具有相位可编程的增益级的低噪声放大器制造技术

具有相位可编程的增益级的低噪声放大器。在一些实施例中，射频放大器可包括输入节点、输出节点、和被实施在所述输入节点和所述输出节点之间的相位可编程的增益级。所述相位可编程的增益级可配置成以多个增益设定中的一个来操作，并且提供在所述多个增益设定中的每个对信号的期望相位。

Low Noise Amplifier with Phase Programmable Gain Level

Low Noise Amplifier with Phase Programmable Gain Level. In some embodiments, the RF amplifier may include an input node, an output node, and a phase programmable gain stage implemented between the input node and the output node. The phase programmable gain stage can be configured to operate in one of the plurality of gain settings and provide each desired phase of the signal in the plurality of gain settings.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有相位可编程的增益级的低噪声放大器相关申请的交叉引用本申请要求2016年8月30日递交的、名称为“LOW-NOISEAMPLIFIERHAVINGPROGRAMMABLE-PHASEGAINSTAGE”的美国临时申请No.62/381,353的优先权，其公开内容以引用的方式全部合并于此。
本申请涉及射频放大器，例如低噪声放大器。
技术介绍
在射频(RF)应用中，放大器用于放大信号。为了发射，信号通常由功率放大器放大，从而经放大的信号通过天线以期望的功率发射。为了接收，通过天线接收的相对弱的信号通常由低噪声放大器放大。几乎不具有或没有噪声增加的经放大的信号进一步由接收器电路处理。
技术实现思路
根据一些实施方式，本申请涉及一种射频(RF)放大器，其包括输入节点、输出节点、和实施在所述输入节点和所述输出节点之间的相位可编程的增益级。所述相位可编程的增益级配置成在多个增益设定中的一个下进行操作，并且提供在所述多个增益设定中的每一个对RF信号的期望相位。在一些实施例中，所述射频放大器可以是低噪声放大器(LNA)。所述低噪声放大器可以实施为共源共栅配置(cascodeconfiguration)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频放大器，包括：输入节点；输出节点；和相位可编程的增益级，其实施在所述输入节点和所述输出节点之间，并配置成在多个增益设定中的一个中进行操作，所述相位可编程的增益级还配置成提供在所述多个增益设定中的每一个对信号的期望相位。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.30 US 62/381,3531.一种射频放大器，包括：输入节点；输出节点；和相位可编程的增益级，其实施在所述输入节点和所述输出节点之间，并配置成在多个增益设定中的一个中进行操作，所述相位可编程的增益级还配置成提供在所述多个增益设定中的每一个对信号的期望相位。2.根据权利要求1所述的射频放大器，其中，所述射频放大器是低噪声放大器。3.根据权利要求2所述的射频放大器，其中，所述低噪声放大器实施为共源共栅配置，其具有输入级和共源共栅级，所述相位可编程的增益级实施为至少所述输入级。4.根据权利要求1所述的射频放大器，其中，在所述多个增益设定中的每个的期望相位选定为在所述多个增益设定中提供大致恒定的相位。5.根据权利要求1所述的射频放大器，其中，所述相位可编程的增益级包括一个或多个晶体管，每个所述晶体管具有栅极，用于接收所述信号；源极，其耦接到地；和漏极，其用于输出经放大的信号，使得所述晶体管包括有效输入电阻、有效输入电感L和有效栅-源电容Cgs。6.根据权利要求5所述的射频放大器，其中，所述相位可编程的增益级包括多个以电并联配置方式实施的晶体管，每个晶体管具有Cgs值，使得不同的净Cgs值通过所述晶体管中的一个或多个的操作来获得，所述不同的净Cgs值提供不同的相位。7.根据权利要求6所述的射频放大器，其中，所述相位可编程的增益级还包括开关，其实施在每个晶体管的所述漏极处以控制所述晶体管的操作。8.根据权利要求7所述的射频放大器，其中，所述相应晶体管的Cgs值至少部分地由所述晶体管的W/L大小来获得。9.根据权利要求8所述的射频放大器，其中，所述多个晶体管配置成使得一个晶体管可在最低的增益设定中操作，并且附加的晶体管可针对每个增大的增益设定进行操作。10.根据权利要求8所述的射频放大器，其中，至少一个晶体管的所述W/L大小确定成相当程度地不同于其他晶体管的W/L大小，以对由所述至少一个晶体管特定的增益设定导致的次级效应提供相位补偿。11.根据权利要求10所述的射频放大器，其中，对所述至少一个晶体管特定的增益设定是最低增益设定，并且所述相应的晶体管的W/L大小相当程度地小于其它晶体管的W/L大小。12.根据权利要求5所述射频放大器，其中，所述相位可编程的增益级的至少一个晶体管配置成使得它的有效输入电感L包括可变电感。13.根据权利要求12所述射频放大器，其中，所述可变电感配置成包括一系列L值以获得在所述多个增益设定中的每个对所述信号的期望相位。14.根据权利要求5所述的射频放大器，其中，所述相位可编程的增益级的至少一个晶体管配置成包括位于栅极和源极之间的可变电容。15.根据权利要求14所述的射频放大器，其中，所述可变电容配置成一系列Cgs值以获得在所述多个增益设定中的每个对所述信号的期望相位。16.一种用于放大射频信号的方法，所述方法包括：将增益级配置成处于多个增益设定中所选择的一个中，至少一些所述增益设定导致所述射频信号的不同相位；和针对所述选择的增益设定，调整所述射频信号的相位，所述调整的相位是从所述不同相位调整的期望相位的一部分。17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述增益级是低噪声放大器的一部分。18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述期望的相位导致在所述多个增益设定中近似恒定的相位。19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述相位的调整包括调整所述增益级的晶体管的有效输入电感L和有效栅-源电容Cgs中的一个或多个，其中所述增益级的晶体管具有栅极，用于接收所述射频信号；源极，其耦接到地；和漏极，其用于输出经放大的射频信号。20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述相位的调整包括操作多个以电并联配置的晶体管，每个晶体管具有Cgs值使得不同的净Cgs值通过操作所述晶体管中的一个或多个来获得，所述不同的净Cgs值提供不同的相位。21.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·李，J·J·E·M·哈格瑞茨，J·H·周，
申请(专利权)人：天工方案公司，
类型：发明
国别省市：美国,US