光刻投影物镜、边缘曝光系统和边缘曝光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种光刻投影物镜，所述光刻投影物镜包括第一镜组、第二镜组、第三镜组、第四镜组、第五镜组、第六镜组，所述第一镜组、第二镜组、第三镜组、第四镜组、第五镜组、第六镜组的焦距满足：0.05

【技术实现步骤摘要】
光刻投影物镜、边缘曝光系统和边缘曝光装置
本专利技术属于光刻曝光
，涉及光刻投影物镜、边缘曝光系统和边缘曝光装置。
技术介绍
硅片边缘曝光是IC电路制造的重要工艺环节，通过使用紫外光对硅片表面的光刻胶进行曝光使之发生化学变化并显影完成硅片边缘的去胶处理。但是由于不同的工艺中所使用的的光刻胶的光谱响应范围不同，这样在加工的时候，就需要根据具体的光刻胶选择不同的曝光镜头进行曝光，实际操作比较繁琐。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供光刻投影物镜、边缘曝光系统和边缘曝光装置，旨在解决现有技术中边缘曝光需要根据具体的光刻胶选择不同的曝光镜头进行曝光带来的操作繁琐的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种光刻投影物镜，所述光刻投影物镜包括第一镜组、第二镜组、第三镜组、第四镜组、第五镜组、第六镜组，所述第一镜组、第二镜组、第三镜组、第四镜组、第五镜组、第六镜组的焦距满足：0.05<f1/f<0.15；-0.32<f2/f<-0.22；0.08<f3/f<0.18；0.05<f4/f<0.15；-0.7<f5/f<-0.5；0本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻投影物镜，其特征在于，所述光刻投影物镜包括第一镜组、第二镜组、第三镜组、第四镜组、第五镜组、第六镜组，所述第一镜组、第二镜组、第三镜组、第四镜组、第五镜组、第六镜组的焦距满足：0.05<f1/f<0.15；‑0.32<f2/f<‑0.22；0.08<f3/f<0.18；0.05<f4/f<0.15；‑0.7<f5/f<‑0.5；0.06<f6/f<0.16；其中，所述光刻投影物镜的总焦距为f，所述第一镜组的焦距为f1，所述第二镜组的焦距为f2，所述第三镜组的焦距为f3，所述第四镜组的焦距为f4，所述第五镜组的焦...

【技术特征摘要】
1.一种光刻投影物镜，其特征在于，所述光刻投影物镜包括第一镜组、第二镜组、第三镜组、第四镜组、第五镜组、第六镜组，所述第一镜组、第二镜组、第三镜组、第四镜组、第五镜组、第六镜组的焦距满足：0.05<f1/f<0.15；-0.32<f2/f<-0.22；0.08<f3/f<0.18；0.05<f4/f<0.15；-0.7<f5/f<-0.5；0.06<f6/f<0.16；其中，所述光刻投影物镜的总焦距为f，所述第一镜组的焦距为f1，所述第二镜组的焦距为f2，所述第三镜组的焦距为f3，所述第四镜组的焦距为f4，所述第五镜组的焦距为f5，所述第六镜组的焦距为f6。2.根据权利要求1所述的光刻投影物镜，其特征在于，所述光刻投影物镜包括至少六个镜片，所述第一镜组至少包括一个镜片，所述第二镜组至少包括一个镜片，所述第三镜组至少包括一个镜片，所述第四镜组至少包括一个镜片，所述第五镜组至少包括一个镜片，所述第六镜组至少包括一个镜片。3.根据权利要求2所述的光刻投影物镜，其特征在于，所述至少六个镜片的材料均为熔融石英。4.根据权利要求1至3任一项所述的光刻投影物镜，其特征在于，还包括有一光阑。5.根据权利要求4所述的光刻投影物镜，其特征在于，所述光阑设置于所述第三镜组与所述第四镜组之间。6.根据权利要求1至3任一项所述的光刻投影物镜，其特征在于，所述f的大小为367毫米，所述f1、f2、f3、f4、f...

【专利技术属性】
技术研发人员：程习敏，田翠侠，蓝科，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31