基于ZnSe/ZnO的二氧化氮气体传感器及制备工艺制造技术

技术编号:21296811 阅读:63 留言:0更新日期:2019-06-12 06:32
本发明专利技术公开了一种基于ZnSe/ZnO的二氧化氮气体传感器及制备工艺,所述传感器包括气敏材料和加热电极。气敏材料涂覆在加热电极表面,涂覆厚度为50μm~80μm,气敏材料是硒化锌和氧化锌形成的异质结复合纳米材料。其制备工艺包括以下步骤:步骤一,将硒化锌粉末置于方舟中放入管式炉,同时通入20%氧气与80%氮气的干态混合气体进行加热。反应温度为400℃~600℃,保持0.5h~4h,然后自然冷却至室温,即得到ZnSe/ZnO异质结。步骤二,将ZnSe/ZnO异质结粉末放入研钵中,加入去离子水,研磨至溶液呈均匀悬浊状。取悬浊液涂覆到加热电极表面,放置于干燥箱80℃干燥,得到二氧化氮气体传感器。本发明专利技术的二氧化氮气体传感器制作的工艺步骤简单,成本低,且对二氧化氮响应灵敏。

【技术实现步骤摘要】
基于ZnSe/ZnO的二氧化氮气体传感器及制备工艺
本专利技术属于二氧化氮气体传感器
,具体涉及一种基于ZnSe/ZnO的二氧化氮气体传感器及制备工艺。
技术介绍
二氧化氮是造成空气污染最常见的有毒气体之一,主要来源于化石燃料的高温煅烧、工业废气以及机动车尾气的排放等。鉴于二氧化氮的毒性,当人体处在大于8ppm浓度的二氧化氮环境中超过5个小时,人体将造成不可逆转的严重伤害。近年来,检测二氧化氮的气体传感器大多采用金属氧化物半导体材料制备而成。这类传感器普遍需要300℃以上的高温工作环境,其响应灵敏度、抗干扰性一般。工艺方面主要采用陶瓷管内嵌加热式电阻丝,制备过程较为繁琐。因此,制备一种对二氧化氮选择性好、响应高、稳定性强的材料,并制备工艺简单的二氧化氮气体传感器尤为重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于ZnSe/ZnO异质结,对二氧化氮气体的响应值高、选择性好、稳定性强,且能够在300℃以下工作的一种新型二氧化氮传感器及制备方法。本专利技术的技术方案:基于ZnSe/ZnO的二氧化氮气体传感器,包括气体敏感材料和加热电极,其特征在于,所述气体敏感材料均匀涂覆于所述加热本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于ZnSe/ZnO的二氧化氮气体传感器,包括气体敏感材料和加热电极,其特征在于,所述气体敏感材料均匀涂覆于所述加热电极的表面,涂覆厚度为50μm~80μm;所述气体敏感材料包括硒化锌和氧化锌形成的异质结复合纳米材料。

【技术特征摘要】
1.基于ZnSe/ZnO的二氧化氮气体传感器,包括气体敏感材料和加热电极,其特征在于,所述气体敏感材料均匀涂覆于所述加热电极的表面,涂覆厚度为50μm~80μm;所述气体敏感材料包括硒化锌和氧化锌形成的异质结复合纳米材料。2.根据权利要求1所述的基于ZnSe/ZnO的二氧化氮气体传感器,其特征在于,所述的ZnSe/ZnO异质结复合纳米材料的尺寸为200nm~400nm。3.根据权利要求1或2所述的基于ZnSe/ZnO的二氧化氮气体传感器,其特征在于,所述加热电极为正面带有纯金,厚度3~7um的氧化铝基板,背面带有发热电阻板,所述发热电阻板发热温度可达400℃。4.根据权利要求3所述的基于ZnSe/ZnO的二氧化氮气体传感器,其特征在于,工作环境温度为210℃~230℃。5.根据权利要求1所述的基于ZnSe/ZnO的二氧化氮气体传感器,其特征在于,所述ZnSe/ZnO异质结复合纳米材料通过原位氧化法制备。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:林仕伟刘炜李晓干张俊平陈汉德周义龙顾丁王雪燕
申请(专利权)人:海南聚能科技创新研究院有限公司
类型:发明
国别省市:海南,46

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1