The utility model provides a negative voltage turn-off circuit of SiC MOS transistor, that is, a negative voltage module is added to the driving circuit of SiC MOS transistor, which generates a negative voltage between the GS poles of SiC MOS transistor when it is turned off, so as to realize negative voltage turn-off. The driving circuit of SiC MOS transistor mainly includes driving chip, power supply voltage, bootstrap capacitor, on-resistance, turn-off resistor and turn-off diode. In the driving circuit, a negative voltage module composed of voltage regulator diode and capacitor in parallel is added. The utility model makes the SiC MOS transistor turn off under negative pressure, so as to reduce the turn-off time, reduce the turn-off loss of the switch and raise the working frequency of the switch.
【技术实现步骤摘要】
一种SiCMOS管负压关断电路
本技术属于驱动电路领域,特别涉及一种SiCMOS管负压关断电路。
技术介绍
MOS管,是金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)的简称,SiCMOS管是近些年来在MOS管基础上发展起来的新型功率器件,由于采用了SiC材料,SiCMOS管的开关频率更高,功率更大,因此其广泛应用于电动汽车充电、电机控制、光伏逆变等领域。在SiCMOS管的高频大功率应用中,系统的工作频率和开关损耗主要受到SiCMOS管开关时间的影响,开关时间越长,开关损耗越大,工作频率越低,因此,开关时间是制约SiCMOS工作频率的主要因素,人们总是想方设法的减小SiCMOS管的开通时间和关断时间。目前,减小SiCMOS管的开通时间的方法为减小导通电阻和增大驱动电流,但是减小导通电阻会造成驱动电压的震荡,引起振铃现象,给电路中的其他元器件造成很大的电压应力,因此不能一味的减小导通电阻;增大驱动电流对驱动电源和驱动芯片提出很高要求,会使得成本急剧增加,同时,这两种方法的应用已经使得开通时间无法再小了,人们便把目光投向减小关断时间。目前主流的做法是减小关断电阻,即通过设计,使得开通和关断电路不同,关断电阻小于开通电阻,但是在SiCMOS管的高频应用,特别是在MHz级别的应用中,这种做法作用有限。由于SiCMOS管的特性,负压关断可以大幅减小关断时间。目前国际上的大厂商主要通过设计专门的驱动电源和驱动芯片来实现负压关断,但是这样不仅成本高,而且电路结构复杂,不利于推广 ...
【技术保护点】
1.一种SiC MOS管负压关断电路,其特征在于:在SiC MOS管驱动电路中增加了由稳压二极管和电容并联组成的负压模块;SiC MOS管驱动电路包含直流电源VDD,导通电压为V1的二极管D1,自举电容CBOOT,驱动芯片、导通电阻RON、关断电阻ROFF和关断二极管DOFF;在导通电阻和关断电阻前反串联了一个稳定电压为VZ的稳压二极管DZ,在DZ两端并联了一个电容CZ;当SiC MOS管需要开通时,驱动芯片的OUT引脚输出值为VDD‑V1的驱动电压,经过DZ后,GS两极的电压为VDD‑V1‑VZ,CZ两端的电压为VZ;关断时,驱动芯片的OUT引脚电压降为0,GS极之间电压降为‑VZ,实现负压关断。
【技术特征摘要】
1.一种SiCMOS管负压关断电路,其特征在于:在SiCMOS管驱动电路中增加了由稳压二极管和电容并联组成的负压模块;SiCMOS管驱动电路包含直流电源VDD,导通电压为V1的二极管D1,自举电容CBOOT,驱动芯片、导通电阻RON、关断电阻ROFF和关断二极管DOFF;在导通电阻和关断电阻前反串联了一个稳定电压为VZ的稳压二极管DZ,在DZ两端并联了一个电容CZ;当SiCMOS管需要开通时,驱动芯片的OU...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢宝江,秦建,陈鑫,刘瑞,王林梅,陈桑红,张军达,卢姬,郑则诚,罗扬帆,李哲,蒋雯洁,夏瑀,
申请(专利权)人:国网浙江省电力有限公司台州供电公司,台州宏远电力设计院有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江,33
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