Micro LED的巨量转移方法和巨量转移装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了Micro LED的巨量转移方法和巨量转移装置。该Micro LED的巨量转移方法包括：提供Micro LED芯片，能够发出第一颜色的Micro LED芯片的横截面形状不同于能够发出第二颜色的第二Micro LED芯片的横截面形状；向装载模具的装载面上一次性倾倒Micro LED芯片，装载面上设置有装载槽，装载槽具有与所述第一Micro LED芯片的形状相匹配的第一形状和与第二Micro LED芯片的形状相匹配的第二形状；使装载模具震动，并使Micro LED芯片落入匹配的装载槽，并倾斜装载模具，使未落入装载槽的Micro LED芯片离开装载面。本发明专利技术所提出的巨量转移方法，可一次性实现多种不同颜色的Micro LED芯片的巨量转移过程，成倍地提高转移效率的同时，还能保证较高的转移良率。

【技术实现步骤摘要】
MicroLED的巨量转移方法和巨量转移装置
本专利技术涉及MicroLED制造
，具体的，本专利技术涉及MicroLED的巨量转移方法和巨量转移装置。
技术介绍
微发光二极管(MicroLED)显示面板与传统的液晶显示面板相比，具有分辨率更高、对比度更好、响应时间更快及能耗更低等优点，因而被视为下一代显示技术。MicroLED芯片在制作完成之后，需要将几万至几十万个MicroLED芯片转移到驱动电路板上形成LED阵列，这一过程被称为“巨量转移”。由于MicroLED尺寸较小，同时保证转移的效率和良率，成为MicroLED产业化过程中的一大难题。现阶段对红蓝绿(RGB)三色MicroLED的巨量转移过程，一般采用分次转移的方式，即一次只能转移一种颜色的MicroLED芯片，利用震动和风力使对应形状的MicroLED芯片落入装载槽。所以，对于形状相同的RGB三色MicroLED芯片，需要通过三次巨量转移工艺，该方法虽工艺简单、良品率高，但效率较低。所以，目前的MicroLED的巨量转移技术手段仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术是基于专利技术人的下列发现而完成的：本专利技术人在研究过程中，提出一种MicroLED的巨量转移方法，不同颜色的MicroLED芯片被设计成不同的横截面形状，如此，可一次性实现多种不同颜色的MicroLED芯片的巨量转移过程，并且，装载模具上的一种装载槽的形状只与一种颜色的MicroLED芯片的形状相匹配，从而在成倍地提高转移效率的同时，还能保证较高的转移良率。有鉴于此，本专利技术的一个目的在于提出一种转移效率高、转移良率高的MicroLED巨量转移技术手段。在本专利技术的第一方面，本专利技术提出了一种MicroLED的巨量转移方法。根据本专利技术的实施例，所述巨量转移方法包括：提供MicroLED芯片，能够发出第一颜色的第一MicroLED芯片的横截面形状不同于能够发出第二颜色的第二MicroLED芯片的横截面形状；向装载模具的装载面上一次性倾倒所述MicroLED芯片，所述装载面上设置有装载槽，所述装载槽具有与所述第一MicroLED芯片的形状相匹配的第一形状和与所述第二MicroLED芯片的形状相匹配的第二形状；使所述装载模具震动，并使所述MicroLED芯片落入所述装载槽，并倾斜所述装载模具，使未落入所述装载槽的所述MicroLED芯片离开所述装载面。专利技术人经过研究发现，采用本专利技术实施例的巨量转移方法，先将不同颜色的MicroLED芯片被设计成不同的横截面形状，再将装载模具上的多种装载槽也设计成不同的形状，如此，可一次性实现至少两种颜色的MicroLED芯片的巨量转移过程，并且，装载模具上的一种装载槽的形状只与一种颜色的MicroLED芯片的形状相匹配，从而在成倍地提高转移效率的同时，还能保证较高的转移良率。另外，根据本专利技术上述实施例的巨量转移方法，还可以具有如下附加的技术特征：根据本专利技术的实施例，所述MicroLED芯片的横截面形状呈梯形。根据本专利技术的实施例，所述MicroLED芯片包括所述第一MicroLED芯片、所述第二MicroLED芯片和第三MicroLED芯片，且所述第一MicroLED芯片的横截面形状呈等腰梯形，所述第二MicroLED芯片的横截面形状呈左直角梯形，所述第三MicroLED芯片的横截面形状呈右直角梯形。根据本专利技术的实施例，所述MicroLED芯片的纵截面呈梯形。根据本专利技术的实施例，所述MicroLED芯片的梯形纵截面的夹角为75°～85°。根据本专利技术的实施例，所述第一MicroLED芯片、所述第二MicroLED芯片和所述第三MicroLED芯片的比例为1：1：1。根据本专利技术的实施例，所述倾斜的角度为15°～30°。在本专利技术的第二方面，本专利技术提出了一种MicroLED的巨量转移装置。根据本专利技术的实施例，所述巨量转移装置包括：装载模具，所述装载模具的装载面上设置有装载槽，不同种类的所述装载槽的形状不同，且一种所述装载槽的形状与一种颜色的MicroLED芯片的形状相匹配；震动源，所述震动源与所述装载模具接触。专利技术人经过研究发现，本专利技术实施例的巨量转移装置，其装载模具的装载面上的多种装载槽被设计成不同的形状，且一种装载槽的形状与一种颜色的MicroLED芯片的形状相匹配，如此，该巨量转移装置可实现一次转移多种颜色的MicroLED芯片，从而使制作出的MicroLED元器件阵列的周期更短、效率更高。另外，根据本专利技术上述实施例的巨量转移装置，还可以具有如下附加的技术特征：根据本专利技术的实施例，所述装载槽的底面设有真空吸附孔。根据本专利技术的实施例，所述装载槽的深度为2.5～5微米。本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。附图说明本专利技术的上述的方面结合下面附图对实施例的描述进行解释，其中：图1是本专利技术一个实施例的MicroLED的巨量转移方法的流程示意图；图2是本专利技术一个实施例的三种颜色的MicroLED芯片的仰视结构示意图；图3是本专利技术另一个实施例的三种颜色的MicroLED芯片的仰视结构示意图；图4是本专利技术一个实施例的MicroLED芯片与装载模具的装载槽形状匹配的示意图；图5是本专利技术一个实施例的MicroLED芯片的仰视和局部截面的结构示意图；图6是本专利技术一个实施例的装载模具的俯视结构示意图；图7是本专利技术一个实施例的机械手填补工艺的示意图。附图标记100MicroLED芯片110第一MicroLED芯片120第二MicroLED芯片130第三MicroLED芯片200装载模具210装载面220装载槽221第一装载槽222第二装载槽223第三装载槽230真空吸附孔300机械手具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，本
人员会理解，下面实施例旨在用于解释本专利技术，而不应视为对本专利技术的限制。除非特别说明，在下面实施例中没有明确描述具体技术或条件的，本领域技术人员可以按照本领域内的常用的技术或条件或按照产品说明书进行。在本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种MicroLED的巨量转移方法。根据本专利技术的实施例，参考图1，巨量转移方法包括：S100：提供MicroLED芯片。在该步骤中，提供多种颜色的MicroLED芯片100，且能够发出第一颜色的MicroLED芯片110的横截面形状不同于能够发出第二颜色的第二MicroLED芯片120的横截面形状，如此，可使不同颜色的MicroLED芯片100的横截面形状不同。根据本专利技术的实施例，MicroLED芯片100的具体横截面形状，本领域技术人员可根据MicroLED元器件阵列的具体排列方式进行相应地设计，具体例如三角形、四边形等均可。在本专利技术的一些实施例中，MicroLED芯片100的横截面形状可呈梯形，如此，上下左右都是非对称的梯形，可使MicroLED芯片100即使翻转或旋转后的形状都存在差异性，从而能使MicroLED芯片100与装载模具200上的装载槽220的匹配性更高。根据本专利技术的实施例，MicroLED芯片100的具体颜色数也不受特别的限制，本领域技术人员可根据MicroLED元器件阵列的显色设计进行相应地设计。在本专利技术的一些实施例中，参考图2，MicroLED本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro LED的巨量转移方法，其特征在于，包括：提供Micro LED芯片，能够发出第一颜色的第一Micro LED芯片的横截面形状不同于能够发出第二颜色的第二Micro LED芯片的横截面形状；向装载模具的装载面上一次性倾倒所述Micro LED芯片，所述装载面上设置有装载槽，所述装载槽具有与所述第一Micro LED芯片的形状相匹配的第一形状和与所述第二Micro LED芯片的形状相匹配的第二形状；使所述装载模具震动，并使所述Micro LED芯片落入匹配的所述装载槽，并倾斜所述装载模具，使未落入所述装载槽的所述Micro LED芯片离开所述装载面。

【技术特征摘要】
1.一种MicroLED的巨量转移方法，其特征在于，包括：提供MicroLED芯片，能够发出第一颜色的第一MicroLED芯片的横截面形状不同于能够发出第二颜色的第二MicroLED芯片的横截面形状；向装载模具的装载面上一次性倾倒所述MicroLED芯片，所述装载面上设置有装载槽，所述装载槽具有与所述第一MicroLED芯片的形状相匹配的第一形状和与所述第二MicroLED芯片的形状相匹配的第二形状；使所述装载模具震动，并使所述MicroLED芯片落入匹配的所述装载槽，并倾斜所述装载模具，使未落入所述装载槽的所述MicroLED芯片离开所述装载面。2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述MicroLED芯片的横截面形状呈梯形。3.根据权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，所述MicroLED芯片包括所述第一MicroLED芯片、所述第二MicroLED芯片和第三MicroLED芯片，且所述第一MicroLED芯片的横截面形状呈等腰梯形，所述第二MicroLED芯片的横截面形状呈左直...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国华，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34