A wafer splitting device and method of the invention include a main body with a clamping device for fixing the wafer on the main body, a negative pressure system for adsorbing the wafer on the main body and forming a closed space, and a positive pressure system for applying gas to the closed space formed by the wafer and the main body so as to make the wafer in accordance with the preconception. The first formed cutting path is disconnected, and the wafer is split to form grains. The invention adopts gas instantaneous pressure to split the wafer into grains, which has high yield and reduces edge collapse.
【技术实现步骤摘要】
一种晶圆劈裂装置及其方法
本专利技术属于半导体材料或高硬高脆材料
，涉及一种半导体晶圆加工装置及其方法，尤其适用于一种晶圆劈裂装置及其方法。
技术介绍
随着科学技术的进步和发展，半导体或高硬高脆材料的切割工艺也在不断创新。现有的晶圆劈裂工艺是把预先切割好的覆膜晶圆放在加工位，预先切割可以通过激光切割或是刀具切割方法。晶圆本身放在专用的薄膜上，这个是通过晶圆覆膜机实现的。覆膜晶圆放在砧板上，通过劈刀对已经切割的晶圆道施加外力，使晶圆沿切割道裂开。现有的的晶圆劈裂工艺虽然可以配合CCD图像定位系统对准切割道进行晶圆的劈裂而得到多个晶粒，却仍具有以下缺点：在对位劈裂步骤中，对劈刀的直线度，劈刀和切割道的平行度，砧板的平面度等指标要求很高，如有偏差将使该劈刀无法完全对准切割道，而直接造成晶圆损坏；每次只能劈裂一个切割道，不能劈裂多尺寸芯片晶圆(只能劈裂贯穿道，非贯穿道需要倒膜)，生产效率非常低，工艺要求过高。鉴于上述现有的晶圆劈裂工艺存在的缺陷，本专利技术基于现有晶圆产品的特殊性，例如MEMS的微结构传感器晶圆，表面有高脆镀层等晶圆，基于新的激光切割工艺，如激光隐形...
【技术保护点】
1.一种晶圆劈裂装置，包括：一主体，所述主体上具有夹紧装置，用于将晶圆固定在所述主体上；负压系统，用于将所述晶圆吸附在主体上，并形成密闭空间；正压系统，用于向所述晶圆与所述主体形成的密闭空间施加气体，使所述晶圆按照预先形成的切割道断开，将所述晶圆进行劈裂形成晶粒。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆劈裂装置，包括：一主体，所述主体上具有夹紧装置，用于将晶圆固定在所述主体上；负压系统，用于将所述晶圆吸附在主体上，并形成密闭空间；正压系统，用于向所述晶圆与所述主体形成的密闭空间施加气体，使所述晶圆按照预先形成的切割道断开，将所述晶圆进行劈裂形成晶粒。2.如权利要求1所述的晶圆劈裂装置，其特征在于：所述晶圆底面具有膜，所述膜与固定晶圆的框体相连接，所述夹紧装置夹紧所述框体，从而将所述晶圆固定在所述主体上。3.如权利要求1所述的晶圆劈裂装置，其特征在于：所述负压系统包括吸附装置和抽气口，所述吸附装置为形成在所述主体上表面的槽，所述槽与所述抽气口相通。4.如权利要求3所述的晶圆劈裂装置，其特征在于：所述槽沿所述主体表面环形分布，以便在所述晶圆和所述主体表面之间形成密闭空间。5.如权利要求1所述的晶圆劈裂装置，其特征在于：所述正压系统包括施压腔室和充气口，所述施...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：北京中科镭特电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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