一种太赫兹波段超材料传感器制造技术

本实用新型专利技术提出一种太赫兹波段超材料传感器，该传感器包括介质层和附着在所述介质层上的亚波长金属谐振环阵列；其中，所述亚波长金属谐振环阵列包含至少4个谐振环单元，每个所述谐振环单元均包括一四边开口的方形开口谐振环和置于所述方形开口谐振环内的方形谐振环；所述方形开口谐振环与所述方形谐振环均可在太赫兹波激励下实现谐振。本实用新型专利技术所述的太赫兹波段超材料传感器基本谐振环单元结构中的方形开口谐振环和方形谐振环采用嵌套设计，结构简单、性能优越，便于批量制造并且实验结束后方便清洗，满足传感器设计过程中对性价比的需求。

A Terahertz Band Metamaterial Sensor

The utility model proposes a terahertz band metamaterial sensor, which comprises a dielectric layer and a sub-wavelength metal resonant ring array attached to the dielectric layer, wherein the sub-wavelength metal resonant ring array comprises at least four resonant ring units, each of which includes a square open resonant ring with four sides and is placed in the square open resonant ring. The square resonant ring, the square open resonant ring and the square resonant ring can realize resonance under the excitation of terahertz wave. The square open resonant ring and square resonant ring in the basic resonant ring unit structure of the terahertz band metamaterial sensor of the utility model adopt nested design, which are simple in structure and superior in performance, easy to manufacture in batches and easy to clean after the experiment, and meet the requirements of cost performance in the process of sensor design.

【技术实现步骤摘要】
一种太赫兹波段超材料传感器
本技术属于太赫兹
，具体涉及一种太赫兹波段超材料传感器。
技术介绍
太赫兹波是指频率在0.1-10THz(波长为3mm-30um)范围内的电磁波，它位于红外与微波之间。因其处于电磁波谱的特殊位置，使其具有一系列特殊性质，如低能性、穿透性、指纹谱性等。随着太赫兹波产生和探测技术的发展，太赫兹波以其独特的优势在非电离的生物化学检测方面有着很大潜力。亚波长结构(亦称超材料)一般指该微纳结构的尺寸仅为入射电磁波波长(或共振波长)的十分之一，由于入射电磁波波长远大于超材料物质中基本谐振环单元的尺寸，从而使得入射电磁波只能感应到整个超材料结构的平均效应。即超材料是通过构造宏观无限小的“人工分子或原子”来操控所设计结构的属性，因此它的性质不是主要取决于构成材料的本征性质，而是其人工设计的结构。传统太赫兹时域光谱(THz-TDS)测量法对相似物质或不同浓度的同种物质进行检测时，会出现谱线重叠、接近，造成不易区分的情况。基于超材料的太赫兹折射率传感器依靠外界物质折射率的变化引起谐振点频率的红移来区分不同的物质和浓度，因此克服了传统THz-TDS方法的缺陷，非常适用于对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，该传感器包括介质层和附着在所述介质层上的亚波长金属谐振环阵列；其中，所述亚波长金属谐振环阵列包含至少4个谐振环单元，每个所述谐振环单元均包括四边开口的方形开口谐振环和置于所述方形开口谐振环内的方形谐振环；所述方形开口谐振环与所述方形谐振环均可在太赫兹波激励下实现谐振。

【技术特征摘要】
1.一种太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，该传感器包括介质层和附着在所述介质层上的亚波长金属谐振环阵列；其中，所述亚波长金属谐振环阵列包含至少4个谐振环单元，每个所述谐振环单元均包括四边开口的方形开口谐振环和置于所述方形开口谐振环内的方形谐振环；所述方形开口谐振环与所述方形谐振环均可在太赫兹波激励下实现谐振。2.根据权利要求1所述的一种太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，所述方形开口谐振环为一中心对称但轴不对称的四开口谐振环。3.根据权利要求2所述的一种太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，所述四开口谐振环的每条边具有一长边和一短边，每条边的长边相等，每条边的短边相等；所述四开口谐振环的每条边的长边与相邻边的短边连接。4.根据权利要求1所述的一种太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，所述介质层材料为高阻硅、聚酰亚胺、石英晶体中的一种，厚度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈涛，张大鹏，张活，殷贤华，许川佩，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：新型
国别省市：广西,45