一种湿法淋浆工艺干粒陶瓷砖及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种湿法淋浆工艺干粒陶瓷砖及其制备方法，包括：在坯体上施面釉、印刷图案后淋干粒釉，然后烧成，得到陶瓷砖，其中，所述干粒釉含有：按质量百分比计，干粒A：15%、干粒B：12%～15%、干粒C：13%～17%，所述干粒A的软化温度为1135℃～1175℃，所述干粒B的软化温度为980℃～1050℃，所述干粒C的软化温度为1020℃～1127℃。本发明专利技术所使用的熔块干粒采用三种不同熔点干粒的搭配，采用这样的搭配方式，便于在生产中可以有效地调整砖形及烧成温度。

【技术实现步骤摘要】
一种湿法淋浆工艺干粒陶瓷砖及其制备方法
本专利技术涉及一种湿法淋浆全抛干粒砖及其制备方法，属于陶瓷砖生产领域。
技术介绍
伴随着社会的快速发展，人们的消费水平也逐步提高，在追求高质量生活的同时，对于居住环境的装饰效果也越来越注重。在建陶行业发展的长河中，传统的抛光、抛釉砖已经无法满足人们对于装饰效果的要求。传统的抛釉、抛光砖存在镜面度不平整、图案纹理模糊缺点，因此对于版面纹理细节复杂、深色版面的设计在生产中很难实现釉面清晰的效果。为了适应市场的需求，开发高平镜面度、透感清晰的釉面砖将成为行业的趋势。对于目前市场来说，一般采用干法铺撒干粒的工艺，但是该生产工艺较为复杂，而且生产成本较高，在生产深色版面时容易在砖面产生许多毛孔，生产技术也不稳定。中国专利CN109516691A公开了一种深色图案的全抛光面陶瓷制品及其制备方法，其中涉及到工艺也是采取淋干粒釉工艺，但是其专利并没有公开具体的工艺流程、参数以及固体熔块的颗粒级配关系，仅仅只是笼统地讲述了通过淋干粒釉所制备的陶瓷产品所取得的效果。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的目的在于通过使用不同熔点熔块干粒的合理配比，提供一种高平镜面度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种湿法淋浆工艺干粒陶瓷砖的制备方法，其特征在于，包括：在坯体上施面釉、印刷图案后淋干粒釉，然后烧成，得到陶瓷砖，其中，所述干粒釉含有：按质量百分比计，干粒A：15%、干粒B：12%～15%、干粒C：13%～17%，所述干粒A的软化温度为1135℃～1175℃，所述干粒B的软化温度为980℃～1050℃，所述干粒C的软化温度为1020℃～1127℃。

【技术特征摘要】
1.一种湿法淋浆工艺干粒陶瓷砖的制备方法，其特征在于，包括：在坯体上施面釉、印刷图案后淋干粒釉，然后烧成，得到陶瓷砖，其中，所述干粒釉含有：按质量百分比计，干粒A：15%、干粒B：12%～15%、干粒C：13%～17%，所述干粒A的软化温度为1135℃～1175℃，所述干粒B的软化温度为980℃～1050℃，所述干粒C的软化温度为1020℃～1127℃。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述干粒A在40℃～600℃内的膨胀系数为7.3×10-6～7.4×10-6/℃，所述干粒B在40℃～600℃内的膨胀系数为6.6×10-6～6.7×10-6/℃，所述干粒C在40℃～600℃内的膨胀系数为6.9×10-6～7.0×10-6/℃。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述干粒釉还含有：印刷粉：5%～7%、胶水：35%～38%、水：10%～13%。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述干粒釉的化学组成为：按质量百分比计，烧失：0.50%～2.00%，SiO2：60.50%～65.00%、Al2O3：12.00%～14.00%、Fe2O3：0.05%～0.20%、TiO2：0.05%～0.10%...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧礼标，汪庆刚，覃增成，杨元东，王贤超，闫志聪，程科木，
申请(专利权)人：蒙娜丽莎集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44