Micro LED的巨量转移方法和巨量转移装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了Micro LED的巨量转移方法和巨量转移装置。该Micro LED的巨量转移方法包括：提供Micro LED芯片，能够发出第一颜色的Micro LED芯片的横截面形状不同于能够发出第二颜色的第二Micro LED芯片的横截面形状；向装载模具的装载面上一次性倾倒Micro LED芯片，装载面上设置有装载槽，装载槽具有与所述第一Micro LED芯片的形状相匹配的第一形状和与第二Micro LED芯片的形状相匹配的第二形状；使装载模具震动，并使Micro LED芯片落入匹配的装载槽，并倾斜装载模具，使未落入装载槽的Micro LED芯片离开装载面。本发明专利技术所提出的巨量转移方法，可一次性实现多种不同颜色的Micro LED芯片的巨量转移过程，成倍地提高转移效率的同时，还能保证较高的转移良率。

【技术实现步骤摘要】
MicroLED的巨量转移方法和巨量转移装置
本专利技术涉及MicroLED制造
，具体的，本专利技术涉及MicroLED的巨量转移方法和巨量转移装置。
技术介绍
微发光二极管(MicroLED)显示面板与传统的液晶显示面板相比，具有分辨率更高、对比度更好、响应时间更快及能耗更低等优点，因而被视为下一代显示技术。MicroLED芯片在制作完成之后，需要将几万至几十万个MicroLED芯片转移到驱动电路板上形成LED阵列，这一过程被称为“巨量转移”。由于MicroLED尺寸较小，同时保证转移的效率和良率，成为MicroLED产业化过程中的一大难题。现阶段对红蓝绿(RGB)三色MicroLED的巨量转移过程，一般采用分次转移的方式，即一次只能转移一种颜色的MicroLED芯片，利用震动和风力使对应形状的MicroLED芯片落入装载槽。所以，对于形状相同的RGB三色MicroLED芯片，需要通过三次巨量转移工艺，该方法虽工艺简单、良品率高，但效率较低。所以，目前的MicroLED的巨量转移技术手段仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术是基于专利技术人的下列发现而完成的：本专利技术人在研究本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro LED的巨量转移方法，其特征在于，包括：提供Micro LED芯片，能够发出第一颜色的第一Micro LED芯片的横截面形状不同于能够发出第二颜色的第二Micro LED芯片的横截面形状；向装载模具的装载面上一次性倾倒所述Micro LED芯片，所述装载面上设置有装载槽，所述装载槽具有与所述第一Micro LED芯片的形状相匹配的第一形状和与所述第二Micro LED芯片的形状相匹配的第二形状；使所述装载模具震动，并使所述Micro LED芯片落入匹配的所述装载槽，并倾斜所述装载模具，使未落入所述装载槽的所述Micro LED芯片离开所述装载面。

【技术特征摘要】
1.一种MicroLED的巨量转移方法，其特征在于，包括：提供MicroLED芯片，能够发出第一颜色的第一MicroLED芯片的横截面形状不同于能够发出第二颜色的第二MicroLED芯片的横截面形状；向装载模具的装载面上一次性倾倒所述MicroLED芯片，所述装载面上设置有装载槽，所述装载槽具有与所述第一MicroLED芯片的形状相匹配的第一形状和与所述第二MicroLED芯片的形状相匹配的第二形状；使所述装载模具震动，并使所述MicroLED芯片落入匹配的所述装载槽，并倾斜所述装载模具，使未落入所述装载槽的所述MicroLED芯片离开所述装载面。2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述MicroLED芯片的横截面形状呈梯形。3.根据权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，所述MicroLED芯片包括所述第一MicroLED芯片、所述第二MicroLED芯片和第三MicroLED芯片，且所述第一MicroLED芯片的横截面形状呈等腰梯形，所述第二MicroLED芯片的横截面形状呈左直...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国华，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34