一种硅基异质结太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术提供一种硅基异质结太阳能电池，所述硅基异质结太阳能电池包括N型单晶硅片，所述N型单晶硅片具有相背设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上由内至外依次设置有第一本征钝化层、N型背场层、第一透明导电层和第一电极，在所述第二表面上由内至外依次设置有第二本征钝化层、P型发射极层、第二透明导电层和第二电极；其中，在所述第一透明导电层和所述N型背场层之间还设置有透明导电膜缓冲层。这样，可以使所述第一透明导电层与所述N型非晶或微晶硅层之间的接触电阻较低。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基异质结太阳能电池
本技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种硅基异质结太阳能电池。
技术介绍
硅基异质结太阳能电池具有较高的光电转化效率以及较低的温度系数，是太阳能电池的重要发展方向，具有广阔的市场前景和研究意义。透明导电层是硅基异质结太阳能电池的重要部分，其不仅是电池的陷光减反层，还负责收集电池的载流子。然而，透明导电层是N型半导体，其与硅基异质结太阳能电池的N型非晶或微晶硅层之间存在较高的接触电阻，从而导致电池效率较低。
技术实现思路
本技术实施例的目的在于提供一种硅基异质结太阳能电池，解决了透明导电层与硅基异质结太阳能电池的N型非晶或微晶硅层之间存在较高的接触电阻的问题。为达上述目的，本技术实施例提供一种硅基异质结太阳能电池，包括：包括N型单晶硅片，所述N型单晶硅片具有相背设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上由内至外依次设置有第一本征钝化层、N型背场层、第一透明导电层和第一电极，在所述第二表面上由内至外依次设置有第二本征钝化层、P型发射极层、第二透明导电层和第二电极；其中，在所述第一透明导电层和所述N型背场层之间还设置有透明导电膜缓冲层。可选的，所述透明导电膜缓冲层包括氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基异质结太阳能电池，其特征在于，包括N型单晶硅片，所述N型单晶硅片具有相背设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上由内至外依次设置有第一本征钝化层、N型背场层、第一透明导电层和第一电极，在所述第二表面上由内至外依次设置有第二本征钝化层、P型发射极层、第二透明导电层和第二电极；其中，在所述第一透明导电层和所述N型背场层之间还设置有透明导电膜缓冲层。

【技术特征摘要】
1.一种硅基异质结太阳能电池，其特征在于，包括N型单晶硅片，所述N型单晶硅片具有相背设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上由内至外依次设置有第一本征钝化层、N型背场层、第一透明导电层和第一电极，在所述第二表面上由内至外依次设置有第二本征钝化层、P型发射极层、第二透明导电层和第二电极；其中，在所述第一透明导电层和所述N型背场层之间还设置有透明导电膜缓冲层。2.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述透明导电膜缓冲层包括氧化铟锡缓冲层、掺铝氧化锌AZO缓冲层和掺钨氧化铟IWO缓冲层中的至少一种。3.根据权利要求2所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述透明导电膜缓冲层为经过快速退火处理所形成的所述掺铝氧化锌AZO缓冲层。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：董刚强，崔鸽，郁操，李沅民，徐希翔，
申请(专利权)人：君泰创新北京科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11