一种高功率密度COB器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高功率密度COB器件，包括基板、位于所述基板上的导电焊盘、至少一个安装于所述导电焊盘上的第一LED芯片、至少一个安装于所述第一LED芯片上的第二LED芯片以及覆盖所有第一LED芯片和第二LED芯片的封装胶；所述第一LED芯片包括第一衬底以及安装于所述第一衬底上的第一发光层，所述第一衬底为透明衬底；所述第二LED芯片包括第二衬底以及安装于所述第二衬底上的第二发光层，所述第二衬底为透明衬底。本实用新型专利技术提供的高功率密度COB器件，通过将第二LED芯片安装于所述第一LED芯片上的层叠式设计，提高相同面积内部的LED芯片的安放数量，从而提高COB器件的功率密度，尤其适用于安装面积小、亮度要求高的安装环境。

【技术实现步骤摘要】
一种高功率密度COB器件
本技术涉及LED封装
，尤其涉及一种高功率密度COB器件。
技术介绍
LED作为新一代光源，具有节能、环保、安全、寿命长、低功耗、低热、高亮度、防水、微型、防震、易调光、光束集中、维护简便等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。COB光源封装，即板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，LED芯片贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。随着COB照明产品的广泛应用，对于一些安装面积小，出光亮度要求高的COB产品，现有的做法是尽可能密集的设置LED芯片，但是，仍然不能满足市场需求。因此有必要提出一种高功率密度的COB器件，解决上述问题。本技术提出一种高功率密度的COB器件，在倒装LED芯片的上面堆叠设置正装LED芯片，提高了COB器件的功率密度。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种高功率密度的COB器件，在倒装LED芯片的上面堆叠设置正装LED芯片，提高了COB器件的功率密度。为了解决上述技术问题，本技术提出一种高功率密度COB器件，包括基板、位于所述基板上的导电焊盘、至少一个安装于所述导电焊盘上的第一LED芯片、至少一个安装于所述第一LED芯片上的第二LED芯片以及覆盖所有第一LED芯片和第二LED芯片的封装胶；所述第一LED芯片包括第一衬底以及安装于所述第一衬底上的第一发光层，所述第一衬底为透明衬底；所述第二LED芯片包括第二衬底以及安装于所述第二衬底上的第二发光层，所述第二衬底为透明衬底。优选地，所述第一LED芯片为倒装LED芯片，包括第一衬底、安装于所述第一衬底上的第一发光层以及用于实现导电的第一电极，所述第一衬底、第一发光层以及第一电极依次设置。优选地，所述第二LED芯片为正装LED芯片，包括第二衬底、安装于所述第二衬底上的第二发光层以及用于实现电连接的第二电极。优选地，所述第二衬底的面积小于所述第一衬底的面积。优选地，还包括导线，所述导线一端与所述第二LED芯片的第二电极相连接，另一端与所述导电焊盘相连接。优选地，所述基板为陶瓷基板；所述导电焊盘为印刷于所述基板表面的金属层。优选地，所述基板为金属基板；所述导电焊盘之间填充有绝缘材料，用以实现导电焊盘之间的绝缘。优选地，所述第一衬底为透明氧化铝衬底或透明碳化硅衬底。优选地，所述第二衬底为透明氧化铝衬底或透明碳化硅衬底。优选地，所述封装胶为硅胶与荧光粉的混合物。与现有技术相比，本技术的有益效果在于：1、本技术提供的高功率密度COB器件，通过将第二LED芯片安装于所述第一LED芯片上的层叠式设计，提高相同面积内部的LED芯片的安放数量，从而提高COB器件的功率密度，尤其适用于安装面积小、亮度要求高的安装环境。2、本技术提供的高功率密度COB器件，由于所述第一衬底和所述第二衬底均为透明衬底，便于第一LED芯片和第二LED芯片发出的光均能够顺利的射出，提高COB器件的出光效率，另一方面，所述第一衬底的面积大于所述第二衬底的面积，保证第二LED芯片能够顺利的安放于所述第一LED芯片的表面，提高COB器件的可靠性。附图说明图1为本技术高功率密度COB器件的结构示意图；图2为本技术高功率密度COB器件的第一LED芯片的结构示意图；图3为本技术高功率密度COB器件的第二LED芯片的结构示意图。具体实施方式为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图和优选实施例对本技术作进一步的详细说明。如图1-3所示，一种高功率密度COB器件，包括基板1、位于所述基板1上的导电焊盘2、至少一个安装于所述导电焊盘2上的第一LED芯片3、至少一个安装于所述第一LED芯片3上的第二LED芯片4以及覆盖所有第一LED芯片3和第二LED芯片4的封装胶5；所述第一LED芯片3包括第一衬底31以及安装于所述第一衬底31上的第一发光层32，所述第一衬底31为透明衬底；所述第二LED芯片4包括第二衬底41以及安装于所述第二衬底41上的第二发光层42，所述第二衬底41为透明衬底。所述基板1用于安装所述导电焊盘2、第一LED芯片3以及第二LED芯片4，其可以为陶瓷基板，也可以为金属基板，具体根据实际需要，选择所述基板1的类型。所述导电焊盘2位于所述基板1上，当所述基板1为陶瓷基板时，所述陶瓷基板为氮化铝基板或氧化铝基板，所述导电焊盘2为印刷于所述基板1表面的金属层；当所述基板1为金属基板时，所述金属基板为铜基板或铝基板，所述导电焊盘2之间填充有绝缘材料，用以实现导电焊盘之间的绝缘，所述导电焊盘2实现所述第一LED芯片3以及第二LED芯片4与外界电源之间的电连接。所述第一LED芯片3安装于所述导电焊盘2上，其为倒装LED芯片，包括第一衬底31、安装于所述第一衬底31上的第一发光层32以及用于实现导电的第一电极33，所述第一衬底31、第一发光层32以及第一电极33依次设置，所述第一衬底31用于支撑所述第一发光层32以及第一电极33，其为透明衬底，具体的，所述第一衬底31为透明氧化铝衬底或透明碳化硅衬底。所述第一电极33用于实现所述第一LED芯片3的导电，其与所述导电焊盘2相连接，本实施例中，所述第一电极33通过锡膏焊接于所述导电焊盘2上。所述第二LED芯片4安装于所述第一LED芯片3的上表面，其为正装LED芯片，包括第二衬底41、安装于所述第二衬底41上的第二发光层42以及用于实现电连接的第二电极43，所述第二衬底41为透明衬底，其面积小于所述第一衬底31的面积。具体的，所述第二衬底41为透明氧化铝衬底或透明碳化硅衬底。为了实现所述第二LED芯片4的电连接，所述高功率密度COB器件还包括导线6，所述导线6一端与所述第二LED芯片4的第二电极43相连接，另一端与所述导电焊盘2相连接。此处需要说明的是，由于所述第一衬底31和所述第二衬底41均为透明衬底，便于第一LED芯片3和第二LED芯片4发出的光均能够顺利的射出，提高COB器件的出光效率，另一方面，所述第一衬底31的面积大于所述第二衬底41的面积，保证第二LED芯片4能够顺利的安放于所述第一LED芯片3的表面，提高COB器件的可靠性。所述封装胶5位于所述基板1上覆盖所有第一LED芯片3及第二LED芯片4，将所述第一LED芯片3及第二LED芯片4包覆于其内部，保护所述第一LED芯片3及第二LED芯片4。所述封装胶5为荧光胶，具体的，所述封装胶5为硅胶与荧光粉的混合物。与现有技术相比，本技术的有益效果在于：1、本技术提供的高功率密度COB器件，通过将第二LED芯片安装于所述第一LED芯片上的层叠式设计，提高相同面积内部的LED芯片的安放数量，从而提高COB器件的功率密度，尤其适用于安装面积小、亮度要求高的安装环境。2、本技术提供的高功率密度COB器件，由于所述第一衬底和所述第二衬底均为透明衬底，便于第一LED芯片和第二LED芯片发出的光均能够顺利的射出，提高COB器件的出光效率，另一方面，所述第一衬底的面积大于所述第二衬底的面积，保证第二LED芯片能够顺利的安放于所述第一LED芯片的表面，提高COB器件的可靠性。以上所述是本技术的优选实施方式，应当指出，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高功率密度COB器件，其特征在于，包括基板、位于所述基板上的导电焊盘、至少一个安装于所述导电焊盘上的第一LED芯片、至少一个安装于所述第一LED芯片上的第二LED芯片以及覆盖所有第一LED芯片和第二LED芯片的封装胶；所述第一LED芯片包括第一衬底以及安装于所述第一衬底上的第一发光层，所述第一衬底为透明衬底；所述第二LED芯片包括第二衬底以及安装于所述第二衬底上的第二发光层，所述第二衬底为透明衬底。

【技术特征摘要】
1.一种高功率密度COB器件，其特征在于，包括基板、位于所述基板上的导电焊盘、至少一个安装于所述导电焊盘上的第一LED芯片、至少一个安装于所述第一LED芯片上的第二LED芯片以及覆盖所有第一LED芯片和第二LED芯片的封装胶；所述第一LED芯片包括第一衬底以及安装于所述第一衬底上的第一发光层，所述第一衬底为透明衬底；所述第二LED芯片包括第二衬底以及安装于所述第二衬底上的第二发光层，所述第二衬底为透明衬底。2.根据权利要求1所述的高功率密度COB器件，其特征在于，所述第一LED芯片为倒装LED芯片，包括第一衬底、安装于所述第一衬底上的第一发光层以及用于实现导电的第一电极，所述第一衬底、第一发光层以及第一电极依次设置。3.根据权利要求1所述的高功率密度COB器件，其特征在于，所述第二LED芯片为正装LED芯片，包括第二衬底、安装于所述第二衬底上的第二发光层以及用于实现电连接的第二电极。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：王孟源，曾伟强，董挺波，
申请(专利权)人：佛山市中昊光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44