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本发明公开了一种制备大面积可释放微纳结构的方法，本发明用旋涂的方法在硅或二氧化硅衬底先甩一层聚甲基丙烯酸甲酯，作为牺牲层；然后再旋涂一层正型光刻胶；利用激光直写或者光刻技术曝光显影得到微米孔状结构；利用电子束蒸发或热蒸发技术或者溅射技术在样...
该专利属于湖南大学所有，仅供学习研究参考，未经过湖南大学授权不得商用。

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