新型电源软启动电路制造技术

本发明专利技术提供新型电源软启动电路，包括电阻R1、电源端子VCC、电源端子GND、MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4以及MOS管P5，所述MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4以及MOS管P5的漏极均通过导线与电源端子VCC相连接，所述MOS管P0的源极通过导线与电阻R1的一端相连接，所述电阻R1的另一端通过导线接地，所述MOS管P0的栅极与MOS管P1的栅极通过导线相连接，所述MOS管P0的源极通过导线与MOS管P1的栅极相连接，所述MOS管P1的栅极通过导线分别与MOS管P2的栅极、MOS管P3的栅极以及MOS管P4的栅极相连接，与现有技术相比，本发明专利技术具有如下的有益效果：实现了通过频率控制单元调整充放电电流以及保护电源电路的功能。

【技术实现步骤摘要】
新型电源软启动电路
本专利技术是新型电源软启动电路，属于开关电源

技术介绍
开关电源的输入电路大都采用整流加电容滤波电路，在输入电路合闸瞬间，由于电容器上的初始电压为零会形成很大的瞬时冲击电流，特别是大功率开关电源，其输入采用较大容量的滤波电容器，其冲击电流可达100A以上，在电源接通瞬间如此大的冲击电流幅值，往往会导致输入熔断器烧断，在开关电源
中，因外接电容常为定值，需要快速充电的输出电流，但在启动时为防止突波电流突然对电容器充电，导致输出电压过大造成电路的损坏，电路中皆会设置电源软启动电路，其原理为电流源连接电容所构成，以防止过大的电压，现有的电源软启动电路中充放电电流不可调整，且需要较大的电容，由于其电容较大，因此不易放入IC内。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本专利技术目的是提供新型电源软启动电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为了实现上述目的，本专利技术是通过如下的技术方案来实现：新型电源软启动电路，包括控制芯片IC1、电容C1、电阻R1、电源端子VCC、电源端子GND、MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管P本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.新型电源软启动电路，包括控制芯片IC1、电容C1、电阻R1、电源端子VCC、电源端子GND、MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管P5、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3以及MOS管N4，其特征在于：所述MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4以及MOS管P5的漏极均通过导线与电源端子VCC相连接，所述MOS管P0的源极通过导线与电阻R1的一端相连接，所述电阻R1的另一端通过导线接地，所述MOS管P0的栅极与MOS管P1的栅极通过导线相连接，所述M...

【技术特征摘要】
1.新型电源软启动电路，包括控制芯片IC1、电容C1、电阻R1、电源端子VCC、电源端子GND、MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管P5、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3以及MOS管N4，其特征在于：所述MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4以及MOS管P5的漏极均通过导线与电源端子VCC相连接，所述MOS管P0的源极通过导线与电阻R1的一端相连接，所述电阻R1的另一端通过导线接地，所述MOS管P0的栅极与MOS管P1的栅极通过导线相连接，所述MOS管P0的源极通过导线与MOS管P1的栅极相连接，所述MOS管P1的栅极通过导线分别与MOS管P2的栅极、MOS管P3的栅极以及MOS管P4的栅极相连接，所述MOS管P1的源极通过导线与MOS管N1的漏极相连接；所述MOS管N1的源极通过导线接地，所述MOS管N1的漏极通过导线分别与MOS管N2的栅极、MOS管N3的栅极以及MOS管N4的栅极相连接，所述MOS管N1的栅极通过导线与MOS管N2的栅极相连接，所述MOS管N2的源极、MOS管N3的源极以及MOS管N4的源极均通过导线接地，所述MOS管P2的源极通过导线接MOS管Q1的漏极；所述MOS管Q1的源极通过导线分别与MOS管Q2以MOS管Q3的源极相连接，所述MOS管P3的源极通过导线与MOS管Q2的漏极相连接，所述MOS管Q2的源...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪道生，曾景辰，
申请(专利权)人：珠海美创芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44