一种显示基板及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示基板及其制备方法和显示装置。该显示基板包括：基底结构和设置在基底结构上方的显示结构，显示基板还包括用于驱动显示结构显示的驱动电路，驱动电路包括TFT电路和外围电路，TFT电路设置于基底结构与显示结构之间，外围电路用于驱动TFT电路，外围电路设置于基底结构的背离显示结构的一侧，且外围电路位于显示结构在基底结构上的正投影区域内，外围电路通过开设在基底结构中的过孔连接TFT电路。该显示基板能够实现无边框显示，从而有利于实现显示基板的无缝拼接显示。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制备方法和显示装置
本专利技术涉及头部运动检测
，具体地，涉及一种显示基板及其制备方法和显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，现今，全面屏技术逐渐成为手机等手持设备的主流技术，目前主要采用GOA(GateDriverOnArray)技术实现左右边框的窄型化，采用COF(ChipOnFilm)技术实现下边框的窄型化，虽然显示屏的边框变得越来越窄，但目前仍然无法实现无边框的显示屏。为了实现大尺寸拼接显示屏的无缝显示，真正无边框显示屏的实现迫在眉睫。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种显示基板及其制备方法和显示装置。该显示基板能够实现无边框显示，从而有利于实现显示基板的无缝拼接显示。本专利技术提供一种显示基板，包括：基底结构和设置在所述基底结构上方的显示结构，所述显示基板还包括用于驱动所述显示结构显示的驱动电路，所述驱动电路包括TFT电路和外围电路，所述TFT电路设置于所述基底结构与所述显示结构之间，所述外围电路用于驱动所述TFT电路，所述外围电路设置于所述基底结构的背离所述显示结构的一侧，且所述外围电路位于所述显示结构在所述基底结构上的正投影区域内，所述外围电路通过开设在所述基底结构中的过孔连接所述TFT电路。优选地，所述显示结构包括多个液晶像素单元。优选地，所述显示结构包括多个自发光单元。优选地，所述自发光单元包括LED元件或OLED元件。优选地，所述显示结构包括透光区域和不透光区域，所述外围电路位于所述显示结构的不透光区域。优选地，所述基底结构包括绝缘层和缓冲层，所述绝缘层和所述缓冲层相互叠置，所述TFT电路设置于所述缓冲层背离所述绝缘层的一侧，所述外围电路设置于所述绝缘层背离所述缓冲层的一侧。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述显示基板。本专利技术还提供一种上述显示基板的制备方法，包括：在基底结构上方形成TFT电路和显示结构，所述显示基板的制备方法还包括：在所述基底结构中形成过孔；在所述基底结构的背离所述显示结构的一侧形成外围电路，所述外围电路通过所述过孔连接所述TFT电路。优选地，在所述基底结构中形成过孔包括：采用具有过孔图案的氧化硅或氮化硅掩膜板对所述基底结构进行干刻工艺，形成所述过孔的图形；在完成上述步骤的所述基底结构上沉积导电种子层，并将所述导电种子层图形化，保留所述过孔所在区域的所述导电种子层，去除所述过孔以外区域的所述导电种子层；在完成上述步骤的所述基底结构上电镀导电膜层，所述导电膜层对应形成于所述过孔所在区域，并将所述过孔填满。优选地，先在所述基底结构上形成所述TFT电路和所述显示结构；然后在所述基底结构中形成所述过孔；最后在所述基底结构上形成所述外围电路；或者，先在所述基底结构中形成所述过孔；然后在所述基底结构上形成所述外围电路；最后在所述基底结构上形成所述TFT电路和所述显示结构。本专利技术的有益效果：本专利技术所提供的显示基板，通过将驱动电路中原本设置在显示基板边框区域的外围电路设置于基底结构的背离显示结构的一侧，且使其位于显示结构在基底结构上的正投影区域内，能使该显示基板外围电路的设置无需再占用边框区域，从而能够实现显示基板的无边框，进而有利于实现显示基板的无缝拼接显示。本专利技术所提供的显示装置，通过采用上述显示基板，能使该显示装置实现无边框显示，从而有利于实现该显示装置的无缝拼接显示。附图说明图1为本专利技术实施例1中显示基板的结构剖视示意图；图2为本专利技术实施例1中在基底结构中形成过孔的步骤S101的结构剖视示意图；图3为本专利技术实施例1中在基底结构中形成过孔的步骤S102的结构剖视示意图；图4为本专利技术实施例1中在基底结构中形成过孔的步骤S103的结构剖视示意图。其中的附图标记说明：1.基底结构；11.过孔；12.绝缘层；13.缓冲层；2.显示结构；3.驱动电路；31.TFT电路；32.外围电路；4.掩膜板；5.导电种子层；6.导电膜层。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术所提供的一种显示基板及其制备方法和显示装置作进一步详细描述。实施例1：本实施例提供一种显示基板，如图1所示，包括：基底结构1和设置在基底结构1上方的显示结构2，显示基板还包括用于驱动显示结构2显示的驱动电路3，驱动电路3包括TFT电路31和外围电路32，TFT电路31设置于基底结构1与显示结构2之间，外围电路32用于驱动TFT电路31，外围电路32设置于基底结构1的背离显示结构2的一侧，且外围电路32位于显示结构2在基底结构1上的正投影区域内，外围电路32通过开设在基底结构1中的过孔11连接TFT电路31。其中，外围电路32指的是用于驱动TFT电路工作的这部分驱动电路，外围电路32包括栅极驱动电路、数据线驱动电路以及其他的一些控制电路。目前，通常将外围电路32设置在显示基板的边框区域。通过将驱动电路3中原本设置在显示基板边框区域的外围电路32设置于基底结构1的背离显示结构2的一侧，且使其位于显示结构2在基底结构1上的正投影区域内，能使该显示基板外围电路32的设置无需再占用边框区域，从而能够实现显示基板的无边框，进而有利于实现显示基板的无缝拼接显示。本实施例中，显示结构2包括多个自发光单元。其中，多个自发光单元排布呈阵列。自发光单元包括LED元件或OLED元件，即显示基板为LED显示基板或OLED显示基板。本实施例中，自发光单元为micro-LED元件。显示基板上具有多个micro-LED元件的显示结构2为现有的比较成熟的micro-LED显示结构，其具体膜层结构这里不再赘述。另外，显示基板上具有多个OLED元件的显示结构2也为现有的比较成熟的OLED显示结构，其具体膜层结构这里也不再赘述。本实施例中，显示结构2包括透光区域和不透光区域，外围电路32位于显示结构2的不透光区域。其中，显示结构2的透光区域指显示结构2的像素区，对于micro-LED显示结构而言，像素区为micro-LED元件设置区域，不透光区域为micro-LED元件设置区域以外的区域，这些区域通常用于设置数据线、栅线、TFT等电路，所以设置为不透光区域。将外围电路32设置于显示结构2的不透光区域，能使外围电路32的设置不会遮挡显示结构2的透光区域，从而避免外围电路32的设置对显示结构2正常显示的影响，进而避免对显示基板的显示开口率造成影响。本实施例中，基底结构1包括绝缘层12和缓冲层13，绝缘层12和缓冲层13相互叠置，TFT电路31设置于缓冲层13背离绝缘层12的一侧，外围电路32设置于绝缘层12背离缓冲层13的一侧。其中，缓冲层13采用绝缘材料制成，缓冲层13的设置有利于TFT电路31的制备，即能使TFT电路31很好地形成于缓冲层13上。绝缘层12采用柔性材料(如聚酰亚胺)制成，有利于实现显示基板的柔性显示，同时能使外围电路32很好地形成于其上。需要说明的是，本实施例中，TFT电路31的用于与外围电路32连接的信号线或信号端可以直接设置于缓冲层13上，也可以设置于缓冲层13上方的任意绝缘膜层上，当TFT电路31的用于与外围电路32连接的信号线或信号端直接设置于缓冲层13上时，通过开设在基底结构1中的过孔11，就能够实现TFT电路31与外围电路32的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，包括：基底结构和设置在所述基底结构上方的显示结构，所述显示基板还包括用于驱动所述显示结构显示的驱动电路，所述驱动电路包括TFT电路和外围电路，所述TFT电路设置于所述基底结构与所述显示结构之间，所述外围电路用于驱动所述TFT电路，其特征在于，所述外围电路设置于所述基底结构的背离所述显示结构的一侧，且所述外围电路位于所述显示结构在所述基底结构上的正投影区域内，所述外围电路通过开设在所述基底结构中的过孔连接所述TFT电路。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，包括：基底结构和设置在所述基底结构上方的显示结构，所述显示基板还包括用于驱动所述显示结构显示的驱动电路，所述驱动电路包括TFT电路和外围电路，所述TFT电路设置于所述基底结构与所述显示结构之间，所述外围电路用于驱动所述TFT电路，其特征在于，所述外围电路设置于所述基底结构的背离所述显示结构的一侧，且所述外围电路位于所述显示结构在所述基底结构上的正投影区域内，所述外围电路通过开设在所述基底结构中的过孔连接所述TFT电路。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示结构包括多个液晶像素单元。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示结构包括多个自发光单元。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述自发光单元包括LED元件或OLED元件。5.根据权利要求1-4任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示结构包括透光区域和不透光区域，所述外围电路位于所述显示结构的不透光区域。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述基底结构包括绝缘层和缓冲层，所述绝缘层和所述缓冲层相互叠置，所述TFT电路设置于所述缓冲层背离所述绝缘层的一侧，所述外围电路设置于所述绝缘层背离所述缓冲层的一侧。7.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾仁权，姚琪，柳在一，刘英伟，梁志伟，狄沐昕，黎午升，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11