一种MOSFET管触发电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种MOSFET管触发电路，所述触发电路包括输入信号控制端、双向光藕、MOSFET管、分压电阻、输出负载接线端、以及输出供电端，所述输出负载接线端与所述MOSFET管的D极连接，所述输出供电端的一端连接所述MOSFET管的S极，所述输出负载接线端连接所述MOSFET管的D极，所述信号输入控制端连接所述双向光藕的输入端，所述输入信号控制端接收PLC控制信号兼容NPN以及PNP信号，所述双向光藕的输出端连接所述分压电阻以及所述MOSFET管的G极，所述MOSFET管的S级以及D极连接所述分压电阻，当所述双向光藕导通时，所述分压电阻所产生的分压让所述MOSFET管的G极触发S极与D极导通。本实用新型专利技术能够替代传统的继电器，具有响应速度快，受干扰小，寿命较长的特点。

A MOSFET Trigger Circuit

The utility model provides a trigger circuit of a MOSFET transistor, which comprises an input signal control terminal, a bidirectional optical root, a MOSFET transistor, a voltage dividing resistor, an output load terminal and an output power supply terminal. The output load terminal is connected with the D pole of the MOSFET transistor, one end of the output power supply terminal is connected with the S pole of the MOSFET transistor, and the output load terminal is connected with the place. The D-pole of the MOSFET tube is described. The signal input control terminal connects the input end of the bidirectional optical coupler. The input signal control terminal receives the PLC control signal compatible with NPN and PNP signals. The output end of the bidirectional optical coupler connects the voltage dividing resistor and the G-pole of the MOSFET tube. The S-stage and D-pole of the MOSFET tube are connected with the voltage dividing resistor. When the bidirectional optical coupler is connected, the voltage dividing resistor is The voltage divider generated by the piezoresistor enables the G-pole of the MOSFET to trigger the S-pole to turn on the D-pole. The utility model can replace the traditional relay, and has the characteristics of fast response, small interference and long service life.

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET管触发电路
本技术涉及一种电路开关
，尤其涉及一种MOSFET管触发电路。
技术介绍
MOSFET管全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G），MOSFET管具有热稳定性好、安全工作区大特点。现有的开关较多采用继电器，传统的继电器响应速度较慢，而且寿命较低。
技术实现思路
因此，有必要提供一种MOSFET管触发电路，能够替代传统的继电器，具有响应速度快，受干扰小，寿命较长的特点。本技术提供一种MOSFET管触发电路，所述触发电路包括输入信号控制端、双向光藕、MOSFET管、分压电阻、输出负载接线端、以及输出供电端，所述输出负载接线端与所述MOSFET管的D极连接，所述输出供电端的一端连接所述MOSFET管的S极，所述输出负载接线端连接所述MOSFET管的D极，所述输入信号控制端连接所述双向光藕的输入端，所述输入信号控制端接收PLC控制信号兼容NPN以及PNP信号，所述双向光藕的输出端连接所述分压电阻以及所述MOSFET管的G极，所述MOSFET管的S级以及D极连接所述分压电阻，当所述双向光藕导通时，所述分压电阻所产生的分压让所述MOSFET管的G极触发S极与D极导通。优选的，还包括LED指示灯，所述LED指示灯与所述输入信号控制端连接。优选的，所述分压电阻包括连接在所述双向光藕的第一输出端的第一电阻以及连接在所述双向光藕的第二输出端的第二电阻，所述MOSFET管的S级与所述第一电阻连接，所述MOSFET管的D级与所述第二电路连接。本技术能够替代传统的继电器，具有响应速度快，受干扰小，寿命较长的特点。附图说明图1为本技术的MOSFET管触发电路的电路图；图2为本技术的多个MOSFET管触发电路组合的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。如图1所示，一种MOSFET管触发电路，所述触发电路包括输入信号控制端10、双向光藕20、MOSFET管30、分压电阻40、输出负载接线端50、以及输出供电端60，所述输出负载接线端50与所述MOSFET管30的D极连接，所述输出供电端60的一端连接所述MOSFET管30的S极，所述输出负载接线端50连接所述MOSFET管30的D极，所述信号输入控制端10连接所述双向光藕20的输入端，所述输入信号控制端10接收PLC控制信号兼容NPN以及PNP信号，所述双向光藕20的输出端连接所述分压电阻40以及所述MOSFET管的G极，所述MOSFET管30的S级以及D极连接所述分压电阻40，当所述双向光藕20导通时，所述分压电阻40所产生的分压让所述MOSFET管30的G极触发S极与D极导通。在本实施方式中，所述MOSFET管30触发电路还包括LED指示灯，所述LED指示灯与所述输入信号控制端10连接，方便于操作人员查看。在本实施方式中，所述分压电阻40包括连接在所述双向光藕的第一输出端的第一电阻R2以及连接在所述双向光藕的第二输出端的第二电阻R3，所述MOSFET管30的S级与所述第一电阻R2连接，所述MOSFET管30的D级与所述第二电路R3连接。本技术采用无触点晶体管集电极开路输出，可快速响应或动作频繁的场合，不像传统的继电器那样需要受到机械限制，有更好的耐震动和冲击性能，可替代传统的继电器，不受开关次数的限制，寿命更长。输入输出极间采用光电隔离，相互独立，可以避免相互干扰而产生的不稳定，可以保护PLC输出节点，电弧、弹跳和干扰的因素少。另外，本技术尺寸较小，便于安装。本技术可以将微弱的控制信号进行处理后得到输出较大功率的控制信号，响应时间可以低至毫秒级，灵敏度高，可以实现高速度、高频率的开关，可以直接驱动电机、接触器、电磁阀等等。可以理解的是，如图2所示，可以将多个MOSFET管触发电路整合形成一个多路的MOSFET管触发电路，用于快速响应多个负载接电控制。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包括在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOSFET管触发电路，其特征在于，所述触发电路包括输入信号控制端、双向光藕、MOSFET管、分压电阻、输出负载接线端、以及输出供电端，所述输出负载接线端与所述MOSFET管的D极连接，所述输出供电端的一端连接所述MOSFET管的S极，所述输出负载接线端连接所述MOSFET管的D极，所述输入信号控制端连接所述双向光藕的输入端，所述输入信号控制端接收PLC控制信号兼容NPN以及PNP信号，所述双向光藕的输出端连接所述分压电阻以及所述MOSFET管的G极，所述MOSFET管的S级以及D极连接所述分压电阻，当所述双向光藕导通时，所述分压电阻所产生的分压让所述MOSFET管的G极触发S极与D极导通。

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET管触发电路，其特征在于，所述触发电路包括输入信号控制端、双向光藕、MOSFET管、分压电阻、输出负载接线端、以及输出供电端，所述输出负载接线端与所述MOSFET管的D极连接，所述输出供电端的一端连接所述MOSFET管的S极，所述输出负载接线端连接所述MOSFET管的D极，所述输入信号控制端连接所述双向光藕的输入端，所述输入信号控制端接收PLC控制信号兼容NPN以及PNP信号，所述双向光藕的输出端连接所述分压电阻以及所述MOSFET管的G极，所述MOSFET管的S级...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志，
申请(专利权)人：深圳市渝竹科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44