A method for preparing SiCf/SiC ceramic composites by 3D forming relates to a method for preparing SiCf/SiC ceramic composites. The aim of the present invention is to solve the problems of difficult forming and processing in traditional preparation of SiCf/SiC ceramic material components. Methods: 1. Mixed powder; 2. Setting parameters; 3. Preparing ceramic body; 4. Curing; 5. Sintering; 6. Impregnating and cracking; 7. Repeat steps and 6 operations until the weight gain of cracking process is less than 1%, SiCf/SiC ceramic composites are obtained. Beneficial effects: First, it solves the problems of large porosity and poor mechanical properties of ceramics prepared by SLS technology; second, it has simple process, less working hours, stable process and good reproducibility. The invention is mainly used for preparing SiCf/SiC ceramic composite materials by 3D forming.
【技术实现步骤摘要】
一种3D成型制备SiCf/SiC陶瓷复合材料的方法
本专利技术涉及一种陶瓷复合材料SiCf/SiC的制备方法。
技术介绍
SiC陶瓷因其具有优良的高温力学性能、高导热率、良好的抗热冲击性、耐化学腐蚀等性能,被广泛用于机械、化工、能源、航空航天领域。但由于其分子结构的键合特点,缺乏塑性变形能力,表现为脆性,严重地影响了其作为结构材料的应用潜力。纤维增强SiC陶瓷,是在陶瓷基体中引入纤维进行强化增韧,充分利用增强相产生的综合作用来提高陶瓷材料的力学性能,是陶瓷强化增韧的重要途径之一。文献1“董绍明,江东亮,等.高温等静压烧结碳化硅基复相陶瓷的强化与增韧.无机材料学报,1999,14(1):61”公开了一种制备SiCf/SiC陶瓷复合材料的方法,该方法将SiC粉末、SiC纤维及少量添加剂置于无水酒精介质中球磨、烘干、过筛后经HIP烧结制备SiCf/SiC陶瓷,但存在烧结工艺复杂、设备造价更高、不能进行大件制品烧结等缺陷,故在实际生产中应用有限。文献2“HuaYunfeng,ZhangLitong,etal.Siliconcarbidewhiskerreinforceds ...
【技术保护点】
1.一种3D成型制备SiCf/SiC陶瓷复合材料的方法,其特征在于它是按以下步骤完成的:一、混合粉末:将SiC粉末、聚碳硅烷粉末和催化剂混合,再加入粘结剂,在V型混合机内混合24h~48h,得到复合粉末;所述SiC粉末与聚碳硅烷粉末的质量比为90~94:3~5;所述SiC粉末与催化剂的质量比为90~94:3~5;所述复合粉末中粘结剂的质量分数为5%~15%;二、参数设定:将STL格式文件导入SLS成型机,设定扫描速度为1000mm/s~2000mm/s,每层厚度为0.05mm~0.2mm,预热温度为40~70℃,然后利用计算机分层切片软件将模型处理成设定厚度的薄片;三、制备 ...
【技术特征摘要】
1.一种3D成型制备SiCf/SiC陶瓷复合材料的方法,其特征在于它是按以下步骤完成的:一、混合粉末:将SiC粉末、聚碳硅烷粉末和催化剂混合,再加入粘结剂,在V型混合机内混合24h~48h,得到复合粉末;所述SiC粉末与聚碳硅烷粉末的质量比为90~94:3~5;所述SiC粉末与催化剂的质量比为90~94:3~5;所述复合粉末中粘结剂的质量分数为5%~15%;二、参数设定:将STL格式文件导入SLS成型机,设定扫描速度为1000mm/s~2000mm/s,每层厚度为0.05mm~0.2mm,预热温度为40~70℃,然后利用计算机分层切片软件将模型处理成设定厚度的薄片;三、制备陶瓷坯体:将复合粉末加入到SLS成型机的工作缸中,利用滚轴将粉末铺平,静置25min~35min,然后将工作缸加热到步骤二设定的预热温度,开始加工,激光烧结,通过送粉缸送粉、铺粉,然后逐层烧结,制得陶瓷坯体;四、固化:先将陶瓷坯体干燥1h,然后取出置于空气中在温度为200~300℃下热固化2h~3h,得到预制体;五、烧结:将预制体在真空烧结炉氩气气氛下以温度为1000~1400℃脱脂,保温1h~2h,得到脱脂后的试件;六、浸渍、裂解:将脱脂后的试件在预处理的先躯体中真空浸渍45min~60min,然后在温度为200~300℃下交联固化6h~8h,再在温度为1000~1300℃下裂解1h~3h,且裂解过程在氮气气氛保护下进行;所述预处理的先躯体为聚碳硅烷溶液,聚碳硅烷溶液中聚碳硅烷的质量分数为39%~44%;七:重复步骤六操作,至裂解过程的质量增重小于1%为止,得到SiCf/SiC陶瓷复合材料。2.根据权利要求1所述的一种3D成型制备SiCf/SiC陶瓷复合材料的方法,其特征在于步骤一中所述的催化剂为...
【专利技术属性】
技术研发人员:成夙,许腾腾,曾涛,靳来振,
申请(专利权)人:哈尔滨理工大学,
类型:发明
国别省市:黑龙江,23
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