一种低温高性能碳化硅膜层及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种低温高性能碳化硅膜层及其制备方法。通过利用碳化硅粉体在高温环境中的氧化，颗粒表面生成的二氧化硅，二氧化硅同加入的包裹在碳化硅颗粒表面的纳米级铝溶胶发生反应，建立起莫来石网络结构，增强了颗粒界面的强度，利用纳米级稀土氧化物分子的存在降低了液相生成温度，抑制了莫来石晶粒的生长，使得膜层中的骨料分子粒径均匀，降低了膜层阻力。本发明专利技术碳化硅膜层烧成过程中无需控制气氛，且通过烧成温度、铝溶胶加入的比例来调节碳化硅的氧化程度。整个制备工艺简单，可控，使得本发明专利技术的烧成温度较现有碳化硅膜层的烧成温度大大降低，烧成能耗也相应的大大降低，从而大大的节约了制备成本。

A Low Temperature and High Performance Silicon Carbide Film and Its Preparation Method

The invention relates to a low temperature and high performance silicon carbide film and a preparation method thereof. By using the oxidation of SiC powder in high temperature environment, SiO_2 and SiO_2 formed on the surface of particles react with the nano-aluminium sol wrapped on the surface of SiC particles, the mullite network structure is established, the strength of the particle interface is enhanced, the liquid phase formation temperature is reduced by using the presence of nano-sized rare earth oxide molecules, and the mullite grain is inhibited. The growth makes the aggregate molecules in the film uniform and reduces the resistance of the film. The sintering process of the silicon carbide film layer of the invention does not need to control the atmosphere, and the oxidation degree of the silicon carbide is regulated by the sintering temperature and the proportion of aluminium sol added. The whole preparation process is simple and controllable, so that the firing temperature of the invention is greatly lower than that of the existing silicon carbide film, and the firing energy consumption is correspondingly greatly reduced, thereby greatly saving the preparation cost.

【技术实现步骤摘要】
一种低温高性能碳化硅膜层及其制备方法
本专利技术涉及碳化硅分离膜材料,具体涉及一种低温高性能碳化硅膜层及其制备方法。
技术介绍
由于碳化硅分离膜材料具有低接触角，浸润性好，有负电性，抗污染性能好等优点，故其在水处理领域具有十分重要的应用价值，但由于其存在烧制温度高，气氛要求严苛等问题，故严重限制了碳化硅分离膜材料的广泛应用，制约了水处理领域的发展，该问题急需解决。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种低温高性能碳化硅膜层及其制备方法。根据本专利技术的一个方面，提供了一种低温高性能碳化硅膜层的制备方法，包括以下步骤：将碳化硅、铝溶胶、稀土及分散剂混合，涂覆在相应的支撑体上，在1000-1190℃烧成温度下烧制即得。进一步的，将碳化硅、铝溶胶、稀土及分散剂混合，涂覆在相应的支撑体上，在1000-1190℃烧成温度下烧制，包括：碳化硅、铝溶胶、稀土及分散剂混合得分散溶液；分散溶液与消泡剂混合得膜浆；膜浆涂覆在相应的支撑体上，干燥后，在1000-1190℃烧成温度下烧制。其中，碳化硅、铝溶胶的固含量、稀土的固含量重量比为：(80-99):(15-0.1):(10-0.本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低温高性能碳化硅膜层的制备方法，其特征是，包括以下步骤：将碳化硅、铝溶胶、稀土及分散剂混合，涂覆在相应的支撑体上，在1000‑1190℃烧成温度下烧制即得。

【技术特征摘要】
1.一种低温高性能碳化硅膜层的制备方法，其特征是，包括以下步骤：将碳化硅、铝溶胶、稀土及分散剂混合，涂覆在相应的支撑体上，在1000-1190℃烧成温度下烧制即得。2.根据权利要求1所述的高性能碳化硅膜层的制备方法，其特征是，将碳化硅、铝溶胶、稀土及分散剂混合，涂覆在相应的支撑体上，在1000-1190℃烧成温度下烧制，包括：碳化硅、铝溶胶、稀土及分散剂混合得分散溶液；分散溶液与消泡剂混合得膜浆；膜浆涂覆在相应的支撑体上，干燥后，在1000-1190℃烧成温度下烧制。3.根据权利要求2所述的低温高性能碳化硅膜层的制备方法，其特征是，碳化硅、铝溶胶的固含量、稀土的固含量重量比为：(80-99):(15-0.1):(10-0.1)。4.根据权利要求2或3所述的低温高性能碳化硅膜层的制备方法，其特征是，稀土为氧化钪、氧化钇、氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、...

【专利技术属性】
技术研发人员：马腾飞，赵世凯，薛友祥，程之强，徐传伟，唐钰栋，张久美，侯立红，付金刚，
申请(专利权)人：山东工业陶瓷研究设计院有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37