新型电源软启动电路制造技术

本发明专利技术提供新型电源软启动电路，包括电阻R1、电源端子VCC、电源端子GND、MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4以及MOS管P5，所述MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4以及MOS管P5的漏极均通过导线与电源端子VCC相连接，所述MOS管P0的源极通过导线与电阻R1的一端相连接，所述电阻R1的另一端通过导线接地，所述MOS管P0的栅极与MOS管P1的栅极通过导线相连接，所述MOS管P0的源极通过导线与MOS管P1的栅极相连接，所述MOS管P1的栅极通过导线分别与MOS管P2的栅极、MOS管P3的栅极以及MOS管P4的栅极相连接，与现有技术相比，本发明专利技术具有如下的有益效果：实现了通过频率控制单元调整充放电电流以及保护电源电路的功能。

【技术实现步骤摘要】
新型电源软启动电路
本专利技术是新型电源软启动电路，属于开关电源

技术介绍
开关电源的输入电路大都采用整流加电容滤波电路，在输入电路合闸瞬间，由于电容器上的初始电压为零会形成很大的瞬时冲击电流，特别是大功率开关电源，其输入采用较大容量的滤波电容器，其冲击电流可达100A以上，在电源接通瞬间如此大的冲击电流幅值，往往会导致输入熔断器烧断，在开关电源
中，因外接电容常为定值，需要快速充电的输出电流，但在启动时为防止突波电流突然对电容器充电，导致输出电压过大造成电路的损坏，电路中皆会设置电源软启动电路，其原理为电流源连接电容所构成，以防止过大的电压，现有的电源软启动电路中充放电电流不可调整，且需要较大的电容，由于其电容较大，因此不易放入IC内。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本专利技术目的是提供新型电源软启动电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为了实现上述目的，本专利技术是通过如下的技术方案来实现：新型电源软启动电路，包括控制芯片IC1、电容C1、电阻R1、电源端子VCC、电源端子GND、MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管P5、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3以及MOS管N4，所述MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4以及MOS管P5的漏极均通过导线与电源端子VCC相连接，所述MOS管P0的源极通过导线与电阻R1的一端相连接，所述电阻R1的另一端通过导线接地，所述MOS管P0的栅极与MOS管P1的栅极通过导线相连接，所述MOS管P0的源极通过导线与MOS管P1的栅极相连接，所述MOS管P1的栅极通过导线分别与MOS管P2的栅极、MOS管P3的栅极以及MOS管P4的栅极相连接，所述MOS管P1的源极通过导线与MOS管N1的漏极相连接；所述MOS管N1的源极通过导线接地，所述MOS管N1的漏极通过导线分别与MOS管N2的栅极、MOS管N3的栅极以及MOS管N4的栅极相连接，所述MOS管N1的栅极通过导线与MOS管N2的栅极相连接，所述MOS管N2的源极、MOS管N3的源极以及MOS管N4的源极均通过导线接地，所述MOS管P2的源极通过导线接MOS管Q1的漏极；所述MOS管Q1的源极通过导线分别与MOS管Q2以MOS管Q3的源极相连接，所述MOS管P3的源极通过导线与MOS管Q2的漏极相连接，所述MOS管Q2的源极通过导线与MOS管Q4的漏极相连接，所述MOS管Q4的源极通过导线与MOS管N2的漏极相连接，所述MOS管P4的源极通过导线与MOS管Q3的漏极相连接，所述MOS管Q3的源极通过导线与MOS管Q5的漏极相连接，所述MOS管Q5的源极通过导线与MOS管N3的漏极相连接；所述电容C1的正极通过导线分别与MOS管Q5的漏极以及MOS管P5的栅极相连接，所述电容C1的负极通过导线接地，所述MOS管P5的源极通过导线与MOS管N4的源极相连接。进一步地，所述控制芯片IC1的信号输入端gate_clk通过导线与外部频率信号产生电路的输出端相连接，所述控制芯片IC1的信号输入端por通过导线与外部使能电路相连接。进一步地，所述控制芯片IC1的控制信号输出端charge0通过导线与MOS管Q1的栅极相连接，所述控制芯片IC1的控制信号输出端charge1通过导线与MOS管Q2的栅极相连接，所述控制芯片IC1的控制信号输出端charge2通过导线与MOS管Q3的栅极相连接，所述控制芯片IC1的控制信号输出端discharge1通过导线与MOS管Q4的栅极相连接，所述控制芯片IC1的控制信号输出端discharge2通过导线与MOS管Q5的栅极相连接。进一步地，所述电源端子VCC通过导线与外部电源的正极相连接，所述电源端子GND通过导线与外部电源的接地端相连接。本专利技术的有益效果：本专利技术的新型电源软启动电路，可通过频率控制单元调整充放电电流，作为电源软启动的相关控制，进而可延长软启动时间并防止突波电流及过电压，实现了保护电源电路的功能。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本专利技术新型电源软启动电路的结构示意图；图2为本专利技术新型电源软启动电路中第一阶段的电容充电示意图；图3为本专利技术新型电源软启动电路中第二阶段的电容充电示意图；图4为本专利技术新型电源软启动电路中第三阶段的电容充电示意图。具体实施方式为使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本专利技术。请参阅图1，本专利技术提供一种技术方案：新型电源软启动电路，包括控制芯片IC1、电容C1、电阻R1、电源端子VCC、电源端子GND、MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管P5、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3以及MOS管N4，MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4以及MOS管P5的漏极均通过导线与电源端子VCC相连接，MOS管P0的源极通过导线与电阻R1的一端相连接，电阻R1的另一端通过导线接地，MOS管P0的栅极与MOS管P1的栅极通过导线相连接，MOS管P0的源极通过导线与MOS管P1的栅极相连接，MOS管P1的栅极通过导线分别与MOS管P2的栅极、MOS管P3的栅极以及MOS管P4的栅极相连接，MOS管P1的源极通过导线与MOS管N1的漏极相连接；MOS管N1的源极通过导线接地，MOS管N1的漏极通过导线分别与MOS管N2的栅极、MOS管N3的栅极以及MOS管N4的栅极相连接，MOS管N1的栅极通过导线与MOS管N2的栅极相连接，MOS管N2的源极、MOS管N3的源极以及MOS管N4的源极均通过导线接地，MOS管P2的源极通过导线接MOS管Q1的漏极；MOS管Q1的源极通过导线分别与MOS管Q2以MOS管Q3的源极相连接，MOS管P3的源极通过导线与MOS管Q2的漏极相连接，MOS管Q2的源极通过导线与MOS管Q4的漏极相连接，MOS管Q4的源极通过导线与MOS管N2的漏极相连接，MOS管P4的源极通过导线与MOS管Q3的漏极相连接，MOS管Q3的源极通过导线与MOS管Q5的漏极相连接，MOS管Q5的源极通过导线与MOS管N3的漏极相连接；电容C1的正极通过导线分别与MOS管Q5的漏极以及MOS管P5的栅极相连接，电容C1的负极通过导线接地，MOS管P5的源极通过导线与MOS管N4的源极相连接，在对电容进行充电时。当电容的电压处于0至1/2VCC时，请参阅图2，此阶段为充电的第一阶段，第一阶段的缓充由charge0信号控制,此信号来自时钟信号gate_clk，charge0信号控制的MOS管Q1的开启周期Tcharge0=Tgate_clk，当电容的电压处于2/4VCC至3/4VCC之间时，请参阅图3，此阶段为第二阶段，第二阶段的缓充由charge1信号以及discharge1信号控制,charge1控制的MOS管Q2以及discharge1信本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.新型电源软启动电路，包括控制芯片IC1、电容C1、电阻R1、电源端子VCC、电源端子GND、MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管P5、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3以及MOS管N4，其特征在于：所述MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4以及MOS管P5的漏极均通过导线与电源端子VCC相连接，所述MOS管P0的源极通过导线与电阻R1的一端相连接，所述电阻R1的另一端通过导线接地，所述MOS管P0的栅极与MOS管P1的栅极通过导线相连接，所述MOS管P0的源极通过导线与MOS管P1的栅极相连接，所述MOS管P1的栅极通过导线分别与MOS管P2的栅极、MOS管P3的栅极以及MOS管P4的栅极相连接，所述MOS管P1的源极通过导线与MOS管N1的漏极相连接；所述MOS管N1的源极通过导线接地，所述MOS管N1的漏极通过导线分别与MOS管N2的栅极、MOS管N3的栅极以及MOS管N4的栅极相连接，所述MOS管N1的栅极通过导线与MOS管N2的栅极相连接，所述MOS管N2的源极、MOS管N3的源极以及MOS管N4的源极均通过导线接地，所述MOS管P2的源极通过导线接MOS管Q1的漏极；所述MOS管Q1的源极通过导线分别与MOS管Q2以MOS管Q3的源极相连接，所述MOS管P3的源极通过导线与MOS管Q2的漏极相连接，所述MOS管Q2的源极通过导线与MOS管Q4的漏极相连接，所述MOS管Q4的源极通过导线与MOS管N2的漏极相连接，所述MOS管P4的源极通过导线与MOS管Q3的漏极相连接，所述MOS管Q3的源极通过导线与MOS管Q5的漏极相连接，所述MOS管Q5的源极通过导线与MOS管N3的漏极相连接；所述电容C1的正极通过导线分别与MOS管Q5的漏极以及MOS管P5的栅极相连接，所述电容C1的负极通过导线接地，所述MOS管P5的源极通过导线与MOS管N4的源极相连接。...

【技术特征摘要】
1.新型电源软启动电路，包括控制芯片IC1、电容C1、电阻R1、电源端子VCC、电源端子GND、MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管P5、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3以及MOS管N4，其特征在于：所述MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4以及MOS管P5的漏极均通过导线与电源端子VCC相连接，所述MOS管P0的源极通过导线与电阻R1的一端相连接，所述电阻R1的另一端通过导线接地，所述MOS管P0的栅极与MOS管P1的栅极通过导线相连接，所述MOS管P0的源极通过导线与MOS管P1的栅极相连接，所述MOS管P1的栅极通过导线分别与MOS管P2的栅极、MOS管P3的栅极以及MOS管P4的栅极相连接，所述MOS管P1的源极通过导线与MOS管N1的漏极相连接；所述MOS管N1的源极通过导线接地，所述MOS管N1的漏极通过导线分别与MOS管N2的栅极、MOS管N3的栅极以及MOS管N4的栅极相连接，所述MOS管N1的栅极通过导线与MOS管N2的栅极相连接，所述MOS管N2的源极、MOS管N3的源极以及MOS管N4的源极均通过导线接地，所述MOS管P2的源极通过导线接MOS管Q1的漏极；所述MOS管Q1的源极通过导线分别与MOS管Q2以MOS管Q3的源极相连接，所述MOS管P3的源极通过导线与MOS管Q2的漏极相连接，所述MOS管Q2的源...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪道生，曾景辰，
申请(专利权)人：珠海美创芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44