一种能有效提高与CuInSe2层欧姆接触性能的Mo层制造技术

本发明专利技术涉及薄膜太阳能电池制作技术领域，且公开了一种能有效提高与CuInSe2层欧姆接触性能的Mo层，所述Mo层包括以下重量份数配比的原料：60‑80g纳米Mo粉、8.4‑11.4g玻璃粉、0.5‑1g乙基纤维素、2‑3mL丁基卡必醇醋酸酯、1‑2mL邻苯二甲酸二丁酯、1‑1.5mL丙烯酸单体、4‑5.5mL松油醇。本发明专利技术解决了现有技术中Mo层与CuInSe2层，在太阳光的长期辐射下，欧姆接触势垒发生升高的技术问题。

A Mo Layer for Effectively Improving Ohmic Contact Properties with CuInSe2 Layer

The invention relates to the technical field of thin film solar cells, and discloses a Mo layer which can effectively improve the ohmic contact performance of CuInSe2 layer. The Mo layer comprises the following raw materials: 60 80g nano-Mo powder, 8.4 11.4g glass powder, 0.5 1g ethyl cellulose, 2 3mL butyl carbitol acetate, 1 2mL dibutyl phthalate, 1 1.5mL acrylic monomer. 4.5 ml terpineol. The invention solves the technical problem that the ohmic contact barrier of the Mo layer and CuInSe2 layer in the prior art rises under the long-term radiation of sunlight.

【技术实现步骤摘要】
一种能有效提高与CuInSe2层欧姆接触性能的Mo层
本专利技术涉及薄膜太阳能电池制作
，具体为一种能有效提高与CuInSe2层欧姆接触性能的Mo层。
技术介绍
CuInSe2/CdS太阳能电池是以p型CuInSe2和n型CdS为异质结的薄膜太阳能电池，如图1所示，在玻璃衬底1上一共沉积有五层薄膜，由下至上依次为：玻璃衬底1、厚度为500nm的金属Mo背接触层2、厚度为2um的CuInSe2吸收层3、厚度为50nm的CdS缓冲层4、厚度为50nm的本征ZnO层5、厚度为500nm的ZnO:Al窗口层6。尽管金属Mo背接触层2与CuInSe2吸收层3能够形成良好的欧姆接触，且金属Mo背接触层2的热膨胀系数与CuInSe2吸收层3的热膨胀系数接近，但是在太阳光的长期辐射下，金属Mo背接触层2与CuInSe2吸收层3之间的层间界面作用力会发生减弱现象，从而导致金属Mo背接触层2与CuInSe2吸收层3之间的欧姆接触势垒升高。如果能通过增强金属Mo背接触层2与CuInSe2吸收层3之间的粘结性能，以增强金属Mo背接触层2与CuInSe2吸收层3之间层间界面作用力，则能够有效地起到提高金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种能有效提高与CuInSe2层欧姆接触性能的Mo层，其特征在于：所述Mo层包括以下重量份数配比的原料：60‑80g纳米Mo粉、8.4‑11.4g玻璃粉、0.5‑1g乙基纤维素、2‑3mL丁基卡必醇醋酸酯、1‑2mL邻苯二甲酸二丁酯、1‑1.5mL丙烯酸单体、4‑5.5mL松油醇。

【技术特征摘要】
1.一种能有效提高与CuInSe2层欧姆接触性能的Mo层，其特征在于：所述Mo层包括以下重量份数配比的原料：60-80g纳米Mo粉、8.4-11.4g玻璃粉、0.5-1g乙基纤维素、2-3mL丁基卡必醇醋酸酯、1-2mL邻苯二甲酸二丁酯、1-1.5mL丙烯酸单体、4-5.5mL松油醇。2.根据权利要求1所述的Mo层，其特征在于：所述纳米Mo粉的平均粒径≤50nm。3.根据权利要求1所述的Mo层，其特征在于：所述玻璃粉由2g平均粒径≤2.5um的PbO、1.5g平均粒径≤50nm的B2O3、1g平均粒径≤50nm的SiO2、3.5g平均粒径≤50nm的Bi2O3、0.8g平均粒径≤50nm的Li2O、0.8g平均粒径≤100nm的MgO、0.8g平均粒径≤50nm的ZnO、1g平均粒径≤50nm的TiO2组成。4.根据权利要求1所述的Mo层，其特征在于：所述Mo层的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：邓建明，
类型：发明
国别省市：湖南,43