The solid state switch has at least one FET type device and at least one thyristor type device coupled in parallel with the at least one FET type device. The at least one FET device is constructed with a first power loss curve based on the rated current of the electrical device, and the at least one thyristor device is constructed with a second power loss curve based on the surge current associated with the electrical device.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态开关系统
本申请总体涉及开关,并且更具体地但非排他地涉及固态开关。
技术介绍
各种类型的固态开关系统,例如,接触器、断路器、继电器和其它固态开关仍然是感兴趣的领域。一些现有系统相对于某些应用具有各种短处、弊端和缺点。例如,在一些固态开关中,可以例如在电气设备的稳态操作期间和/或在由电气设备汲取的涌入电流或其它浪涌电流期间进行功率损耗的改进。因此,仍然需要在该
中做出进一步的贡献。
技术实现思路
本专利技术的一个实施例是一种固态接触器。另一实施例是一种固态开关。其它实施例包括用于固态开关系统的器件装置、系统、器件、硬件、方法和组合。通过在这里一起提供的描述和附图,本申请的另外的实施例、形式、特征、方面、益处和优点将变得显而易见。附图说明本文的描述参照了附图,其中相同的附图标记在多个视图中指代相同部分,以及其中:图1示意性地图示了根据本专利技术的实施例的电气系统的非限制性示例的一些方面。图2图示了根据本专利技术的实施例的能够被采用的电机启动期间的浪涌电流或过电流的非限制性示例的一些方面。图3示意性地图示了根据本专利技术的实施例的在高于和低于电流阈值的操作期间的固态开关和代表性电流的非限制性示例的一些方面。图4图示了根据本专利技术的实施例的FET型器件、晶闸管型器件以及组合的FET型器件和晶闸管型器件的损耗曲线的非限制性示例的一些方面。图5示意性地图示了根据本专利技术的实施例的固态开关的非限制性示例的一些方面。图6示意性地图示了根据本专利技术的实施例的固态开关的非限制性示例的一些方面。图7示意性地图示了根据本专利技术的实施例的固态开关的非限制性示例的一些方 ...
【技术保护点】
1.一种固态接触器系统,所述固态接触器系统用于将电机连接至电源以及将所述电机与所述电源断开连接,所述电机具有额定电流,所述固态接触器系统包括:第一端子,所述第一端子被构造用于耦合至电源并且从所述电源接收功率;第二端子,所述第二端子被构造用于将来自所述电源的功率提供给所述电机;至少一个FET型器件,所述至少一个FET型器件被耦合至所述第一端子和所述第二端子;以及至少一个晶闸管型器件,所述至少一个晶闸管型器件与所述至少一个FET型器件并联地耦合至所述第一端子和所述第二端子,其中所述至少一个FET型器件被构造有第一功率损耗曲线,所述第一功率损耗曲线基于所述额定电流;以及其中所述至少一个晶闸管型器件被构造有第二功率损耗曲线,所述第二功率损耗曲线基于与所述电机相关联的涌入电流和启动电流。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.22 US 15/217,5711.一种固态接触器系统,所述固态接触器系统用于将电机连接至电源以及将所述电机与所述电源断开连接,所述电机具有额定电流,所述固态接触器系统包括:第一端子,所述第一端子被构造用于耦合至电源并且从所述电源接收功率;第二端子,所述第二端子被构造用于将来自所述电源的功率提供给所述电机;至少一个FET型器件,所述至少一个FET型器件被耦合至所述第一端子和所述第二端子;以及至少一个晶闸管型器件,所述至少一个晶闸管型器件与所述至少一个FET型器件并联地耦合至所述第一端子和所述第二端子,其中所述至少一个FET型器件被构造有第一功率损耗曲线,所述第一功率损耗曲线基于所述额定电流;以及其中所述至少一个晶闸管型器件被构造有第二功率损耗曲线,所述第二功率损耗曲线基于与所述电机相关联的涌入电流和启动电流。2.根据权利要求1所述的固态接触器,其中所述至少一个FET型器件被选择并且构造为在所述额定电流时和在低于所述额定电流时具有比所述至少一个晶闸管型器件低的功率损耗;以及其中所述至少一个晶闸管型器件被选择并且构造为在与所述电机相关联的所述涌入电流和启动电流时具有比所述至少一个FET型器件低的功率损耗。3.根据权利要求1所述的固态接触器系统,其中电流被共享在所述至少一个FET型器件与所述至少一个晶闸管型器件之间。4.根据权利要求1所述的固态接触器系统,其中所述至少一个晶闸管型器件包括:第一晶闸管型器件,所述第一晶闸管型器件与所述至少一个FET型器件并联地直接耦合至所述第一端子和所述第二端子;以及第二晶闸管型器件,所述第二晶闸管型器件与所述第一晶闸管型器件反并联地直接耦合至所述第一端子和所述第二端子。5.根据权利要求1所述的固态接触器系统,其中所述至少一个FET型器件包括栅极,所述固态接触器系统进一步包括栅极驱动器,所述栅极驱动器与所述栅极连通,并且可操作以在所述电机的操作期间向所述栅极提供连续接通信号。6.根据权利要求1所述的固态接触器系统,其中所述至少一个晶闸管型器件包括栅极,所述固态接触器系统进一步包括栅极驱动器,所述栅极驱动器与所述栅极连通,并且可操作以在所述电机的稳态操作期间向所述栅极提供连续关断信号。7.根据权利要求6所述的固态接触器系统,其中所述栅极驱动器可操作以在高于所述额定电流的电流时向所述至少一个晶闸管型器件提供脉冲接通信号和/或连续接通信号。8.根据权利要求1所述的固态接触器系统,其中所述至少一个FET型器件是反串联地耦合的至少两个FET型器件。9.根据权利要求1所述的固态接触器系统,其中所述额定电流等于或低于阈值电流;其中所述至少一个FET型器件被选择并且构造为在低于所述阈值电流时将第一电流提供给所述电机;以及其中所述至少一个晶闸管型器件被选择并且构造为在超过所述阈值电流时将第二电流提供给所述电机。10.根据权利要求9所述的固态接触器系统,其中所述阈值电流被限定为通过所述至少一个FET型器件的所述功率损耗等于通过所述至少一个晶闸管型器件的所述功率损耗的电流;以及其中所述至少一个FET型器件和所述至少一个晶闸管型器件被选择并且构造为在所述额定电流时或在高于所述额定电流时具有达到期望阈值电流的功率损耗曲线。11.根据权利要求1所述的固态接触器系统,其中所述至少一个FET型器件被选择并且构造为在至多所述额定电流的电流水平时将电流提供给所述电机;以及其中所述至少一个晶闸管器件被选择并且构造为在超过所述额定电流时将...
【专利技术属性】
技术研发人员:P·凯罗利,L·霍夫施泰特尔,M·巴托尔,R·比尼,M·拉希莫,
申请(专利权)人:ABB瑞士股份有限公司,
类型:发明
国别省市:瑞士,CH
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