DL-高半胱氨酸硫内酯盐酸盐的合成方法技术

本发明专利技术公开了一种DL‑高半胱氨酸硫内酯盐酸盐的合成方法，将DL‑高胱氨酸以盐酸溶液为介质制备阴极液，在电解槽中电解得到DL‑高半胱氨酸硫内酯盐酸盐，其中，阴极电极采用粗化后的玻璃碳电极作为基材，在基材表面覆盖铅铋合金。本发明专利技术能够提高DL‑高半胱氨酸硫内酯盐酸盐的产率。

【技术实现步骤摘要】
DL-高半胱氨酸硫内酯盐酸盐的合成方法
本专利技术涉及化合物的合成领域。更具体地说，本专利技术涉及一种DL-高半胱氨酸硫内酯盐酸盐的合成方法。
技术介绍
DL-高半胱氨酸硫内酯盐酸盐是一种生化试剂和药物中间体，可用于制备西替沃酮，厄多司坦等药物。现有技术中，合成该药物时常用金属锌或锡和盐酸与DL-高胱氨酸进行还原反应，使用该方法合成会产生大量的氢气、锌盐(锡盐)和大量的废水，十分污染环境，并且操作十分危险。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供DL-高半胱氨酸硫内酯盐酸盐的合成方法，提高合成产率。为了实现根据本专利技术的这些目的和其它优点，提供了一种DL-高半胱氨酸硫内酯盐酸盐的合成方法，将DL-高胱氨酸以盐酸溶液为介质制备阴极液，在电解槽中电解得到DL-高半胱氨酸硫内酯盐酸盐，其中，阴极电极采用粗化后的玻璃碳电极作为基材，在基材表面覆盖铅铋合金。优选的是，玻璃碳电极粗化具体为：将玻碳电极整个表面粗化至粗糙度为8-10微米。优选的是，在基材表面覆盖铅铋合金具体为：将铅铋合金研磨得到粉末置于CVD炉膛中，以5sccm的速率通入氩气，将基材至于氩气的下游，以20-25℃/min升温速率升温至本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DL‑高半胱氨酸硫内酯盐酸盐的合成方法，其特征在于，将DL‑高胱氨酸以盐酸溶液为介质制备阴极液，在电解槽中电解得到DL‑高半胱氨酸硫内酯盐酸盐，其中，阴极电极采用粗化后的玻璃碳电极作为基材，在基材表面覆盖铅铋合金。

【技术特征摘要】
1.一种DL-高半胱氨酸硫内酯盐酸盐的合成方法，其特征在于，将DL-高胱氨酸以盐酸溶液为介质制备阴极液，在电解槽中电解得到DL-高半胱氨酸硫内酯盐酸盐，其中，阴极电极采用粗化后的玻璃碳电极作为基材，在基材表面覆盖铅铋合金。2.如权利要求1所述的DL-高半胱氨酸硫内酯盐酸盐的合成方法，其特征在于，玻璃碳电极粗化具体为：将玻碳电极整个表面粗化至粗糙度为8-10微米。3.如权利要求2所述的DL-高半胱氨酸硫内酯盐酸盐的合成方法，其特征在于，在基材表面覆盖铅铋合金具体为：将铅铋合金研磨得到粉末置于CVD炉膛中，以5sccm的速率通入氩气，将基材至于氩气的下游，以20-25℃/min升温速率升温至650℃，保温1小时，降温，在基材形成铅铋合金薄膜。4.如权利要求1或3所述的DL-高半胱氨酸硫内酯盐酸盐的合成方法，其特征在于，所述电解槽的阳极为...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡可雄，胡林林，
申请(专利权)人：武汉本杰明医药股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42