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本发明公开了一种双分离栅闪存的参考电流产生方法，是用不少于两行的参考单元，奇数行和偶数行各取其中4个或者8个，甚至更多的单元做平均，选中奇数行存储单元时，用奇数行的参考单元产生参考电流；选中偶数行时，用偶数行的参考单元产生参考电流，这样就可...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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