单相整流换向电路制造技术

技术编号:21437978 阅读:26 留言:0更新日期:2019-06-22 13:46
本实用新型专利技术提供了一种单相整流换向电路,包括可控硅T1P、可控硅T2P、可控硅T3P、可控硅T4P、可控硅T1N、可控硅T2N、可控硅T3N和可控硅T4N,所述可控硅T1P的阳极和所述可控硅T2P的阴极分别连接L线电压,所述可控硅T3P的阳极和所述可控硅T4P的阴极分别连接N线电压,所述可控硅T1P的阴极和所述可控硅T3P的阴极分别相互连接后作为输出端,所述可控硅T2P的阳极和所述可控硅T4P的阳极分别接地;所述可控硅T1N反向并联在所述可控硅T1P的两端,所述可控硅T2N反向并联在所述可控硅T2P的两端,所述可控硅T3N反向并联在所述可控硅T3P的两端,所述可控硅T4N反向并联在所述可控硅T4P的两端。该单相整流换向电路具有设计科学、实用性强、结构简单、使用方便的优点。

【技术实现步骤摘要】
单相整流换向电路
本技术涉及了一种单相整流换向电路。
技术介绍
换向电源在多种工业场合应用较多,在大功率换向电源的应用领域,均采用机械开关或接触器等有触点的开关进行换向动作。这样的机械开关或触点的寿命受限于动作次数的问题,须经常更换或维护,给现场应用带来了诸多不便。为了解决以上存在的问题,人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术的不足,从而提供一种设计科学、实用性强、结构简单、使用方便的单相整流换向电路。为了实现上述目的,本技术所采用的技术方案是:一种单相整流换向电路,包括可控硅T1P、可控硅T2P、可控硅T3P、可控硅T4P、可控硅T1N、可控硅T2N、可控硅T3N和可控硅T4N,所述可控硅T1P的阳极和所述可控硅T2P的阴极分别连接L线电压,所述可控硅T3P的阳极和所述可控硅T4P的阴极分别连接N线电压,所述可控硅T1P的阴极和所述可控硅T3P的阴极分别相互连接后作为输出端,所述可控硅T2P的阳极和所述可控硅T4P的阳极分别接地;所述可控硅T1N反向并联在所述可控硅T1P的两端,所述可控硅T2N反向并联在所述可控硅T2P的两端,所述可控硅T3N反向并联在所述可控硅T3P的两端,所述可控硅T4N反向并联在所述可控硅T4P的两端。本技术相对现有技术具有实质性特点和进步,具体的说,本技术通过正反向并联的可控硅构成双向整流桥,实现可换向的整流开关功能,方便对单相电源进行整流和换向,解决机械开关的机械损伤问题,其具有设计科学、实用性强、结构简单、使用方便的优点。附图说明图1是本技术的电路结构示意图。具体实施方式下面通过具体实施方式,对本技术的技术方案做进一步的详细描述。如图1所示,一种单相整流换向电路,包括可控硅T1P、可控硅T2P、可控硅T3P、可控硅T4P、可控硅T1N、可控硅T2N、可控硅T3N和可控硅T4N,所述可控硅T1P的阳极和所述可控硅T2P的阴极分别连接L线电压,所述可控硅T3P的阳极和所述可控硅T4P的阴极分别连接N线电压,所述可控硅T1P的阴极和所述可控硅T3P的阴极分别相互连接后作为输出端,所述可控硅T2P的阳极和所述可控硅T4P的阳极分别接地;所述可控硅T1N反向并联在所述可控硅T1P的两端,所述可控硅T2N反向并联在所述可控硅T2P的两端,所述可控硅T3N反向并联在所述可控硅T3P的两端,所述可控硅T4N反向并联在所述可控硅T4P的两端。多个可控硅构成两个整流桥组,可控硅T1P、可控硅T2P、可控硅T3P和可控硅T4P构成P组整流桥组,可控硅T1N、可控硅T2N、可控硅T3N和可控硅T4N构成N组整流桥组。通过控制可控硅的启闭,控制整流桥组的换向工作。两组整流桥组交替工作,P组整流桥组工作时输出端输出正电压,N组整流桥工作时输出端输出负电压。两个整流桥组同一时间只有一个整流桥组工作,可共用同一个散热机构,简单方便。最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本技术的技术方案而非对其限制;尽管参照较佳实施例对本技术进行了详细的说明,所属领域的普通技术人员应当理解:依然可以对本技术的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换;而不脱离本技术技术方案的精神,其均应涵盖在本技术请求保护的技术方案范围当中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单相整流换向电路,其特征在于:包括可控硅T1P、可控硅T2P、可控硅T3P、可控硅T4P、可控硅T1N、可控硅T2N、可控硅T3N和可控硅T4N,所述可控硅T1P的阳极和所述可控硅T2P的阴极分别连接L线电压,所述可控硅T3P的阳极和所述可控硅T4P的阴极分别连接N线电压,所述可控硅T1P的阴极和所述可控硅T3P的阴极分别相互连接后作为输出端,所述可控硅T2P的阳极和所述可控硅T4P的阳极分别接地;所述可控硅T1N反向并联在所述可控硅T1P的两端,所述可控硅T2N反向并联在所述可控硅T2P的两端,所述可控硅T3N反向并联在所述可控硅T3P的两端,所述可控硅T4N反向并联在所述可控硅T4P的两端。

【技术特征摘要】
1.一种单相整流换向电路,其特征在于:包括可控硅T1P、可控硅T2P、可控硅T3P、可控硅T4P、可控硅T1N、可控硅T2N、可控硅T3N和可控硅T4N,所述可控硅T1P的阳极和所述可控硅T2P的阴极分别连接L线电压,所述可控硅T3P的阳极和所述可控硅T4P的阴极分别连接N线电压,所述可控硅T1P的阴极...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘月贺悦宸岳琼何乐陶何雄屈毅杨成毛舟张玉龙李忠桥
申请(专利权)人:湖北英特利电气有限公司
类型:新型
国别省市:湖北,42

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