用于发光器件的波长转换材料制造技术

本发明专利技术的实施例包括包含(La,Gd)3Ga5‑x‑yAlxSiO14:Cry的红外发射磷光体，其中0≤x≤1且0.02≤y≤0.08。在一些实施例中，红外发射磷光体是钙镓锗酸盐材料。在一些实施例中，红外发射磷光体与第二红外发射磷光体一起使用。第二红外发射磷光体是一种或多种铬掺杂的石榴石，其组分为Gd3‑x1Sc2‑x2‑yLux1+x2Ga3O12:Cry，其中0.02≤x1≤0.25，0.05≤x2≤0.3且0.04≤y≤0.12。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于发光器件的波长转换材料
技术介绍
包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）和边缘发射激光器的半导体发光器件属于当前可用的最高效的光源。在能够跨可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中，当前引起兴趣的材料系统包括Ⅲ-Ⅴ族半导体，特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金，也被称为Ⅲ族氮化物材料。典型地，Ⅲ族氮化物发光器件通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其他外延技术，通过在蓝宝石、碳化硅、Ⅲ族氮化物或其他合适的衬底上外延生长不同组分和掺杂剂浓度的半导体层的叠层来制造。该叠层经常包括在衬底上方形成的掺杂有例如Si的一个或多个n型层、在一个或多个n型层上方形成的有源区中的一个或多个发光层、以及在有源区上方形成的掺杂有例如Mg的一个或多个p型层。电接触部在n型区和p型区上形成。诸如LED的发光器件经常与诸如磷光体的波长转换材料组合。这样的器件经常被称为磷光体转换的LED或PCLED。附图说明图1图示了根据一些实施例的两种近红外发射磷光体的发射光谱。图2是LED的截面视图。图3是具有与LED直接接触的波长转换结构的器件的截面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1. 一种发光材料，包括：主晶格，其以三方钙镓锗酸盐结构类型结晶；和掺杂剂，其设置于所述主晶格中，所述掺杂剂包括：三价铬；和四价铬，其浓度小于所述发光材料中的所有铬的总浓度的1％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.09.28 EP 17193745.11.一种发光材料，包括：主晶格，其以三方钙镓锗酸盐结构类型结晶；和掺杂剂，其设置于所述主晶格中，所述掺杂剂包括：三价铬；和四价铬，其浓度小于所述发光材料中的所有铬的总浓度的1％。2.根据权利要求1所述的发光材料，其中所述主晶格包括四价阳离子，所述四价阳离子具有比Cr（IV）的有效离子半径小至少10％的有效原子半径。3.根据权利要求1所述的发光材料，其中所述发光材料是RE3Ga5-x-yAxSiO14Cry（RE=La、Nd、Gd、Yb、Tm；A=Al、Sc），其中0≤x≤1且0.005≤y≤0.1。4.根据权利要求1所述的发光材料，其中所述主晶格是La3Ga5-xSiO14。5.根据权利要求1所述的发光材料，其中所述发光材料发射700-1100nm范围内的光。6.根据权利要求1所述的发光材料，其中所述发光材料是(La,Gd)3Ga5-x-yAlxSiO14:Cry，其中0≤x≤1且0.02≤y≤0.08。7.根据权利要求6所述的发光材料，其中所述发光材料由蓝光或红光激发。8.根据权利要求1或6所述的发光材料，其中所述发光材料具有在1700cm-1和4000cm-1之间的半峰全宽。9.根据权利要求6所述的发光材料，其中所述发光材料的带隙为至少4.8eV。10.根据权利要求1或6所述的发光材料，其中所述发光材料是La2.98Gd0.02Ga4.76Al0.2SiO14:Cr...

【专利技术属性】
技术研发人员：PJ施密特，R恩格伦，T迪德里希，
申请(专利权)人：亮锐控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL