芯片切割用UV減粘膜制造技术

本发明专利技术公开了芯片切割用UV減粘膜，包括丙烯酸树脂、环氧树脂交连剂共聚合的胶料、多元不饱和树脂、起始剂混合液和抗静电剂，所述丙烯酸树脂是丙烯酸、甲基丙烯酸及其衍生物聚合物的总称，丙烯酸树脂涂料就是以(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯为主体，同其他丙烯酸酯共聚所得丙烯酸树脂制得的热塑性或热固性树脂涂料，或丙烯酸辐射涂料，減粘膜采用特殊研发的玻化温度为‑25～‑35℃的丙烯酸树脂；本发明专利技术采用自行研发的玻化温度为‑25～‑35℃的丙烯酸树脂，采用自行开发之PO底材，是属于一种环保型材料，有异于国外进口之聚氯乙烯(有毒物质)，环氧树脂交连剂共聚合的胶料，烃基高5％以上，不仅使用简单，同时降低了工作难度。

【技术实现步骤摘要】
芯片切割用UV減粘膜
本专利技术属于減粘膜
，具体涉及芯片切割用UV減粘膜。
技术介绍
UV胶带的结构是底材为PVC膜(聚氯乙烯以下称PVC膜)、UV胶层、离型保护膜(PET离型保护膜以下称离型保护膜)，在使用时为将离型保护膜撕开黏贴于晶圆背面，当切割(划片)加工完成后，经由紫外线从PVC方向照射，其胶带的黏着力急速降低近乎于零，以便于挑捡。现有的国内采用丙烯酸树脂不适当，以致于黏着效果差、附着力、内聚力不足，易飞晶、易残胶，同时国内多采用3个碳-碳双键的不饱和树脂，胶带降黏差，照射紫外线后黏着力约50g/20mm，完全无法挑拣，内聚力也相对的低，容易发生残胶，不仅增加了工作难度，同时耽搁了工作的顺利进展，带来了经济损失的问题，为此我们提出芯片切割用UV減粘膜。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供芯片切割用UV減粘膜，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的国内采用丙烯酸树脂不适当，以致于黏着效果差、附着力、内聚力不足，易飞晶、易残胶，同时国内多采用3个碳-碳双键的不饱和树脂，胶带降黏差，照射紫外线后黏着力约50g/20mm，完全无法挑拣，内聚力也相对的低，容易发生残胶，不仅增加了工作难度，同时耽搁了工作的顺利进展，带来了经济损失等问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：芯片切割用UV減粘膜，包括丙烯酸树脂、环氧树脂交连剂共聚合的胶料、多元不饱和树脂、起始剂混合液和抗静电剂，所述丙烯酸树脂是丙烯酸、甲基丙烯酸及其衍生物聚合物的总称，丙烯酸树脂涂料就是以(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯为主体，同其他丙烯酸酯共聚所得丙烯酸树脂制得的热塑性或热固性树脂涂料，或丙烯酸辐射涂料，減粘膜采用特殊研发的玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂，改善胶层过软或过硬的缺点，避免晶圆背面残胶与铁环(Frame)贴合脱离、切割晶圆(Wafer)之背崩及间格纸(泰维克纸)沾黏。优选的，所述环氧树脂交连剂共聚合的胶料烃基高5％以上，使胶料网状交连、与PVC薄膜间的凡德瓦尔力大幅提高，使附着力与内聚力大幅增强，能加工出超薄微成品晶圆(国内同类产品采用丁基丙烯酸胶料，聚氨酯硬化剂，烃基小，胶料呈线状无网状交连、与聚氯乙烯薄膜间的凡德瓦尔力低，附着力与内聚力低，只能加工出较大尺寸的成品晶圆)；改善晶圆(Wafer)切割时脱胶。优选的，所述多元不饱和树脂是指由二元酸和二元醇经缩聚反应而生成的含有不饱和双键的高分子化合物，本专利技术采用单一分子含多个碳-碳双键的多元不饱和树脂，增加光交连反应。优选的，所述起始剂混合液为特殊研制的吸收波长为265nm～410nm光起始剂混合液，使聚氯乙烯薄膜遮蔽紫外线吸收波段的效应降低，使胶带降黏效果大幅提升，使挑拣率为100％。优选的，所述研制的吸收波长为265nm～410nm光起始剂混合液，使PO薄膜遮蔽紫外线吸收波段的效应降低，使胶带降黏效果大幅提升，使挑拣率为100％。优选的，所述抗静电剂是添加在塑料之中或涂敷于模塑制品的表面，以达到减少静电积累目的的一类添加剂，通常根据使用方法的不同,抗静电剂可分为内加型和外涂型两大类，用于塑料的主要是内加型抗静电剂，UV減粘膜采用有机金属抗静电剂。优选的，所述生产配方为以下步骤：步骤一：玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂50％～100％步骤二：环氧树脂交联剂0％～5％步骤三：6个碳-碳双键的多元不饱和树脂0％～50％步骤四：光起始剂混合液0％～10％步骤五：有机金属抗静电剂0％～3％。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：1.本专利技术采用自行研发的玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂，采用自行开发之PO底材，是属于一种环保型材料，有异于国外进口之聚氯乙烯(有毒物质)，环氧树脂交连剂共聚合的胶料，烃基高5％以上，使胶料网状交连、与PO薄膜间的凡德瓦尔力大幅提高，使附着力与内聚力大幅增强，能加工出超薄微成品晶圆，不仅使用简单，同时降低了工作难度，减少了经济损失，增加了工作效率和经济效益。2.本专利技术采用单一分子含6个碳-碳双键的多元不饱和树脂，增加光交连反应，同时采用自行研制的吸收波长为265nm～410nm光起始剂混合液，使PO薄膜遮蔽紫外线吸收波段的效应降低，使胶带降黏效果大幅提升，使挑拣率为100％，采用有机金属抗静电剂。附图说明图1为本专利技术的UV减粘膜减粘效果图；图2为本专利技术的集成电路制作工艺流程图；图3为本专利技术的封装工艺流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1至图3，本专利技术提供一种技术方案：芯片切割用UV減粘膜，包括丙烯酸树脂、环氧树脂交连剂共聚合的胶料、多元不饱和树脂、起始剂混合液和抗静电剂，丙烯酸树脂是丙烯酸、甲基丙烯酸及其衍生物聚合物的总称，丙烯酸树脂涂料就是以(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯为主体，同其他丙烯酸酯共聚所得丙烯酸树脂制得的热塑性或热固性树脂涂料，或丙烯酸辐射涂料，減粘膜采用特殊研发的玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂，改善胶层过软或过硬的缺点，避免晶圆背面残胶与铁环(Frame)贴合脱离、切割晶圆(Wafer)之背崩及间格纸(泰维克纸)沾黏，本专利技术采用自行研发的玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂，采用自行开发之PO底材，是属于一种环保型材料，有异于国外进口之聚氯乙烯(有毒物质)，环氧树脂交连剂共聚合的胶料，烃基高5％以上，使胶料网状交连、与PO薄膜间的凡德瓦尔力大幅提高，使附着力与内聚力大幅增强，能加工出超薄微成品晶圆，不仅使用简单，同时降低了工作难度，减少了经济损失，增加了工作效率和经济效益。为了增加减粘膜的紧固性，本实施例中，优选的，环氧树脂交连剂共聚合的胶料烃基高5％以上，使胶料网状交连、与PVC薄膜间的凡德瓦尔力大幅提高，使附着力与内聚力大幅增强，能加工出超薄微成品晶圆(国内同类产品采用丁基丙烯酸胶料，聚氨酯硬化剂，烃基小，胶料呈线状无网状交连、与聚氯乙烯薄膜间的凡德瓦尔力低，附着力与内聚力低，只能加工出较大尺寸的成品晶圆)；改善晶圆(Wafer)切割时脱胶，本专利技术采用单一分子含6个碳-碳双键的多元不饱和树脂，增加光交连反应，同时采用自行研制的吸收波长为265nm～410nm光起始剂混合液，使PO薄膜遮蔽紫外线吸收波段的效应降低，使胶带降黏效果大幅提升，使挑拣率为100％，采用有机金属抗静电剂。为了增加减粘膜的功能性，本实施例中，优选的，多元不饱和树脂是指由二元酸和二元醇经缩聚反应而生成的含有不饱和双键的高分子化合物，本专利技术采用单一分子含多个碳-碳双键的多元不饱和树脂，增加光交连反应。为了使得减粘膜的使用效果更佳，本实施例中，优选的，起始剂混合液为特殊研制的吸收波长为265nm～410nm光起始剂混合液，使聚氯乙烯薄膜遮蔽紫外线吸收波段的效应降低，使胶带降黏效果大幅提升，使挑拣率为100％。为了增加减粘膜的便捷性，本实施例中，优选的，研制的吸收波长为265nm～410nm光起始剂混合液，使PO薄膜遮蔽紫外线吸收波段的效应降低，使胶带降黏效果大幅提升，使挑拣率为100％。为了增加减粘膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.芯片切割用UV減粘膜，包括丙烯酸树脂、环氧树脂交连剂共聚合的胶料、多元不饱和树脂、起始剂混合液和抗静电剂，其特征在于：所述丙烯酸树脂是丙烯酸、甲基丙烯酸及其衍生物聚合物的总称，丙烯酸树脂涂料就是以(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯为主体，同其他丙烯酸酯共聚所得丙烯酸树脂制得的热塑性或热固性树脂涂料，或丙烯酸辐射涂料，減粘膜采用特殊研发的玻化温度为‑25～‑35℃的丙烯酸树脂，改善胶层过软或过硬的缺点，避免晶圆背面残胶与铁环(Frame)贴合脱离、切割晶圆(Wafer)之背崩及间格纸(泰维克纸)沾黏。

【技术特征摘要】
1.芯片切割用UV減粘膜，包括丙烯酸树脂、环氧树脂交连剂共聚合的胶料、多元不饱和树脂、起始剂混合液和抗静电剂，其特征在于：所述丙烯酸树脂是丙烯酸、甲基丙烯酸及其衍生物聚合物的总称，丙烯酸树脂涂料就是以(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯为主体，同其他丙烯酸酯共聚所得丙烯酸树脂制得的热塑性或热固性树脂涂料，或丙烯酸辐射涂料，減粘膜采用特殊研发的玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂，改善胶层过软或过硬的缺点，避免晶圆背面残胶与铁环(Frame)贴合脱离、切割晶圆(Wafer)之背崩及间格纸(泰维克纸)沾黏。2.根据权利要求1所述的芯片切割用UV減粘膜，其特征在于：所述环氧树脂交连剂共聚合的胶料烃基高5％以上，使胶料网状交连、与PVC薄膜间的凡德瓦尔力大幅提高，使附着力与内聚力大幅增强，能加工出超薄微成品晶圆(国内同类产品采用丁基丙烯酸胶料，聚氨酯硬化剂，烃基小，胶料呈线状无网状交连、与聚氯乙烯薄膜间的凡德瓦尔力低，附着力与内聚力低，只能加工出较大尺寸的成品晶圆)；改善晶圆(Wafer)切割时脱胶。3.根据权利要求1所述的芯片切割用UV減粘膜，其特征在于：所述多元不饱和树脂是指由二元酸和二元醇经缩聚反应而生成的含有不饱和双键的高分子化合物，本发明采...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏枝巧，朱秀梅，
申请(专利权)人：上海百卡新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31