透明电磁屏蔽薄膜结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种电磁屏蔽薄膜结构及其制备方法，透明电磁屏蔽薄膜结构包括：透明基底；柔性材料层，位于透明基底的上表面，且柔性材料层的上表面形成有多个凹槽结构；导磁材料层，位于各凹槽结构的底部：导电材料层，位于各凹槽结构内，且位于导磁材料层的上表面；黑化处理层，位于各凹槽结构内，且位于导电材料层的上表面。本发明专利技术的柔性材料层内的凹槽结构内形成导磁材料层及导电材料层，可以采用加成法电镀形成导磁材料层及导电材料层，不需要采用真空溅射工艺及刻蚀工艺，不需要昂贵的设备，不会造成材料的浪费，成本较低、生产工艺简单，不会造成环保问题，可以制备线宽更小的导磁材料层及线宽更小的导电材料层，可以实现透明。

【技术实现步骤摘要】
透明电磁屏蔽薄膜结构及其制备方法
本专利技术属于电磁屏蔽
，特别是涉及一种透明电磁屏蔽薄膜结构及其制备方法。
技术介绍
电磁屏蔽薄膜是一种满足一定透光要求的透明贴膜，当电磁波的传播路径遇到电磁屏蔽薄膜，它会改变电磁波的传输方向，有效阻断无线电波、红外、紫外等各种电磁波的传播，从而能成功阻断信息泄露、电子窃听及电磁辐射的干扰影响，确保设备正常工作，避免人员遭受电磁辐射的影响。设备视窗、计算机显示器、仪器仪表的显示器等很多电子产品，在进行产品EMC(电磁兼容)/EMI(电磁干扰)测试时，往往产品无法满足的电磁辐射和抗电磁辐射的要求，这就需要对产品的透光部分采取屏蔽措施。另一方面需要注意的就是通过玻璃基底窗进行远程窃听的泄密威胁，这种窃听技术能够在遥远距离外，通过激光麦克风等复杂的技术，从电脑、打印机和PDA等电子设备上截获电子泄漏，窃取信息。解决这类问题，最简单而行之有效的方法就是使用电磁屏蔽薄膜，即可屏蔽电磁波又可透光透明。主要用于汽车、显示器、仪器仪表视窗、会议室、机房、实验室及家庭的玻璃基底门窗等。常规的屏蔽层做法是采用真空溅射工艺溅射一层金属导电层，材料成本高，生产工艺复杂。若需要做成透明导电膜，需要在经过蚀刻作业，刻蚀成金属网格，以目前线路板最好的水平，线宽50um，也难以做到绝对的透明，另外还有其工艺产生的环保问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提+供一种透明电磁屏蔽薄膜结构及其制备方法，用于解决现有技术中由于采用真空溅射工艺及刻蚀工艺制备屏蔽层存在的对设备、生产环境要求极高、生产工艺复杂、成本较高、造成材料大量浪费及影响环保的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种透明电磁屏蔽薄膜结构，所述透明电磁屏蔽薄膜结构包括：透明基底；柔性材料层，位于所述透明基底的上表面，且所述柔性材料层的上表面形成有多个凹槽结构；导磁材料层，位于各所述凹槽结构的底部，且所述导磁材料层的厚度小于所述凹槽结构的深度；所述导磁材料层包括多条导磁线，所述导磁线位于各所述凹槽结构内：导电材料层，位于各所述凹槽结构内，且位于所述导磁材料层的上表面，所述导电材料层与所述导磁材料层的厚度之和小于所述凹槽结构的深度；所述导电材料层包括多条导电线，所述导电线位于各所述凹槽结构内；黑化处理层，位于各所述凹槽结构内，且位于所述导电材料层的上表面。可选地，所述透明基底包括玻璃基底、聚对苯二甲酸乙二醇酯基底、聚酰亚胺基底、聚碳酸酯基底或聚甲基丙烯酸甲酯基底；所述柔性材料层包括UV树脂层；所述导磁材料层包括铁层、镍层、铁镍合金层或镍钴合金层；所述导电材料层包括铜层、锌层、锡层、金层或银层；所述黑化处理层包括硫化层、锡镍合金层或碳层。可选地，各所述凹槽结构独立分布或各所述凹槽结构相互连接呈网格状互连分布。可选地，所述凹槽结构的宽度包括2微米～50微米，所述凹槽结构的深度包括2微米～50微米。本专利技术还提供一种透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法，所述透明电磁屏蔽薄膜的制备方法包括如下步骤：提供透明基底；于所述透明基底的上表面形成柔性材料层；于所述柔性材料层的上表面形成多个凹槽结构；于所述凹槽结构的底部形成导磁材料层，所述导磁材料层厚度小于所述凹槽结构的深度；所述导磁材料层包括多条导磁线，所述导磁线位于各所述凹槽结构内；于所述导磁材料层的上表面形成导电材料层，所述导电材料层与所述导磁材料层的厚度之和小于所述凹槽结构的深度；所述导电材料层包括多条导电线，所述导电线位于各所述凹槽结构内；于所述导电材料层的上表面形成黑化处理层，所述黑化处理层位于各所述凹槽结构内。可选地，于所述柔性材料层的表面形成多个凹槽结构包括如下步骤：提供表面具有凸起结构的模具；基于所述模具采用压印工艺于所述柔性材料层的表面形成多个所述凹槽结构。可选地，于各所述凹槽结构内形成导磁材料层包括如下步骤：采用点胶工艺于所述柔性材料层的表面放置导磁浆料；将所述导磁浆料刮涂至各所述凹槽结构内；所述导磁浆料固化后即形成所述导磁材料层。可选地，采用电镀工艺或化学镀工艺于所述导磁材料的上表面形成所述导电材料层。可选地，于所述导电材料层的上表面形成黑化处理层具体方法包括将所述导电材料层的上表面进行硫化处理，以于所述导电材料层的上表面形成硫化层作为所述黑化处理层。可选地，于所述导电材料层的上表面形成黑化处理层具体方法包括于所述导电材料层的上表面形成锡镍合金层或碳层作为所述黑化处理层。如上所述，本专利技术的一种透明电磁屏蔽薄膜结构及其制备方法，具有以下有益效果：本专利技术的柔性材料层内的凹槽结构内形成导磁材料层及导电材料层，可以采用加成法电镀形成导磁材料层及导电材料层，不需要采用真空溅射工艺及刻蚀工艺，不需要昂贵的设备，不会造成材料的浪费，成本较低、生产工艺简单，有利于卷对卷量产工艺，不会造成环保问题，可以制备线宽更小的导磁材料层及线宽更小的导电材料层，可以实现透明；同时，本专利技术通过同时设置导磁材料层及导电材料层，使得所述透明电磁屏蔽薄膜结构同时具有导电和导磁的功能，可以实现宽屏屏蔽；通过在导电材料层的上表面形成黑化处理层，可以降低导电材料层的金属反射色泽，从而提高所述电磁屏蔽薄膜结构的性能。附图说明图1显示为本专利技术实施例一中提供的透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法的流程图。图2至图8显示为本专利技术实施例一中提供的透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法的各步骤所得的局部结构示意图。元件标号说明10透明基底20柔性材料层201凹槽结构21导磁材料层211导磁线22导电材料层221导电线23黑化处理层24模具241凸起结构S1～S6步骤具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至图8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，虽图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。实施例一请参阅图1，本实施例提供一种透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法，所述透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法包括如下步骤：1)提供透明基底；2)于所述透明基底的上表面形成柔性材料层；3)于所述柔性材料层的上表面形成多个凹槽结构；4)于所述凹槽结构的底部形成导磁材料层，所述导磁材料层厚度小于所述凹槽结构的深度；所述导磁材料层包括多条导磁线，所述导磁线位于各所述凹槽结构内；5)于所述导磁材料层的上表面形成导电材料层，所述导电材料层与所述导磁材料层的厚度之和小于所述凹槽结构的深度；所述导电材料层包括多条导电线，所述导电线位于各所述凹槽结构内；6)于所述导电材料层的上表面形成黑化处理层，所述黑化处理层位于各所述凹槽结构内。在步骤1)中，请参阅图1中的S1步骤及图2，提供透明基底10。作为示例，所述透明基底10可以为刚性基底或柔性基底，所述刚性基底可以包括但不仅限于玻璃基底，所述柔性基底包括但不仅限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底、聚酰亚胺(PI)基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种透明电磁屏蔽薄膜结构，其特征在于，包括：透明基底；柔性材料层，位于所述透明基底的上表面，且所述柔性材料层的上表面形成有多个凹槽结构；导磁材料层，位于各所述凹槽结构的底部，且所述导磁材料层的厚度小于所述凹槽结构的深度；所述导磁材料层包括多条导磁线，所述导磁线位于各所述凹槽结构内；导电材料层，位于各所述凹槽结构内，且位于所述导磁材料层的上表面，所述导电材料层与所述导磁材料层的厚度之和小于所述凹槽结构的深度；所述导电材料层包括多条导电线，所述导电线位于各所述凹槽结构内；黑化处理层，位于各所述凹槽结构内，且位于所述导电材料层的上表面。

【技术特征摘要】
1.一种透明电磁屏蔽薄膜结构，其特征在于，包括：透明基底；柔性材料层，位于所述透明基底的上表面，且所述柔性材料层的上表面形成有多个凹槽结构；导磁材料层，位于各所述凹槽结构的底部，且所述导磁材料层的厚度小于所述凹槽结构的深度；所述导磁材料层包括多条导磁线，所述导磁线位于各所述凹槽结构内；导电材料层，位于各所述凹槽结构内，且位于所述导磁材料层的上表面，所述导电材料层与所述导磁材料层的厚度之和小于所述凹槽结构的深度；所述导电材料层包括多条导电线，所述导电线位于各所述凹槽结构内；黑化处理层，位于各所述凹槽结构内，且位于所述导电材料层的上表面。2.根据权利要求1所述的透明电磁屏蔽薄膜结构，其特征在于，所述透明基底包括玻璃基底、聚对苯二甲酸乙二醇酯基底、聚酰亚胺基底、聚碳酸酯基底或聚甲基丙烯酸甲酯基底；所述柔性材料层包括UV树脂层；所述导磁材料层包括铁层、镍层、铁镍合金层或镍钴合金层；所述导电材料层包括铜层、锌层、锡层、金层或银层；所述黑化处理层包括硫化层、锡镍合金层或碳层。3.根据权利要求1所述的透明电磁屏蔽薄膜结构，其特征在于，各所述凹槽结构独立分布或各所述凹槽结构相互连接呈网格状互连分布。4.根据权利要求1所述的透明电磁屏蔽薄膜结构，其特征在于，所述凹槽结构的宽度包括2微米～50微米，所述凹槽结构的深度包括2微米～50微米。5.一种透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法，其特征在于，所述透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法包括如下步骤：提供透明基底；于所述透明基底的上表面形成柔性材料层；于所述柔性材料层的上表面形成多个凹槽结构；于所述凹槽结构的底...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢自民，毛乃晔，郭向阳，陈春明，平财明，王庆军，
申请(专利权)人：苏州蓝沛光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32