The invention discloses a method for preparing large-area releasable micro-nanostructures. The method of spin-coating is used to throw a layer of polymethyl methacrylate as sacrificial layer on silicon or silicon dioxide substrates, then spin-coating a layer of positive photoresist, using laser direct writing or lithography technology to expose and develop microporous structures, using electron beam evaporation or thermal evaporation technology or sputtering. The technology is to deposit a metal film on the sample; spin-coat a flattened layer of hydrogen sesquisiloxane (HSQ) on the evaporated sample by spin-coating; then bake the sample on a hot plate at low temperature to remove the solvent in the flattened layer of HSQ; then polish the sample until all the metal materials on the orthotropic photoresist are removed; finally, wet etching technology is used to thoroughly remove the solvents in the flattened layer. Releasable micro-and nano-metal structures are obtained by removing the remaining photoresist. The present invention aims to prepare non-adherent layer and easy-to-release micro-and nano-structures in a large area, and has the advantages of high efficiency and large area.
【技术实现步骤摘要】
一种制备大面积可释放微纳结构的方法
:本专利技术属于微纳加工领域,具体涉及一种制备大面积可释放微纳结构的方法。
技术介绍
:一种制备大面积可释放微纳结构的方法,在生物医疗、分子探测、印刷领域有广阔的应用前景。传统制备可释放微纳结构的方法局限于小面积,有粘附层的结构,释放的难度大,时间久。本专利技术制备一种无粘附层的可释放微纳结构,大大提高了微纳结构释放的效果和效率。
技术实现思路
:本专利技术的目的是为了可大面积制备一种可释放的微纳结构,一种无粘附层且容易释放的微纳结构。为了达到此专利技术目的,本专利技术采用以下技术方案:一种制备大面积可释放微纳结构的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、提供衬底,清洗衬底,并用氧等离子体处理衬底表面;步骤二、在衬底上旋涂一层疏水光刻胶,作为牺牲层;步骤三、在牺牲层上面旋涂一层正型光刻胶;步骤四、利用光刻技术对光刻胶进行定点曝光,得到曝光后的样品;步骤五、利用显影液对曝光后的样品进行显影操作,得到显影后样品;步骤六、利用镀膜工艺在显影后样品上镀一层金属薄膜;步骤七、利用旋涂的方法在已经镀上金属薄膜的衬底上旋涂一层平坦化材料;步骤八、 ...
【技术保护点】
1.一种制备大面积可释放微纳结构的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、提供衬底,清洗衬底;步骤二、在衬底上旋涂一层疏水光刻胶,作为牺牲层;步骤三、在牺牲层上面旋涂一层正型光刻胶;步骤四、利用光刻技术对光刻胶进行定点曝光,得到曝光后的样品;步骤五、利用显影液对曝光后的样品进行显影操作,得到显影后样品;步骤六、利用镀膜工艺在显影后样品上镀一层金属薄膜;步骤七、利用旋涂的方法在已经镀上金属薄膜的衬底上旋涂一层平坦化材料;步骤八、将衬底放在热板上烘烤,去除平坦化材料中的溶剂;步骤九、利用斜角离子束抛光,将平坦化材料及光刻胶上的金属薄膜全部去除;步骤十、利用选择性刻蚀,去除剩余的 ...
【技术特征摘要】
1.一种制备大面积可释放微纳结构的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、提供衬底,清洗衬底;步骤二、在衬底上旋涂一层疏水光刻胶,作为牺牲层;步骤三、在牺牲层上面旋涂一层正型光刻胶;步骤四、利用光刻技术对光刻胶进行定点曝光,得到曝光后的样品;步骤五、利用显影液对曝光后的样品进行显影操作,得到显影后样品;步骤六、利用镀膜工艺在显影后样品上镀一层金属薄膜;步骤七、利用旋涂的方法在已经镀上金属薄膜的衬底上旋涂一层平坦化材料;步骤八、将衬底放在热板上烘烤,去除平坦化材料中的溶剂;步骤九、利用斜角离子束抛光,将平坦化材料及光刻胶上的金属薄膜全部去除;步骤十、利用选择性刻蚀,去除剩余的光刻胶,即得到可释放的微纳结构。2.根据权利要求1所述的一种制备大面积可释放微纳结构的方法,其特征在于:所述步骤一中的衬底为硅、二氧化硅、金刚石、氧化铟锡、蓝宝石、铌酸锂、石英或玻璃。3.根据权利要求1所述的一种制备大面积可释放微纳结构的方法,其特征在于:所述步骤二中的疏水光刻胶包括聚甲基丙烯酸甲酯。4.根据权利要求1所述的一种制备大面积可释放微纳结构的方法,其特征在于:所述步骤三中的正型光刻胶,包括AZ系列光刻胶和RZJ-390...
【专利技术属性】
技术研发人员:段辉高,舒志文,陈艺勤,张臣,宋艺昂,刘卿,曾沛,
申请(专利权)人:湖南大学,
类型:发明
国别省市:湖南,43
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