The method for synthesizing Mn-doped Cs2AgInCl6 with high fluorescence efficiency belongs to the field of semiconductor nanomaterials preparation technology. First, cesium chloride, silver chloride and indium chloride are mixed and ground. The mixture is gradually hardened and adhered to the wall of the container by fluffy white powder, then softened, and continued to grind until the mixture becomes fluffy white powder again, and then added manganese chloride. Continuous grinding until pink ultra-dry manganese chloride is evenly dispersed in the reaction system, pink disappears and grinding stops. After cleaning with ethanol, the product is dried for 2 hours at 60-350 C in vacuum to obtain high fluorescence efficiency Mn.
【技术实现步骤摘要】
一种高荧光效率Mn掺杂Cs2AgInCl6的合成方法
本专利技术属于半导体纳米材料制备
，具体涉及一种高荧光效率Mn掺杂Cs2AgInCl6无铅双层钙钛矿的制备方法。
技术介绍
卤化铅钙钛矿AIPbIIX3(A＝CH3NH3,Cs；X＝Cl,Br,I)由于其具有较宽的荧光范围、超高的荧光量子产率、载流子迁移率高等优异的固有特性，已被广泛应用于光电领域。虽然传统的卤化铅钙钛矿具有很多优异的性能，但不可否认的是卤化铅钙钛矿的热稳定性较差，在潮湿环境中也不稳定；而且卤化铅钙钛矿因为含有铅元素，所以普遍毒性较高。在这种情况下，双层钙钛矿A2MIMIIIX6(A＝Cs+,MI＝Cu+,Ag+,Na+；MIII＝Bi3+,Sb3+,In3+；X＝Cl,Br,I)被科学家所发现。人们尝试通过寻找稳定的Sb3+，Bi3+基衍生卤化物钙钛矿作为Pb2+卤化物的替代材料。由于其结构配位数和化学价态的限制，Sb3+、Bi3+取代Pb2+的卤化物钙钛矿结构将沿极性[111]面方向产生空隙层以维持电荷中性而形成双层钙钛矿结构。常见的双层钙钛矿如Cs2AgBiX6(X＝Cl-或Br-)...
【技术保护点】
1.一种高荧光效率Mn掺杂Cs2AgInCl6的合成方法，首先将氯化铯、氯化银、氯化铟按摩尔比2：1：1混合后进行研磨，混合物由蓬松的白色粉末逐渐变硬附着在容器壁上，再变软，继续研磨直到混合物再次变成蓬松的白色粉末，然后加入氯化锰继续研磨直到粉色的超干氯化锰均匀分散到反应体系中，粉色消失，停止研磨；其中氯化锰与氯化铟的摩尔比为2～30：100；将得到的产物用乙醇清洗后，在60～350℃真空条件下烘干2小时，得到高荧光效率Mn
【技术特征摘要】
1.一种高荧光效率Mn掺杂Cs2AgInCl6的合成方法，首先将氯化铯、氯化银、氯化铟按摩尔比2：1：1混合后进行研磨，混合物由蓬松的白色粉末逐渐变硬附着在容器壁上，再变软，继续研磨直到混合物再次变成蓬松的白色粉末，然后加入氯化锰继续研磨直到粉色的超干氯化锰均匀分散到反应体系中，粉色消失，停止研磨；其中氯化锰与氯化铟的摩尔比为2～30：100；将得到的产物用乙醇清洗后，在60～350℃真空条件下烘干2小时，得到高荧光效率Mn2+：Cs2AgInCl6。2.根据权利要求1所述的一种高荧...
【专利技术属性】
技术研发人员：解仁国，张资序，汪大洋，杨文胜，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：吉林,22
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