS的电源电压，其中，高电压启动电路包括：电源端，被配置为供应所述中间电压；锁存单元，连接到电源端并包括第一P型金属氧化物半导体PMOS晶体管、连接到第一PMOS晶体管的第一N型金属氧化物半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔志远，郑相焄，吴东星，金炳基，
申请(专利权)人：美格纳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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