半导体装置制造方法及图纸

半导体装置，具备：第1芯片(10)，具有第1开关元件(12)，该第1开关元件(12)限制电流路径中电流在一个方向上的流动；第2芯片(20)，具有第2开关元件(22)，该第2开关元件(22)限制电流路径中电流在一个方向的相反方向上的流动；布线(30)，通过将第1芯片和第2芯片进行中继而形成电流路径的一部分；引线框(40)，具有固定配置有第1芯片的第1导体(42)和固定配置有第2芯片的第2导体(44)，形成电流路径；以及模塑树脂(60)，将第1芯片、第2芯片、布线以及引线框一体地封固；布线是具有电阻体(32)的分流电阻；引线框还具有用来检测电阻体的电压下降的感测端子(100e、100f、46)。

Semiconductor Device

Semiconductor devices include: a first chip (10), a first switching element (12), which restricts the flow of current in one direction in the current path; a second chip (20), which has a second switching element (22), which restricts the flow of current in the opposite direction in the current path; and wiring (30), by carrying out the first chip and the second chip. Then a part of the current path is formed; the lead frame (40), which has a first conductor (42) fixed with the first chip and a second conductor (44) fixed with the second chip, forms a current path; and the moulding resin (60), which integrates the first chip, the second chip, the wiring and the lead frame; the wiring is a shunt resistance with a resistor (32); the lead frame also has a shunt resistance for detecting resistance. Voltage drop sensing terminals (100e, 100f, 46).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置本申请基于2016年10月7日提出申请的日本专利申请第2016－199127号主张优先权，这里引用其记载内容。
本专利技术涉及具备具有半导体元件的多个芯片和将芯片彼此连接的布线的半导体装置。
技术介绍
以往，如专利文献1所记载那样，已知具备双向开关及电流检测器的3相交流－直流变换装置。双向开关具有被相互连接的一对开关元件。双向开关通过两者的开关元件成为断开状态，从而限制在电流路径中流过电流。此外，电流检测器与一方的开关元件连接，检测流过双向开关的电流。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2003－199350号公报专利技术概要此外，在将纵型的元件用作开关元件等情况下，作为双向开关的结构，有时采用在相互不同的芯片上形成了2个开关元件的结构。在此情况下，需要将芯片彼此连接的布线。因此，除了多个芯片及电流检测器以外，还需要设置将芯片彼此连接的布线，有可能增大3相交流－直流变换装置的零件件数。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供抑制零件件数增大的半导体装置。本专利技术的一技术方案的半导体装置，与在双向上流过电流的电流路径连接并形成电流路径的一部分。半导体装置具备：第1芯片，具有第1开关元件，该第1开关元件通过被设为截止状态而限制电流路径中电流在一个方向上的流动；第2芯片，具有第2开关元件，该第2开关元件通过被设为截止状态而限制电流路径中电流在一个方向的相反方向上的流动；布线，一端与第1芯片连接且另一端与第2芯片连接，通过将第1芯片和第2芯片进行中继而形成电流路径的一部分；引线框，具有固定配置有第1芯片的第1导体和固定配置有第2芯片的第2导体，形成电流路径；以及模塑树脂，将第1芯片、第2芯片、布线以及引线框一体地封固。布线是分流电阻，具有用来检测流过电流路径的电流的电阻体；引线框还具有连接于布线中的电阻体的两端且用来检测电阻体的电压下降的感测端子。在上述结构中，第1芯片及第2芯片通过用来检测流过电流路径的电流的分流电阻而被连接。由此，相比于在将第1芯片及第2芯片连接的布线之外设置有分流电阻的结构，能够将布线省略。因而，能够抑制半导体装置的零件件数增大。附图说明关于本专利技术的上述目的及其他目的、特征及优点，参照附图并通过下述的详细的记述会变得更明确。图1是表示第1实施方式的半导体装置的概略结构的电路图。图2是表示半导体装置的构造的平面图。图3是沿着图2的III－III线的剖视图。图4是表示半导体装置的构造的侧视图。图5是表示半导体装置的构造的平面图。具体实施方式参照附图进行说明。另外，在多个实施方式中，对于共通乃至关联的要素赋予相同的标号。将引线框的厚度方向表示为Z方向，将与Z方向正交的特定的方向表示为X方向，将与Z方向及X方向正交的方向表示为Y方向。(第1实施方式)首先，基于图1，对半导体装置100的电路结构进行说明。半导体装置100连接于在双向上流过电流的电流路径，并且形成电流路径的一部分。半导体装置100适用于例如具备锂电池及铅电池的电源系统、具备ISG及锂电池的系统。另外，ISG是IntegratedStarterGenerator(起动发电机)的简称。半导体装置100具备第1芯片10、第2芯片20和分流电阻30。半导体装置100也可以称作半导体模组。此外，半导体装置100中，作为端子而具有第1端子100a、第2端子100b、控制端子100c、100d以及感测端子100e、100f。第1芯片10具有第1开关元件12。此外，第2芯片20具有第2开关元件22。开关元件12、22是用来控制是否使电流流过电流路径的元件。开关元件12、22是纵型的半导体元件。在本实施方式中，开关元件12、22是MOSFET。第1开关元件12具有寄生二极管。该寄生二极管的阴极连接到第1开关元件12的漏极，阳极连接到第1开关元件12的源极。通过使第1开关元件12成为截止状态，向第1开关元件12流动的电流的路径被仅限制为从寄生二极管的阳极流向阴极的路径。即，通过使第1开关元件12成为截止状态，在电流路径中限制电流向一方向的流动。第1开关元件12的漏极连接到第1端子100a。第1端子100a连接到外部布线。第1开关元件12的栅极连接到控制端子100c。第1开关元件12的源极连接到分流电阻30的一端。另外，在第1芯片10，也可以形成感温二极管等第1开关元件12以外的元件。第2开关元件22与第1开关元件12同样，具有寄生二极管。该寄生二极管的阴极连接到第2开关元件22的漏极，阳极连接到第2开关元件22的源极。通过使第2开关元件22成为截止状态，向第2开关元件22流动的电流的路径被仅限制为从寄生二极管的阳极流向阴极的路径。对于半导体装置100形成的电流路径，第1开关元件12的寄生二极管的使电流流动的方向是与第2开关元件22的寄生二极管的使电流流动的方向相反的方向。由此，通过使第2开关元件22成为截止状态，限制在电流路径中电流向与第1开关元件12限制电流的方向相反的方向的流动。第2开关元件22的漏极连接到第2端子100b。第2端子100b连接到外部布线。第2开关元件22的栅极连接到控制端子100d。第2开关元件22的源极连接到分流电阻30的与第1开关元件12连接的一端的相反的另一端。另外，在第2芯片20，也可以形成感温二极管等第2开关元件22以外的元件。分流电阻30将第1开关元件12及第2开关元件22在电气上中继，形成电流路径的一部分。分流电阻30相当于布线。分流电阻30具有用来检测在电流路径中流动的电流的电阻体32。第1开关元件12的源极与分流电阻30的连接点连接到感测端子100e。此外，第2开关元件22的源极与分流电阻30的连接点连接到感测端子100f。电阻体32配置在第1开关元件12及分流电阻30的连接点与第2开关元件22及分流电阻30的连接点之间。由此，电阻体32的一端连接到感测端子100e，另一端连接到感测端子100f。换言之，电阻体32的两端连接到感测端子100e、100f。感测端子100e、100f与检测在电流路径中流动的电流的未图示的电流检测部连接。感测端子100e、100f对电流检测部输出电阻体32的两端电压。由此，电压检测部检测电阻体32的电压下降，进而能够检测在电流路径中流动的电流的值。控制端子100c、100d与对开关元件12、22的通断状态进行控制的控制部连接。控制部通过向控制端子100c、100d输出控制信号，控制开关元件12、22的通断状态。由此，控制部决定在电流路径中是否流过电流。详细地讲，控制部通过使开关元件12、22双方成为导通状态，能够使电流相对于电流路径双向流动。此外，控制部通过使开关元件12、22双方成为截止状态，能够使得在电流路径中在双向上不流动电流。详细地讲，由于各开关元件12、22的寄生二极管的将电流进行限制的方向为互反方向，所以如果使开关元件12、22双方成为截止状态，则在电流路径中对于两个方向流过电流受到限制。换言之，控制部通过使开关元件12、22双方成为截止状态，使得与电流的方向无关地在电流路径中不流过电流。接着，基于图2～图5，对半导体装置100的构造进行说明。如图2所示，在XY平面中，芯片10、20呈各边沿着X方向或Y方向的矩形。如图3所示，芯片10、20呈厚度方向沿着Z方向的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，与在双向上流过电流的电流路径连接并形成上述电流路径的一部分，其特征在于，具备：第1芯片(10)，具有第1开关元件(12)，该第1开关元件(12)通过被设为截止状态而限制上述电流路径中电流在一个方向上的流动；第2芯片(20)，具有第2开关元件(22)，该第2开关元件(22)通过被设为截止状态而限制上述电流路径中电流在上述一个方向的相反方向上的流动；布线(30)，一端与上述第1芯片连接且另一端与上述第2芯片连接，通过将上述第1芯片和上述第2芯片进行中继而形成上述电流路径的一部分；引线框(40)，具有固定配置有上述第1芯片的第1导体(42)和固定配置有上述第2芯片的第2导体(44)，形成上述电流路径；以及模塑树脂(60)，将上述第1芯片、上述第2芯片、上述布线以及上述引线框一体地封固；上述布线是分流电阻，具有用来检测流过上述电流路径的电流的电阻体(32)；上述引线框还具有连接于上述布线中的上述电阻体的两端且用来检测上述电阻体的电压下降的感测端子(100e、100f、46)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.07 JP 2016-1991271.一种半导体装置，与在双向上流过电流的电流路径连接并形成上述电流路径的一部分，其特征在于，具备：第1芯片(10)，具有第1开关元件(12)，该第1开关元件(12)通过被设为截止状态而限制上述电流路径中电流在一个方向上的流动；第2芯片(20)，具有第2开关元件(22)，该第2开关元件(22)通过被设为截止状态而限制上述电流路径中电流在上述一个方向的相反方向上的流动；布线(30)，一端与上述第1芯片连接且另一端与上述第2芯片连接，通过将上述第1芯片和上述第2芯片进行中继而形成上述电流路径的一部分；引线框(40)，具有固定配置有上述第1芯片的第1导体(42)和固定配置有上述第2芯片的第2导体(44)，形成上述电流路径；以及模塑树脂(60)，将上述第1芯片、上述第2芯片、上述布线以及上述引线框一体地封固；上述布线是分流电阻，具有用来检测流过上述电流路径的电流的电阻体(32)；上述引线框还具有连接于上述布线中的上述电阻体的两端且用来检测上述电阻体的电压下降的感测端子(100e、100f、46)。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述第1导体的与上述第1芯片相反的面(42d)以及上述第2导体的与上述第2芯片相反的面(44d)从上述模塑树脂露出。3.如权利要求1或2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林敬昌，户本俊介，森勇辅，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本,JP