半导体装置的制造方法制造方法及图纸

以低成本且高生产率制造半导体装置。提高半导体装置的制造工序的成品率。在衬底上形成岛状金属氧化物层，以覆盖金属氧化物层的端部的方式在金属氧化物层上形成树脂层，照射光，由此使金属氧化物层与树脂层分离。在形成树脂层之后且照射光之前在树脂层上形成绝缘层。例如，将树脂层形成为岛状，将绝缘层以覆盖树脂层的端部的方式形成。在树脂层上形成粘合层的情况下，优选以位于金属氧化物层的端部的内侧的方式形成粘合层。

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Semiconductor devices are manufactured with low cost and high productivity. Improving the rate of finished products in the manufacturing process of semiconductor devices. An Island metal oxide layer is formed on the substrate, and a resin layer is formed on the metal oxide layer by covering the end of the metal oxide layer, which irradiates light, thus separating the metal oxide layer from the resin layer. An insulating layer is formed on the resin layer after the formation of the resin layer and before irradiation. For example, the resin layer is formed as an island, and the insulation layer is formed by covering the end of the resin layer. In the case of forming an adhesive layer on the resin layer, it is preferable to form an adhesive layer in a manner located at the inner end of the end of the metal oxide layer.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法
本专利技术的一个实施方式涉及一种分离方法、半导体装置的制造方法及显示装置的制造方法。注意，本专利技术的一个实施方式不局限于上述
本专利技术的一个实施方式的
的例子包括半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如，触摸传感器等)、输入/输出装置(例如，触摸面板等)、上述装置的驱动方法以及上述装置的制造方法。
技术介绍
已知应用有机电致发光(EL)元件或液晶元件的显示装置。显示装置的例子还包括具备发光二极管(LED)等发光元件的发光装置、以电泳方式等进行显示的电子纸等。有机EL元件基本上具有在一对电极之间夹有包含发光性有机化合物的层的结构。当对该元件施加电压时，可以得到来自发光性有机化合物的发光。通过应用这种有机EL元件，可以实现薄型、轻量、高对比度且低功耗的显示装置。通过在柔性衬底(薄膜)上形成晶体管等半导体元件或有机EL元件等显示元件，可以得到柔性显示装置。在专利文献1中公开了的柔性显示装置的制造方法中，经过牺牲层对依次设置有耐热性树脂层及电子元件的支撑衬底(玻璃衬底)照射激光，将耐热性树脂层从玻璃衬底分离。[参考文献][专利文献][专利文献1]日本专利申请公开第2015-223823号公报
技术实现思路
本专利技术的一个实施方式的目的之一是提供一种新颖的分离方法、新颖的半导体装置的制造方法或新颖的显示装置的制造方法。本专利技术的一个实施方式的另一目的是提供一种成本低且生产率高的分离方法、半导体装置的制造方法或显示装置的制造方法。本专利技术的一个实施方式的另一目的是提供一种成品率高的分离方法。本专利技术的一个实施方式的另一目的是使用大型衬底制造半导体装置或显示装置。本专利技术的一个实施方式的另一目的是以低温制造半导体装置或显示装置。本专利技术的一个实施方式的另一目的是提供一种功耗低的显示装置。本专利技术的一个实施方式的另一目的是提供一种可靠性高的显示装置。本专利技术的一个实施方式的另一目的是显示装置的薄型化或轻量化。本专利技术的一个实施方式的另一目的是提供一种具有柔性或曲面的显示装置。本专利技术的一个实施方式的另一目的是提供一种不容易损坏的显示装置。本专利技术的一个实施方式的另一目的是提供一种新颖的显示装置、新颖的输入/输出装置或新颖的电子设备等。注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。本专利技术的一个实施方式并不需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取其他目的。本专利技术的一个实施方式的半导体装置的制造方法包括：在衬底上形成岛状金属氧化物层的工序；以覆盖金属氧化物层的端部的方式在金属氧化物层上形成树脂层的工序；以及通过照射光，来使金属氧化物层与树脂层相互分离的工序。另外，半导体装置的制造方法也可以包括在形成树脂层之后且照射光之前在树脂层上形成绝缘层的工序。树脂层被形成为岛状。绝缘层以覆盖树脂层的端部的方式形成。本专利技术的一个实施方式的半导体装置的制造方法包括：在衬底上形成岛状金属氧化物层的工序；以覆盖金属氧化物层的端部的方式在金属氧化物层上形成树脂层的工序；以与金属氧化物层及树脂层重叠的方式形成粘合层的工序；以及通过照射光，来使金属氧化物层与树脂层相互分离的工序。粘合层以其端部位于金属氧化物层的端部的内侧的方式形成。另外，半导体装置的制造方法也可以包括在形成树脂层之后且形成粘合层之前在树脂层上形成绝缘层的工序。树脂层被形成为岛状。绝缘层以覆盖树脂层的端部的方式形成。另外，半导体装置的制造方法也可以包括在形成粘合层之前在树脂层上形成框状的隔壁的工序。此时，粘合层形成在隔壁的内侧。树脂层也可以以包括厚度为0.1μm以上且5μm以下的区域的方式形成。作为光也可以使用激光。通过对金属氧化物层与树脂层的界面或者其附近照射激光，来使金属氧化物层与树脂层相互分离。上述照射的光的波长也可以为180nm以上且450nm以下。或者，上述光的波长也可以为308nm或其附近。上述光也可以使用线性激光装置照射。上述光的能量密度也可以为250mJ/cm2以上且360mJ/cm2以下。金属氧化物层也可以以包括钛、钼、铝、钨、硅、铟、锌、镓、钽和锡中的一个或多个的方式形成。或者，金属氧化物层也可以以包括钛和氧化钛中的一个或两个的方式形成。根据本专利技术的一个实施方式，可以提供一种新颖的分离方法、新颖的半导体装置的制造方法或新颖的显示装置的制造方法。根据本专利技术的一个实施方式，可以提供一种成本低且生产率高的分离方法、半导体装置的制造方法或显示装置的制造方法。根据本专利技术的一个实施方式，可以提供一种成品率高的分离方法。根据本专利技术的一个实施方式，可以使用大型衬底制造半导体装置或显示装置。根据本专利技术的一个实施方式，可以以低温制造半导体装置或显示装置。根据本专利技术的一个实施方式，可以提供一种功耗低的显示装置。根据本专利技术的一个实施方式，可以提供一种可靠性高的显示装置。根据本专利技术的一个实施方式，可以实现显示装置的薄型化或轻量化。根据本专利技术的一个实施方式，可以提供一种具有柔性或具有曲面的显示装置。根据本专利技术的一个实施方式，可以提供一种不容易损坏的显示装置。根据本专利技术的一个实施方式，可以提供一种新颖的显示装置、新颖的输入/输出装置或新颖的电子设备等。注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。本专利技术的一个实施方式并不一定必须具有所有上述效果。可以从说明书、附图、权利要求书等的记载显而易见地看出并抽出其他效果。附图说明图1A和图1B是说明包括金属氧化物层及树脂层的叠层结构的俯视图及截面图。图2A和图2B是说明包括金属氧化物层及树脂层的叠层结构的俯视图及截面图。图3A和图3B是说明包括金属氧化物层及树脂层的叠层结构的俯视图及截面图。图4A和图4B是说明包括金属氧化物层及树脂层的叠层结构的俯视图及截面图。图5A1、图5A2、图5B、图5C、图5D1和图5D2是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。图6A和图6B是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。图7A至图7C是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。图8A至图8E是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。图9A、图9B1、图9B2、图9B3和图9B4是示出显示装置的制造方法的例子的截面图及俯视图。图10A至图10C是示出显示装置的制造方法的例子的截面图及俯视图。图11A和图11B是示出显示装置的制造方法的例子的截面图。图12A至图12C是示出显示装置的例子的俯视图及截面图。图13A至图13C是示出显示装置的制造方法的例子的截面图。图14A、图14B、图14C1和图14C2是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。图15A和图15B是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。图16A和图16B是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。图17A和图17B是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。图18A和图18B是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。图19A是示出显示装置的一个例子的俯视图，图19B和图19C是示出显示装置的一个例子的截面图。图20是示出显示装置的一个例子的立体图。图21是示出显示装置的一个例子的截面图。图22是示出显示装置的制造方法的一个例子的流程图。图23是示出显示装置的制造方法的一个例子的截面图。图24A和图24B是示出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成金属氧化物层；以覆盖所述金属氧化物层的端部的方式在所述金属氧化物层上形成树脂层；以覆盖所述树脂层的端部的方式在所述树脂层上形成绝缘层；以及通过进行光照射，来将包括所述树脂层及所述绝缘层的叠层从所述金属氧化物层分离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.03 JP 2016-2157371.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成金属氧化物层；以覆盖所述金属氧化物层的端部的方式在所述金属氧化物层上形成树脂层；以覆盖所述树脂层的端部的方式在所述树脂层上形成绝缘层；以及通过进行光照射，来将包括所述树脂层及所述绝缘层的叠层从所述金属氧化物层分离。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：以与所述金属氧化物层及所述树脂层重叠的方式在所述绝缘层上形成粘合层，该粘合层的端部位于所述金属氧化物层的所述端部的内侧，其中在形成所述粘合层之后将所述树脂层从所述金属氧化物层分离。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在形成所述粘合层之前在所述树脂层上形成框状的隔壁，其中所述粘合层形成在所述隔壁的内侧。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述树脂层包括厚度为0.1μm以上且5μm以下的区域。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述光为激光，并且其中通过对所述金属氧化物层与所述树脂层的界面或者所述界面的附近照射所述激光，来将所述树脂层从所述金属氧化物层分离。6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述光的波长为180nm以上且450nm以下。7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述光的波长为308nm。8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中使用线性激光装置进行所述光照射。9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中以250mJ/cm2以上且360mJ/cm2以下的能量密度进行所述光照射。10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述金属氧化物层包括钛、钼、铝、钨、硅、铟、锌、镓、钽和锡中的一个或多个。11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述金属氧化物层包括钛和氧化钛中的一个或两个。12.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成第一金属氧化物层及第二金属氧化物层；以覆盖所述第一金属氧化物层的端部的方式在所述第一金属氧化物层上形成第一树脂层并且以覆盖所述第二金属氧化物层的端部的方式在所述第二金属氧化物层上形成第二树脂层；以覆盖所述第一树脂层的端部及所述第二树脂层的端部的方式在所述第一树脂层及所述第二树脂层上形成绝缘层；以及通过进行光照射，来将包括所述第一树脂层、所述第二树脂层及所述绝缘层的叠层从所述第一金属氧化物层及所述第二金属氧化物层分离。13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一树脂层及所述第二树脂层的每一个包括厚度为0.1μm以上且5μm以下的区域。14.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：片山雅博，土桥正佳，中田昌孝，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP