The invention discloses a method for generating reference current of double-separated grid flash memory, which is a reference unit of not less than two rows. Four or eight or even rows of odd rows and even rows are taken to average each other. When selecting odd rows of storage unit, the reference current is generated by the reference unit of odd rows; when selecting even rows, the reference current is generated by the reference unit of even rows. Thus, the error caused by the difference between odd and even rows can be eliminated.
【技术实现步骤摘要】
双分离栅闪存的参考电流产生方法
本专利技术涉及半导体器件设计及制造领域，具体是指一种双分离栅闪存的参考电流产生方法。
技术介绍
现有的双分离栅闪存的一个存储单元的结构大致如图1所示，图中包含a、b两个晶体管单元，在理论设计上，a、b两个单元是完全相同的，两单元中间为字线WL，两个单元分别包含控制栅CG0、CG1，以及位线BL0、BL1。由于制造工艺上的原因，a、b两个单元不可能做到完全的对称，这就导致了两个单元在操作性能上的差异。比如在某一个存储单元的操作如下：a单元的操作：ReadProgramEraseWL4.91.58CG008-7CG14.55-7BL0050BL10.8Idp0b单元的操作：ReadProgramEraseWL4.51.58CG04.55-7CG108-7BL00.8Idp0BL1050从上图可以看出操作上的参数差异。闪存的存储阵列如图2所示，在操作过程中，传统的参考电流方法，是用一行参考单元(RCG2)，取其中4个或者8个节点，甚至更多的单元做平均，缺点是由于“a”(偶数行单元)和“b”(奇数行单元)在工艺上不能做到完全一致，参数上不能...
【技术保护点】
1.一种双分离栅闪存的参考电流产生方法，在闪存的存储阵列中，包含有多根位线构成列，以及多根控制栅线、字线、参考电流线构成行；所述行、列之间具有交叉节点，闪存的存储单元位于该交叉节点上，形成闪存的数据进出通道；其特征在于：在所述阵列的行中采用不少于两行的参考电流线，形成分为奇数行及偶数行的参考电流线；所述阵列中还包含有多根参考位线，所述每一根参考位线均与此奇数行及偶数行的参考电流线相连。
【技术特征摘要】
1.一种双分离栅闪存的参考电流产生方法，在闪存的存储阵列中，包含有多根位线构成列，以及多根控制栅线、字线、参考电流线构成行；所述行、列之间具有交叉节点，闪存的存储单元位于该交叉节点上，形成闪存的数据进出通道；其特征在于：在所述阵列的行中采用不少于两行的参考电流线，形成分为奇数行及偶数行的参考电流线；所述阵列中还包含有多根参考位线，所述每一根参考位线均与此奇数行及偶数行的参考电流线相连。2.如权利要求1所述的双分离栅闪存的参考电流产生方法，其特征在于：所述的参考位线为4个或者8个，或者更多，每根参考位线均与所述不少于两行的参考电流线连接。3.如权利要求1所述的双分离栅闪存的参考电流产生方法，其特征在于：所述的闪存在编程时，采用多晶硅反转的隧道效应方式。4.如权利要求1所述的双分离栅闪存的参考电流产生方法，其特征在于：所述的闪存的存储阵列中，包含多个存储单元，每个存储单元有两个晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨光军，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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