SiC盘表面AlN膜层的清洗方法技术

本发明专利技术提供了一种SiC盘表面AlN膜层的清洗方法，包括：将溅射有AlN膜层的SiC盘放入碱性清洗液中浸泡；将浸泡后的SiC盘放入温水槽中浸泡；将浸泡后的SiC盘用温水冲洗；将冲洗后的SiC盘放入烘箱中烘烤，完成对SiC盘表面AlN膜层的清洗，其可以有效去除SiC盘表面AlN膜层的同时不会损伤SiC盘。

Cleaning Method of AlN Film on SiC Disk Surface

The invention provides a cleaning method of AlN film layer on the surface of SiC disc, which includes: soaking SiC disc sputtered with AlN film in alkaline cleaning solution; soaking SiC disc after soaking in warm water tank; washing SiC disc after soaking with warm water; baking SiC disc after washing in oven to complete the cleaning of AlN film layer on the surface of SiC disc, which can effectively remove AlN film on the surface of SiC disc. The layer will not damage the SiC disk at the same time.

【技术实现步骤摘要】
SiC盘表面AlN膜层的清洗方法
本专利技术涉及半导体
，尤其是一种SiC盘表面AlN膜层的清洗方法。
技术介绍
SiC(碳化硅)盘在溅射AlN(氮化铝)后，表面会沉积一层ALN膜层。传统的高温炉烘烤工艺不但无法有效的处理该AlN膜层，反而会在SiC盘表面形成质量更好、更致密的AlN膜层，进而影响SiC盘的导热性。喷砂处理虽然可以有效的去除AlN膜层，但无可避免的会损伤SiC盘，导致SiC盘的寿命大幅缩减。
技术实现思路
为了克服以上不足，本专利技术提供了一种SiC盘表面AlN膜层的清洗方法，有效解决现有技术中SiC盘表面AlN膜层不能有效清理的技术问题。本专利技术提供的技术方案包括：一种SiC盘表面AlN膜层的清洗方法，包括：将溅射有AlN膜层的SiC盘放入碱性清洗液中浸泡；将浸泡后的SiC盘放入温水槽中浸泡；将浸泡后的SiC盘用温水冲洗；将冲洗后的SiC盘放入烘箱中烘烤，完成对SiC盘表面AlN膜层的清洗。所述碱性清洗液由KOH(氢氧化钾)和去离子水混合而成，或由NaOH(氢氧化钠)和去离子水混合而成，质量比为0.2～0.35。进一步优选地，将溅射有AlN膜层的SiC盘放入碱性清洗液中浸泡，具体为：将溅射有AlN膜层的SiC盘放入碱性清洗液中浸泡5～40min(分钟)，所述碱性清洗液的温度范围为100～150℃(摄氏度)。进一步优选地，将浸泡后的SiC盘放入温水槽中浸泡，具体为：将浸泡后的SiC盘放入温水槽中浸泡5～60min，温水槽中温水的温度范围为30～80℃。进一步优选地，将浸泡后的SiC盘用温水冲洗，具体为：将浸泡后的SiC盘用温水冲洗10～120min。进一步优选地，将冲洗后的SiC盘放入烘箱中烘烤，具体为：将冲洗后的SiC盘放入烘箱中，在温度范围为100～200℃的条件下，烘烤30～180min。本专利技术提供的SiC盘表面AlN膜层的清洗方法，可以有效去除SiC盘表面AlN膜层的同时不会损伤SiC盘，有效解决现有技术中SiC盘表面AlN膜层不能有效清理的技术问题。附图说明图1为本专利技术中SiC盘表面AlN膜层的清洗方法流程示意图。具体实施方式为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本专利技术的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。如图1所示为本专利技术提供的SiC盘表面AlN膜层的清洗方法流程示意图，在该清洗方法中包括：S1将溅射有AlN膜层的SiC盘放入碱性清洗液中浸泡。具体，该碱性清洗液由质量比为0.2～0.35的KOH和去离子水混合而成，或由质量比为0.2～0.35的NaOH和去离子水混合而成。在清洗过程中，将溅射有AlN膜层的SiC盘放入碱性清洗液中浸泡5～40min，碱性清洗液的温度范围为100～150℃。S2将浸泡后的SiC盘放入温水槽中浸泡。具体，将浸泡后的SiC盘放入温水槽中浸泡5～60min，温水槽中温水的温度范围为30～80℃S3将浸泡后的SiC盘用温水冲洗。具体，将浸泡后的SiC盘用温水冲洗10～120min。S4将冲洗后的SiC盘放入烘箱中烘烤，完成对SiC盘表面AlN膜层的清洗。具体，将冲洗后的SiC盘放入烘箱中，在温度范围为100～200℃的条件下，烘烤30～180min。实施例1：1.将已溅射AlN膜层的SiC盘浸泡入质量比为0.4(KOH和去离子水的质量比)的碱性清洗液中30min，温度100℃；2.取出SiC盘，放入60℃的温水槽中，浸泡30min；3.取出SiC盘，放入常温水槽中，冲洗1h(小时)；4.取出SiC盘，放入150℃烘箱中，烘烤2h；5.取出SiC盘，放入氮气柜中备用。在该实例中，清洗后的SiC盘外观干净，与正常盘无差异。实施例2：1.将已溅射AlN膜层的SiC盘浸泡入质量比为0.3(KOH和去离子水的质量比)的碱性清洗液中10min，温度140℃；2.取出SiC盘，放入60℃中温水槽中，浸泡30min；3.取出SiC盘，放入常温水槽中，冲洗1h；4.取出SiC盘，放入150℃烘箱中，烘烤2h；5.取出SiC盘，放入氮气柜中备用。在该实例中，清洗后的SiC盘外观干净，与正常盘无差异。应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC盘表面AlN膜层的清洗方法，其特征在于，包括：将溅射有AlN膜层的SiC盘放入碱性清洗液中浸泡；将浸泡后的SiC盘放入温水槽中浸泡；将浸泡后的SiC盘用温水冲洗；将冲洗后的SiC盘放入烘箱中烘烤，完成对SiC盘表面AlN膜层的清洗。

【技术特征摘要】
1.一种SiC盘表面AlN膜层的清洗方法，其特征在于，包括：将溅射有AlN膜层的SiC盘放入碱性清洗液中浸泡；将浸泡后的SiC盘放入温水槽中浸泡；将浸泡后的SiC盘用温水冲洗；将冲洗后的SiC盘放入烘箱中烘烤，完成对SiC盘表面AlN膜层的清洗。2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述碱性清洗液由KOH和去离子水混合而成，或由NaOH和去离子水混合而成，质量比为0.2～0.35。3.如权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，将溅射有AlN膜层的SiC盘放入碱性清洗液中浸泡，具体为：将溅射有AlN膜层的SiC盘放入碱性清洗液中浸泡...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂逵，
申请(专利权)人：晶能光电江西有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36