一种声表面波雾化芯片、制作方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种声表面波雾化芯片、制作方法及声表面波雾化装置，所述声表面波雾化芯片包括：压电基底、设置于压电基底表面的叉指换能器、与压电基底在相邻侧面紧密贴合的馈线电路板；所述馈线电路板上设置有电极引脚，所述电极引脚通过连接线与所述叉指换能器连接；所述叉指换能器表面涂覆有聚合物薄膜；所述聚合物薄膜是通过将光刻胶溶液采用旋涂工艺均匀涂覆形成的；所述叉指换能器在射频信号驱动下对附着在所述压电基底上的液体进行雾化。解决了现有技术中声表面波雾化芯片防水效果差、容易发生短路、安全性差的问题。

A Surface Acoustic Wave Atomization Chip, Fabrication Method and Device

The invention discloses a surface acoustic wave atomization chip, a fabrication method and a surface acoustic wave atomization device. The surface acoustic wave atomization chip includes a piezoelectric substrate, an interdigital transducer arranged on the surface of the piezoelectric substrate, a feeder circuit board closely attached to the piezoelectric substrate on the adjacent side, and an electrode lead is arranged on the feeder circuit board. The pin of the electrode is connected with the interdigital transducer through a connecting line; the surface of the interdigital transducer is coated with a polymer film; the polymer film is formed by uniformly coating the photoresist solution with a spin coating process; and the interdigital transducer is attached to the piezoelectric substrate driven by a radio frequency signal. The liquid is atomized. The problems of poor waterproofing effect, easy short circuit and poor safety of SAW atomization chip in the prior art are solved.

【技术实现步骤摘要】
一种声表面波雾化芯片、制作方法及装置
本专利技术涉及声表面波器件
，特别涉及一种声表面波雾化芯片、制作方法及声表面波雾化装置。
技术介绍
雾化可以广泛应用在民用、工业和医学领域。例如，内燃机燃料喷射、喷墨打印、农业灌溉、质谱分析、化学生物反应和肺部药物交付等，这些不同
的技术方案的实现都要依赖于雾化方法。传统的雾化方法包括气流式雾化、压力式雾化和超声波雾化等，气流式雾化和压力式雾化的液体雾化效果差、喷雾液滴颗粒大且不均匀，很难适用于精确控制颗粒尺寸的
超声波雾化目前在医学临床上的应用比较普遍，但是现有的超声波雾化的设备的体积较大，不便于携带或运输；而且超声波雾化所需的功率大，雾化时产生的气溶胶颗粒直径范围大且分布不均匀，雾化时产生的热量较多，容易导致待雾化液体蒸发。声表面波雾化芯片作为一种新兴的可以雾化水、药液、胶水、油等的低功率雾化器件，虽然近几年声表面波雾化芯片技术取得了很大的进步，但是还不能满足小体积、大烟雾量和器件稳定性高、可靠度强等产品级要求，产业化和工业化还存在一些巨大的困难。这是由于在一个狭小的封闭空间中雾化液体时，为了防止声表面波的金属电极表面接触水雾冷凝的液滴造成短路损坏，需要对声表面波雾化芯片的金属电极进行防水。现有的声表面波雾化芯片防水技术大都是对金属电极进行物理隔离，设计复杂并且隔离效果差，所以可以应用的场景非常少。而且，因为声表面波雾化芯片的雾化机理与超声波雾化、气流式雾化、压力式雾化机理完全不同，其本身需要整个声表面波雾化芯片与液体直接接触，在声表面波雾化芯片非水平放置时，无法避免声表面波芯片表面的液体流向金属电极表面或空气中冷凝的微液滴间接接触金属电极表面，而导致声表面波雾化芯片发生短路烧毁。因此，现有的物理隔离防水的声表面波芯片并不适用于需要灵活放置、在不同方向适用的场景。
技术实现思路
鉴于现有技术中存在的技术缺陷和技术弊端，本专利技术实施例提供克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种声表面波雾化芯片、制作方法及声表面波雾化装置。作为本专利技术实施例的一个方面，涉及一种声表面波雾化芯片，包括：压电基底、设置于压电基底表面的叉指换能器、与压电基底在相邻侧面紧密贴合的馈线电路板；所述馈线电路板上设置有电极引脚，所述电极引脚通过连接线与所述叉指换能器连接；所述叉指换能器表面涂覆有聚合物薄膜；所述聚合物薄膜是通过将光刻胶溶液采用旋涂工艺均匀涂覆形成的；所述叉指换能器在射频信号驱动下对附着在所述压电基底上的液体进行雾化。在一个可选的实施例中，所述聚合物薄膜均匀涂覆在所述压电基底表面，并覆盖所述叉指换能器。在一个可选的实施例中，所述聚合物薄膜的厚度为1um～3um。在一个可选的实施例中，所述连接线为固化的导电银胶，所述固化的导电银胶表面覆盖有绝缘胶。在一个可选的实施例中，所述的声表面波雾化芯片，还包括：导热片，所述导热片的上表面与所述压电基底和馈线电路板的下表面紧密接触。在一个可选的实施例中，所述压电基底、馈线电路板与导热片之间涂覆有导热黏附涂层。在一个可选的实施例中，所述导热黏附涂层包括导热层和黏附层，所述导热层的导热硅脂均匀涂抹在所述导热片表面，所述黏附层的胶黏剂均匀涂抹在所述导热层表面。作为本专利技术实施例的另一方面，涉及一种声表面波雾化芯片的制作方法，包括：将叉指换能器设置到压电基底表面；将馈线电路板与压电基底在相邻侧面紧密贴合；通过连接线连接馈线电路板的电极引脚与叉指换能器；采用旋涂工艺将光刻胶溶液均匀涂覆到叉指换能器表面，形成聚合物薄膜。在一个可选的实施例中，所述光刻胶溶液为光刻胶和稀释剂的混合溶液；所述光刻胶为SU-8系列的光刻胶；所述稀释剂为以下一种或多种：丙二醇甲醚乙酸酯、SU-82000Thiner和二甲苯；将所述光刻胶溶液均匀涂覆到叉指换能器表面，形成膜厚为1um～3um的聚合物薄膜。作为本专利技术实施例的另一方面，涉及一种声表面波雾化装置，包括射频信号发生器和上述的声表面波雾化芯片，所述射频信号发生器通过导线与所述声表面波雾化芯片的电极引脚连接；所述射频信号发生器为射频电源，或，所述射频信号发生器包括高频信号源，以及与所述高频信号源连接的功率放大器。本专利技术实施例至少实现了如下技术效果：本专利技术实施例中的声表面波雾化芯片通过在叉指换能器上涂覆聚合物薄膜，将叉指换能器与压电基底上的待雾化液体隔离，实现对叉指换能器的保护，叉指换能器通过产生声表面波非接触就可以驱动压电基底表面液体发生高频震动从而液体克服表面张力实现雾化；同时，在一个狭小的封闭空间中雾化液体时，溅落或水雾冷凝的液滴不会直接接触叉指换能器，实现了叉指换能器的防水效果，防止叉指换能器接触液滴造成短路损坏，从而保证声表面波雾化芯片能够持续进行雾化，提高雾化的稳定性和可靠性；通过叉指换能器表面镀膜，声表面波雾化芯片与液体直接接触时，叉指换能器不会发生短路，声表面波雾化芯片的安全性高，对声表面波雾化芯片的放置方向没有限制，因而可以灵活放置，适用于各种方向的应用场景。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所记载的结构来实现和获得。下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为本专利技术的声表面波雾化芯片的结构示意图；图2为本专利技术的叉指换能器内部结构图；图3为本专利技术的声表面波雾化装置的结构示意图；其中：1、声表面波雾化芯片；101、压电基底；102、聚合物薄膜；103、导热黏附涂层；104、连接线；105、绝缘胶；106、叉指换能器；107、馈电电路板；108、导热片；109、电极引脚；2、导线；3、射频信号发生装置。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本专利技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本专利技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种声表面波雾化芯片，其特征在于，包括：压电基底、设置于压电基底表面的叉指换能器、与压电基底在相邻侧面紧密贴合的馈线电路板；所述馈线电路板上设置有电极引脚，所述电极引脚通过连接线与所述叉指换能器连接；所述叉指换能器表面涂覆有聚合物薄膜；所述聚合物薄膜是通过将光刻胶溶液采用旋涂工艺均匀涂覆形成的；所述叉指换能器在射频信号驱动下对附着在所述压电基底上的液体进行雾化。

【技术特征摘要】
1.一种声表面波雾化芯片，其特征在于，包括：压电基底、设置于压电基底表面的叉指换能器、与压电基底在相邻侧面紧密贴合的馈线电路板；所述馈线电路板上设置有电极引脚，所述电极引脚通过连接线与所述叉指换能器连接；所述叉指换能器表面涂覆有聚合物薄膜；所述聚合物薄膜是通过将光刻胶溶液采用旋涂工艺均匀涂覆形成的；所述叉指换能器在射频信号驱动下对附着在所述压电基底上的液体进行雾化。2.如权利要求1所述的声表面波雾化芯片，其特征在于，所述聚合物薄膜均匀涂覆在所述压电基底表面，并覆盖所述叉指换能器。3.如权利要求1或2所述的声表面波雾化芯片，其特征在于，所述聚合物薄膜的厚度为1um～3um。4.如权利要求1所述的声表面波雾化芯片，其特征在于，所述连接线为固化的导电银胶，所述固化的导电银胶表面覆盖有绝缘胶。5.如权利要求1所述的声表面波雾化芯片，其特征在于，还包括：导热片，所述导热片的上表面与所述压电基底和馈线电路板的下表面紧密接触。6.如权利要求5所述的声表面波雾化芯片，其特征在于，所述压电基底、馈线电路板与导热片之间涂覆有导热黏附涂层。7.如权利要求6所述的声表面波雾...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡泓，韩俊茏，黄庆云，雷芋琳，付琛，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学深圳，
类型：发明
国别省市：广东,44