一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法技术

本发明专利技术公开了一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法，属于微电子仿真领域。针对现有技术中存在的传统关键路径已不能精确地完成汉明码SRAM的特征化建模的问题，本发明专利技术提供了一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法，在仿真中模拟了从数据变化到纠检错冗余位接收的编码关键路径，关键路径基于多比特位输入，参考节点是冗余阵列对应比特位单元。通过数据端口相对时钟进行相位扫描，以冗余阵列对应存储单元是否成功写入数据作为各端口临界值判断标准，选取端口临界值中的较大值作为数据端口的Setup参数值，获得对应的时序参数setup特征化模型。相比于传统方法，能够精确地得到的时序参数模型。

【技术实现步骤摘要】
一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法
本专利技术涉及微电子仿真领域，更具体地说，涉及一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法。
技术介绍
仿真SRAM时序及功耗参数并生成模型的过程称为特征化建模。为了在SoC设计流程中使用SRAM等存储器模块，因此用于仿真、综合及验证的时序及功耗模型是必不可少的。由于SRAM往往在设计的关键路径上，因此SRAM时序参数特征化建模的精确度至关重要。SRAM时序参数Setup的特征化建模的核心是找到关键路径。关键路径通常由仿真得到，首先配置数据端口电平变化，时钟沿到参考节点(通常是存储单元)电平变化的延时最大值所在路径即为关键路径。传统SRAM的时序参数“Setup”的特征化建模方法，都是基于传统关键路径实现。关键路径通常通过仿真SRAM正常存取数据的路径进行建模，数据单比特位输入、参考节点是输入比特位对应的存储阵列中的存储单元。汉明码SRAM，是通过编解码及纠检错冗余位来增强传统SRAM的纠错能力，相较于传统SRAM其包含编解码模块和冗余存储阵列。汉明码SRAM通常也采用传统方法通过仿真数据写入存储完成特征化建模。但是由于汉明码本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法，其步骤如下：(1)通过仿真纠检错编码工作方式得到实际关键路径，配置若干编码路径并分别进行仿真，选择延时最大的一条作为关键路径；选择实际关键路径对应的多个数据端口进行比特位向量输入；冗余阵列中的比特位单元为参考节点；(2)对于关键路径的多个数据端口相对时钟进行相位扫描，判断参考节点是否成功写入数据，获得实际关键路径对应的多个数据端口的相位差临界值；(3)选择各个端口对应的相位差临界值中最大的临界值作为数据端口的Setup参数值。

【技术特征摘要】
1.一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法，其步骤如下：(1)通过仿真纠检错编码工作方式得到实际关键路径，配置若干编码路径并分别进行仿真，选择延时最大的一条作为关键路径；选择实际关键路径对应的多个数据端口进行比特位向量输入；冗余阵列中的比特位单元为参考节点；(2)对于关键路径的多个数据端口相对时钟进行相位扫描，判断参考节点是否成功写入数据，获得实际关键路径对应的多个数据端口的相位差临界值；(3)选择各个端口对应的相位差临界值中最大的临界值作为数据端口的Setup参数值。2.根据权利要求1所述的一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法，其特征在于，步骤(1)中数据端口为SRAM的数据端口。3.根据权利要求2所述的一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法，其特征在于，步骤(1)中数据端口为选择其中不少于两个端口的任一集合。4.根据权利要求3所述的一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法，其特征在于，参考节点分别通过判断是否成功写入“1”和“0”，分别来获得对应的临界值，分别判断Setuprise和Setupfall参数值。5.根据权利要求1所述的一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法，其特征在于，步骤(1)中实际关键路径为，数据端口Da、Db、……Di输入比特位向量，参考节点bit...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫珍珍，刘海南，杨婉婉，卜建辉，刘梦新，罗家俊，韩郑生，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11