放电MOS管的驱动检测装置及放电加工装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种放电MOS管的驱动检测装置及放电加工装置，其中所述驱动检测装置包括控制器、MOS驱动器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一二极管、第二二极管、第一光耦、第一直流电源和第二直流电源。本实用新型专利技术通过第二电阻和第一二极管能快速地导通放电MOS管，通过采用负电源为MOS驱动器供电，能快速地关断放电MOS管以及有效地降低放电MOS管关断时产生的尖峰电压幅度，实现有效地驱动放电MOS管；通过第一光耦让控制器及时检测出放电MOS管的工作状态，并在放电MOS管存在短路故障时及时告警，使得放电加工装置在放电MOS管存在短路故障时不进行放电加工，从而保护了设备，减少经济损失。

Drive detection device and discharge machining device for discharge MOS tube

The utility model provides a drive detection device and a discharge machining device for a discharge MOS tube, wherein the drive detection device includes a controller, a MOS driver, a first resistance, a second resistance, a third resistance, a fourth resistance, a first diode, a second diode, a first optical coupler, a first DC power supply and a second DC power supply. . The discharging MOSFET can be switched on quickly by the second resistance and the first diode, and the discharging MOSFET can be switched off rapidly and the peak voltage amplitude produced when the discharging MOSFET is switched off can be reduced effectively by using a negative power supply for the MOSFET driver, so the discharging MOSFET can be driven effectively by the first optical coupling. The working state of the discharge MOS transistor is detected in time, and the alarm is given in time when the short-circuit fault exists in the discharge MOS transistor, so that the discharge machining device does not carry out discharge machining when the short-circuit fault exists in the discharge MOS transistor, thus protecting the equipment and reducing economic losses.

【技术实现步骤摘要】
放电MOS管的驱动检测装置及放电加工装置
本技术涉及电子
，特别涉及一种放电MOS管的驱动检测装置及放电加工装置。
技术介绍
在放电加工装置中，一般采用MOS管或MOS管组件作为放电开关管，一方面由于MOS管自身寄生电容的影响，驱动电路有效地快速导通和关断放电开关管，从而影响加工精度；另一方面，由于电路寄生电感以及放电电流非常大(放电电流峰值达200A)，以至于放电开关管在关断时产生高幅度的尖峰电压，从而击穿放电开关管。另外，现有技术中还没有在驱动的同时对放电开关管的状态进行检测，以至于在放电开关管存在短路故障时，若放电加工装置通过该存在短路故障的放电管进行放电，将造成设备烧毁，从而带来较大经济损失。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是为了克服现有技术的放电加工装置中驱动电路不能有效地驱动放电开关管，且在驱动时没有相应的检测电路来及时检测放电开关管的状态的缺陷，提供一种放电MOS管的驱动检测装置及放电加工装置。本技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：本技术提供一种放电MOS管的驱动检测装置，其特点是，所述驱动检测装置包括控制器、MOS驱动器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一二极管、第二二极管、第一光耦、第一直流电源和第二直流电源；所述MOS驱动器的输入端与所述控制器电连接，所述MOS驱动器的输出端与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第一二极管的阳极、所述第二电阻的一端连接，所述第一二极管的阴极、所述第二电阻的另一端均与所述放电MOS管的栅极连接；所述第一光耦的发光二极管的阳极通过所述第三电阻连接所述第一直流电源，所述第一光耦的发光二极管的阴极与所述第二二极管的阳极连接，所述第二二极管的阴极与所述放电MOS管的漏极连接；所述第一光耦的光敏三极管的集电极通过所述第四电阻连接所述控制器的电源端，所述第一光耦的光敏三极管的集电极还与所述控制器电连接，所述第一光耦的光敏三极管的发射极连接所述控制器的信号地；所述第一直流电源为正电源，所述第二直流电源为负电源，所述第一直流电源和所述第二直流电源共电源地，所述MOS驱动器由所述第一直流电源和所述第二直流电源供电，所述放电MOS管的源极与所述电源地连接；所述控制器用于产生控制所述放电MOS管的通断信号，并检测所述第一光耦的光敏三极管的集电极的电平状态，以在驱动所述放电MOS管时检测所述放电MOS管的状态。较佳地，在所述控制器产生控制所述放电MOS管关断的关断信号时，所述控制器还用于在检测到所述第一光耦的光敏三极管的集电极的电平状态为低电平时输出第一告警信号，所述第一告警信号用于表征所述放电MOS管存在短路故障；或在所述控制器产生控制所述放电MOS管导通的导通信号时，所述控制器还用于在检测到所述第一光耦的光敏三极管的集电极的电平状态为高电平时输出第二告警信号，所述第二告警信号用于表征所述放电MOS管存在开路故障。较佳地，所述驱动检测装置还包括第五电阻，所述第五电阻并联于所述放电MOS管的栅极与源极之间。较佳地，所述驱动检测装置还包括一电容器、第六电阻和第三二极管，所述电容器的一端与所述放电MOS管的源极连接，所述电容器的另一端分别与所述第六电阻的一端、所述第三二极管的阴极连接，所述第六电阻的另一端、所述第三二极管的阳极均与所述放电MOS管的漏极连接。较佳地，所述驱动检测装置还包括第二光耦和第七电阻，所述第二光耦的信号输入端与所述控制器电连接，所述第二光耦的输出端与所述MOS驱动器的输入端连接，所述第二光耦的输出端还通过所述第七电阻与所述第二光耦的电源输入端连接，所述第二光耦的电源输入端与所述电源地连接、电源参考端与所述第二直流电源连接。较佳地，所述通断信号为差分信号，所述差分信号的正极信号输入到所述第二光耦的发光二极管的阳极，所述差分信号的负极信号输入到所述第二光耦的发光二极管的阴极。较佳地，所述第二光耦的带宽为10M。较佳地，所述驱动检测装置还包括线驱动器，所述线驱动器的输入端与所述控制器电连接，所述通断信号为单端信号，所述线驱动器用于将所述单端信号转换为差分输出，所述线驱动器的差分输出的正端与所述第二光耦的发光二极管的阳极连接，所述线驱动器的差分输出的负端与所述第二光耦的发光二极管的阴极连接。本技术还提供一种放电加工装置，其特点是，包括上述任一项所述的放电MOS管的驱动检测装置，所述放电加工装置还包括放电MOS管、放电电源和放电电极，所述放电电源的正极与所述放电MOS管的漏极连接，所述放电电源的负极与待加工的工件连接，所述放电MOS管的源极与所述放电电极连接，所述放电电极与所述工件之间形成放电间隙，所述放电间隙用于在所述放电MOS管导通时产生放电电流以加工所述工件。较佳地，所述放电加工装置还包括第四二极管，所述第四二极管的阳极与所述放电电源的正极连接，所述第四二极管的阴极与所述放电MOS管的漏极连接。本技术的积极进步效果在于：本技术一方面通过MOS驱动器来驱动放电MOS管，通过第二电阻和第一二极管能快速地导通放电MOS管，通过采用负电源为MOS驱动器供电，能快速地关断放电MOS管以及有效地降低放电MOS管关断时产生的尖峰电压幅度，实现有效地驱动放电MOS管；另一方面通过第一光耦让控制器及时隔离地检测出放电MOS管的工作状态(正常、开路和短路等)，并在放电MOS管存在短路故障时及时告警，以免放电加工装置仍通过存在短路故障的放电MOS管放电，从而保护了设备，减少经济损失。附图说明图1为本技术的实施例1的放电MOS管的驱动检测装置及放电加工装置的电路图。图2为本技术的实施例2的放电MOS管的驱动检测装置及放电加工装置的电路图。图3为本技术的实施例3的放电MOS管的驱动检测装置及放电加工装置的电路图。具体实施方式下面通过实施例的方式进一步说明本技术，但并不因此将本技术限制在所述的实施例范围之中。实施例1如图1所示，本实施例涉及的放电MOS管的驱动检测装置及放电加工装置，其中所述放电加工装置包括放电电源10、放电MOS管Q1、放电MOS管Q1的驱动检测装置20和放电电极30，放电电源10(放电电源10的内部阻抗为图中R0)的正极与放电MOS管Q1的漏极连接，放电电源10的负极与待加工的工件40连接，放电MOS管Q1的源极与放电电极30连接，放电电极30与工件40之间形成放电间隙(如图中所示，放电电极30与工件40之间留有缝隙)，放电间隙就用于产生放电电流50以对工件40进行加工，即所述放电电流50就用于所述加工放电装置对工件40进行加工。本实施例中，所述放电加工装置还包括第四二极管D4，第四二极管D4的阳极与放电电源10的正极连接，第四二极管D4的阴极与放电MOS管Q1的漏极连接，从而将放电MOS管Q1和放电电源10进行隔离，以防止放电MOS管Q1产生的尖峰电压倒灌进放电电源10，进一步保护放电电源10，提高所述放电加工装置的稳定性和可靠性。本实施例中，驱动检测装置20包括控制器201、MOS驱动器U1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一二极管D1、第二二极管D2、第一光耦U2、第一直流电源和第二直流电源。其中，所述第一直流电源为正电源(这里优本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种放电MOS管的驱动检测装置，其特征在于，所述驱动检测装置包括控制器、MOS驱动器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一二极管、第二二极管、第一光耦、第一直流电源和第二直流电源；所述MOS驱动器的输入端与所述控制器电连接，所述MOS驱动器的输出端与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第一二极管的阳极、所述第二电阻的一端连接，所述第一二极管的阴极、所述第二电阻的另一端均与所述放电MOS管的栅极连接；所述第一光耦的发光二极管的阳极通过所述第三电阻连接所述第一直流电源，所述第一光耦的发光二极管的阴极与所述第二二极管的阳极连接，所述第二二极管的阴极与所述放电MOS管的漏极连接；所述第一光耦的光敏三极管的集电极通过所述第四电阻连接所述控制器的电源端，所述第一光耦的光敏三极管的集电极还与所述控制器电连接，所述第一光耦的光敏三极管的发射极连接所述控制器的信号地；所述第一直流电源为正电源，所述第二直流电源为负电源，所述第一直流电源和所述第二直流电源共电源地，所述MOS驱动器由所述第一直流电源和所述第二直流电源供电，所述放电MOS管的源极与所述电源地连接；所述控制器用于产生控制所述放电MOS管的通断信号，并检测所述第一光耦的光敏三极管的集电极的电平状态，以在驱动所述放电MOS管时检测所述放电MOS管的状态。...

【技术特征摘要】
1.一种放电MOS管的驱动检测装置，其特征在于，所述驱动检测装置包括控制器、MOS驱动器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一二极管、第二二极管、第一光耦、第一直流电源和第二直流电源；所述MOS驱动器的输入端与所述控制器电连接，所述MOS驱动器的输出端与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第一二极管的阳极、所述第二电阻的一端连接，所述第一二极管的阴极、所述第二电阻的另一端均与所述放电MOS管的栅极连接；所述第一光耦的发光二极管的阳极通过所述第三电阻连接所述第一直流电源，所述第一光耦的发光二极管的阴极与所述第二二极管的阳极连接，所述第二二极管的阴极与所述放电MOS管的漏极连接；所述第一光耦的光敏三极管的集电极通过所述第四电阻连接所述控制器的电源端，所述第一光耦的光敏三极管的集电极还与所述控制器电连接，所述第一光耦的光敏三极管的发射极连接所述控制器的信号地；所述第一直流电源为正电源，所述第二直流电源为负电源，所述第一直流电源和所述第二直流电源共电源地，所述MOS驱动器由所述第一直流电源和所述第二直流电源供电，所述放电MOS管的源极与所述电源地连接；所述控制器用于产生控制所述放电MOS管的通断信号，并检测所述第一光耦的光敏三极管的集电极的电平状态，以在驱动所述放电MOS管时检测所述放电MOS管的状态。2.如权利要求1所述的放电MOS管的驱动检测装置，其特征在于，在所述控制器产生控制所述放电MOS管关断的关断信号时，所述控制器还用于在检测到所述第一光耦的光敏三极管的集电极的电平状态为低电平时输出第一告警信号，所述第一告警信号用于表征所述放电MOS管存在短路故障；或在所述控制器产生控制所述放电MOS管导通的导通信号时，所述控制器还用于在检测到所述第一光耦的光敏三极管的集电极的电平状态为高电平时输出第二告警信号，所述第二告警信号用于表征所述放电MOS管存在开路故障。3.如权利要求1所述的放电MOS管的驱动检测装置，其特征在于，所述驱动检测装置还包括第五电阻，所述第五电阻并联于所述放电MOS管的栅极与源极之间。4.如权利要求1所述的放电MOS管的驱动检测装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨健，肖伟华，付胜宏，
申请(专利权)人：上海东熠数控科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31