干熄焦炉斜道用碳化硅砖制造技术

技术编号:21388472 阅读:64 留言:0更新日期:2019-06-19 03:55
本发明专利技术涉及一种干熄焦炉斜道用碳化硅砖,其原料组分的重量百分比为:α‑SiC碳化硅46%~55%、β‑SiC碳化硅25%~40%、硅微粉7%~15%、氧化铝超细粉7%~9%;该方案通过改进斜道用莫来石砖的材质,使得其抗侵蚀性能、抗剥落得到提高,进而提高其使用寿命,使用该方案使得干熄觉炉斜道的使用寿命从原先的1.5年提高到5年以上。

Silicon carbide bricks for inclined channel of dry quenching coke oven

The present invention relates to a kind of silicon carbide brick for the ramp of dry quenching coke oven. The weight percentage of the raw material components is: alpha SiC silicon carbide 46%-55%, beta SiC silicon carbide 25%-40%, silicon powder 7%-15%, and alumina superfine powder 7%-9%. The scheme improves the material of the ramp mullite brick so as to improve its corrosion resistance and spalling resistance, and thereby improve its service life. The service life of the ramp of the dry quenching furnace has been increased from 1.5 years to more than 5 years.

【技术实现步骤摘要】
干熄焦炉斜道用碳化硅砖
本专利技术涉及一种干熄焦炉斜道用碳化硅砖,属于耐火材料

技术介绍
干法熄焦工艺由于其具有回收能源、节约水资源、保护环境、提高焦炭质量等优点,成为中国焦化行业准入标准中明确必须采用的工艺,但干熄焦本体内衬砌体由于所处环境恶劣,集中在环风管道用砖被侵蚀和斜道支柱砖(牛腿)的开裂掉损等影响砌体寿命问题,该方案着重针对斜道用砖被侵蚀而导致剥落问题进行专利技术。现有技术中,中国专利CN201320184853,名称为一种碱性窑炉用镁铝尖晶石砖,本技术公开了一种碱性窑炉用镁铝尖晶石砖,包括砖体,所述砖体的上、下表面的几何形状均为矩形;所述砖体的左、右侧面分别设有凹槽和凸棱,砖体的前、后表面分别设有凹槽和凸棱;所述凹槽和凸棱均位于其各自所在表面的中间位置,并且所述凹槽和凸棱的形状以及尺寸大小相适配。本技术通过在砖体的两组相对应的表面分别设置凹槽或凸棱,使每块相邻砖体之间的凹槽和凸棱相适配,使得砖体与砖体之间连接更紧密;并且在使用过程中,经过高温烧制后,砖体之间更加具有整体性,从而可以有效避免砖体的掉落和蹿火现象的出现,本技术可用于窑内的不同段带,具有广泛的使用范围本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种干熄焦炉斜道用碳化硅砖,其特征在于,其原料组分的重量百分比为:α‑SiC碳化硅46%~55%、β‑SiC碳化硅25%~40%、硅微粉7%~15%、氧化铝超细粉7%~9%。

【技术特征摘要】
1.一种干熄焦炉斜道用碳化硅砖,其特征在于,其原料组分的重量百分比为:α-SiC碳化硅46%~55%、β-SiC碳化硅25%~40%、硅微粉7%~15%、氧化铝超细粉7%~9%。2.根据权利要求1所述的干熄焦炉斜道用碳化硅砖,其特征在于,其原料组分的重量百分比为:α-SiC碳化硅55%、β-SiC碳化硅25%%、硅微粉11%、氧化铝超细粉9%。3.根据权利要求1所述的干熄焦炉斜道用碳化硅砖,其特征在于,其原料组分的重量百分比为:α-SiC碳化硅54%、β-SiC碳化硅28%%、硅微粉9%、氧化铝超细粉...

【专利技术属性】
技术研发人员:洪建国
申请(专利权)人:上海梅山钢铁股份有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1