芯片切割用UV減粘膜制造技术

本发明专利技术公开了芯片切割用UV減粘膜，包括丙烯酸树脂、环氧树脂交联剂共聚合的胶料、多元不饱和树脂、起始剂混合液和抗静电剂，所述丙烯酸树脂是丙烯酸、甲基丙烯酸及其衍生物聚合物的总称，丙烯酸树脂涂料就是以(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯为主体，同其他丙烯酸酯共聚所得丙烯酸树脂制得的热塑性或热固性树脂涂料，或丙烯酸辐射涂料，減粘膜采用特殊研发的玻化温度为

【技术实现步骤摘要】
芯片切割用UV減粘膜
[0001]本申请是申请日为2019年03月20日、申请号为201910214845.3、专利技术名称为《芯片切割用UV減粘膜》的分案申请。


[0002]本专利技术属于減粘膜
，具体涉及芯片切割用UV減粘膜。

技术介绍

[0003]UV胶带的结构是底材为PVC膜(聚氯乙烯以下称PVC膜)、UV胶层、离型保护膜(PET离型保护膜以下称离型保护膜)，在使用时为将离型保护膜撕开黏贴于晶圆背面，当切割(划片)加工完成后，经由紫外线从PVC方向照射，其胶带的黏着力急速降低近乎于零，以便于挑捡。
[0004]现有的国内采用丙烯酸树脂不适当，以致于黏着效果差、附着力、内聚力不足，易飞晶、易残胶，同时国内多采用3个碳
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碳双键的不饱和树脂，胶带降黏差，照射紫外线后黏着力约50g/20mm，完全无法挑拣，内聚力也相对的低，容易发生残胶，不仅增加了工作难度，同时耽搁了工作的顺利进展，带来了经济损失的问题，为此我们提出芯片切割用UV減粘膜。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.芯片切割用UV減粘膜，包括丙烯酸树脂、环氧树脂交联剂共聚合的胶料、多元不饱和树脂、起始剂混合液和抗静电剂，其特征在于：所述丙烯酸树脂为玻化温度为
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25～
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35℃的丙烯酸树脂，所述环氧树脂交联剂共聚合的胶料烃基高5％以上，所述多元不饱和树脂为单一分子含多个碳
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碳双键的多元不饱和树脂，所述起始剂混合液为吸收波长为265nm～410nm光起始剂混合液，所述抗静电剂为有机金属抗静电剂。2.根据权利要求1所述的芯片切割用UV減粘膜，其特征在于，所述UV減粘膜的生产配方为：玻化温度为
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25～
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35℃的丙烯酸树脂50％～100％环氧树脂交联...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏枝巧，朱秀梅，
申请(专利权)人：上海百卡新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：