一种过压保护电路制造技术

技术编号:21407744 阅读:20 留言:0更新日期:2019-06-19 09:53
一种过压保护电路,包括输入端、输出端、稳压管、第一三极管、第二三极管、PMOS管以及周边电阻,所述稳压管与一第一电阻串联后连接于输入端与地之间,稳压管的负极与输入端连接;第一三极管的基极连接于稳压管与第一电阻之间的节点上,第一三极管的集电极通过一第二电阻连接到输入端,第一三极管的发射极接地;第二三极管的基极与第一三极管的集电极连接,第二三极管的发射极接地,第二三极管的集电极与PMOS管的控制极连接;PMOS管的源极与输入端连接,PMOS管的漏极与输出端连接,一第三电阻连接于PMOS管的源极与控制极之间。由于通过电阻、稳压管、开关管等普通元器件即构成保护电路,使得本申请的电路具有成本低的优势。

An Overvoltage Protection Circuit

An overvoltage protection circuit includes an input terminal, an output terminal, a voltage regulator, a first triode, a second triode, a PMOS transistor and a peripheral resistor. The voltage regulator is connected in series with a first resistor and is connected between the input terminal and the ground. The negative pole of the voltage regulator is connected with the input terminal; the base pole of the first triode is connected to the node between the voltage regulator and the first resistor, and the collector of the first triode is connected. The pole is connected to the input through a second resistance, and the emitter of the first triode is grounded; the base of the second triode is connected to the collector of the first triode, the emitter of the second triode is grounded, and the collector of the second triode is connected to the control pole of the PMOS; the source of the PMOS is connected to the input end, the drain of the PMOS is connected to the output end, and the third resistance is connected to the source of the PMOS tube. Between the pole and the control pole. Because the protection circuit is composed of common components such as resistor, voltage regulator, switch tube and so on, the circuit in this application has the advantage of low cost.

【技术实现步骤摘要】
一种过压保护电路
本申请涉及一种过压保护电路。
技术介绍
现有的过压保护都是采用过压保护芯片,成本很好,而且使用不灵活,不能灵活地调节到所需要的保护电压。
技术实现思路
本申请提供一种成本低的过压保护电路。根据第一方面,一种实施例中提供一种过压保护电路,包括输入端和输出端,还包括稳压管、第一三极管、第二三极管、PMOS管以及周边电阻,所述稳压管与一第一电阻串联后连接于输入端与地之间,稳压管的负极与输入端连接;第一三极管的基极连接于稳压管与第一电阻之间的节点上,第一三极管的集电极通过一第二电阻连接到输入端,第一三极管的发射极接地;第二三极管的基极与第一三极管的集电极连接,第二三极管的发射极接地,第二三极管的集电极与PMOS管的控制极连接;PMOS管的源极与输入端连接,PMOS管的漏极与输出端连接,一第三电阻连接于PMOS管的源极与控制极之间。优选地,还包括第四电阻,所述第四电阻连接于第二三极管的集电极与PMOS管的控制极之间;或着第四电阻连接于第二三极管的发射极与地之间。优选地,还包括第五电阻,所述第五电阻连接于第二三极管的基极与第一三极管的集电极之间。优选地,还包括第六电阻和第七电阻,第六电阻连接于第一三极管的基极与发射极之间;第七电阻连接于第二三极管的基极与发射极之间。优选地,还包括第八电阻,所述第八电阻连接于稳压管的正极与第一三极管的基极之间。优选地,还包括电容,所述电容连接于输出端与地之间。依据上述实施例的过压保护电路,由于通过电阻、稳压管、开关管等普通元器件即构成保护电路,使得本申请的电路具有成本低的优势。与过压保护芯片相比,本申请可以通过电阻阻值的调节,灵活适用于不同的电压值的过压保护。附图说明图1为本申请一实施例过压保护电路的电路图;图2为本申请另一实施例过压保护电路的电路图。具体实施方式下面通过具体实施方式结合附图对本专利技术作进一步详细说明。其中不同实施方式中类似元件采用了相关联的类似的元件标号。在以下的实施方式中,很多细节描述是为了使得本申请能被更好的理解。然而,本领域技术人员可以毫不费力的认识到,其中部分特征在不同情况下是可以省略的,或者可以由其他元件、材料、方法所替代。在某些情况下,本申请相关的一些操作并没有在说明书中显示或者描述,这是为了避免本申请的核心部分被过多的描述所淹没,而对于本领域技术人员而言,详细描述这些相关操作并不是必要的,他们根据说明书中的描述以及本领域的一般技术知识即可完整了解相关操作。本文中为部件所编序号本身,例如“第一”、“第二”等,仅用于区分所描述的对象,不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”,如无特别说明,均包括直接和间接连接(联接)。实施例一:请参考图1,过压保护电路,包括输入端VCC_IN和输出端VCC_OUT,还包括稳压管D1、第一三极管Q1、第二三极管Q2、PMOS管以及周边电阻,稳压管D1与第一电阻R1串联后连接于输入端VCC_IN与地之间,其中稳压管D1的负极与输入端VCC_IN连接;第一三极管Q1的基极通过第八电阻R8连接于稳压管D1与第一电阻R1之间的节点1上,第八电阻R8的作用在于稳压管D1被击穿后对输入端VCC_IN输入的电压进行分压,避免输入端VCC_IN输入的电压直接作用在第一三极管Q1上致使第一三极管Q1烧坏,对第一三极管Q1进行保护。第一三极管Q1的集电极通过一第二电阻R2连接到输入端VCC_IN,第一三极管Q1的发射极接地,第二电阻R2的作用是保护第一三极管Q1和第二三极管Q2;第二三极管Q2的基极通过第五电阻R5与第一三极管Q1的集电极连接,第二三极管Q2的发射极接地,第二三极管Q2的集电极通过第四电阻R4与PMOS管M1的控制极连接;PMOS管M1的源极与输入端VCC_IN连接,PMOS管M1的漏极与输出端VCC_OUT连接,第三电阻R3连接于PMOS管M1的源极与控制极之间。在第一三极管Q1的基极与发射极之间还连接有第六电阻R6,在第二三极管Q2的基极与发射极之间还连接有第七电阻R7。由于三极管的基极与发射极之间存在寄生电容,当三极管断电后,第六电阻R6和第七电阻R7的能够快速地消除这个寄生电容存储的电能。作为本申请的优选实施例,在输出端VCC_OUT与地之间还连接一电容C,在电路PMOS管闭合与导通互换时进行滤波。下面对本申请的工作原理进行说明。当输入端VCC_IN电压高于阈值时,稳压管D1反向导通,从而驱动第一三极管Q1导通,第一三极管Q1导通后将第二三极管Q2的驱动拉低,第二三极管Q2截止,使得PMOS管的控制极电压与源极电压相同,PMOS管截止,从而关闭了输入端到输出端的电流通路。当电压降低至阈值以下时,稳压管D1反向截至,第一三极管Q1驱动不足而关闭,第二三极管Q2通过第二电阻R2从输入端VCC_IN获得驱动,第二三极管Q2导通,使得第三电阻R3两端产生压降,从而使得PMOS管导通,输入端VCC_IN到输出端VCC_OUT的电流通路打开。实施例二:请参考图2,本实施例与实施例一基本相同,不同之处仅在于第四电阻R4连接于第二三极管Q2的发射极与地之间,而电路相同之处不再赘述。以上应用了具体个例对本专利技术进行阐述,只是用于帮助理解本专利技术,并不用以限制本专利技术。对于本专利技术所属
的技术人员,依据本专利技术的思想,还可以做出若干简单推演、变形或替换。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种过压保护电路,包括输入端和输出端,其特征在于还包括稳压管、第一三极管、第二三极管、PMOS管以及周边电阻,所述稳压管与一第一电阻串联后连接于输入端与地之间,稳压管的负极与输入端连接;第一三极管的基极连接于稳压管与第一电阻之间的节点上,第一三极管的集电极通过一第二电阻连接到输入端,第一三极管的发射极接地;第二三极管的基极与第一三极管的集电极连接,第二三极管的发射极接地,第二三极管的集电极与PMOS管的控制极连接;PMOS管的源极与输入端连接,PMOS管的漏极与输出端连接,一第三电阻连接于PMOS管的源极与控制极之间。

【技术特征摘要】
1.一种过压保护电路,包括输入端和输出端,其特征在于还包括稳压管、第一三极管、第二三极管、PMOS管以及周边电阻,所述稳压管与一第一电阻串联后连接于输入端与地之间,稳压管的负极与输入端连接;第一三极管的基极连接于稳压管与第一电阻之间的节点上,第一三极管的集电极通过一第二电阻连接到输入端,第一三极管的发射极接地;第二三极管的基极与第一三极管的集电极连接,第二三极管的发射极接地,第二三极管的集电极与PMOS管的控制极连接;PMOS管的源极与输入端连接,PMOS管的漏极与输出端连接,一第三电阻连接于PMOS管的源极与控制极之间。2.如权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,还包括第四电阻,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄如星卢文登
申请(专利权)人:深圳市捷诚技术服务有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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