The present disclosure provides a photocathode for microwave vacuum electronic devices and a preparation method thereof. The preparation method of the photocathode includes: preparing an alkali metal source, pressing alkali metal compounds, reducing agents and metal powders; and preparing an antimony diffusion layer on an alkali metal source, pressing antimony powder with nickel powder and/or antimony powder and tungsten powder on an alkali metal source. The lower part of the alkali metal source is heated by the heater. The present disclosure provides a controlled photoelectric emission layer by heating the alkali metal source diffusion layer and the antimony diffusion layer in an integrated heating mode to replace the evaporation loss of the active material, thereby prolonging the service life of the cathode and recovering from poisoning and exposure to the atmosphere.
【技术实现步骤摘要】
用于微波真空电子器件的光电阴极及其制备方法
本公开涉及微波真空电子器件领域,尤其涉及一种用于微波真空电子器件的光电阴极及其制备方法。
技术介绍
微波真空电子器件广泛应用于雷达、卫星通信、电子加速器、全球定位、可控热核聚变及未来军事前沿的高功率微波武器等方面,其独特的功能和优越的性能,特别是在大功率和高频段的情况下,是其他器件所不能取代的。现代高技术微波器件对微波信号的功率、频率、带宽等工作特性不断提出新的发展需求。这些需求主要表现在要求更高的频率、更大的功率、更宽的频带、更高的效率和更长的寿命,从而对微波真空电子器件及相关技术的发展提出了新的挑战和发展机遇。因此,研究用于微波真空电子器件的光电阴极,对于推动卫星通信及高功率微波器件等技术的发展具有十分重要的意义。目前,光电阴极主要有以下几种,一种是金属光电阴极,如铜、金、铱等。这种阴极的光电逸出功在4eV左右,它对应紫外光光子的能量。这给金属光电阴极的应用带来的许多麻烦。但由于金属光电阴极可在中等真空条件下(10-6pa)应用、寿命长、激光照射时稳定性好等优点,所以金属光电阴极被广泛地研究并应用在自由电子激光器中。第二种是金属化合物光电阴极,如六硼化镧光阴极,这种阴极耐恶劣环境的能力不如金属阴极,它必须在高真空的环境下使用,但这种阴极的量子效率要比金属的高一至二个量级。第三种是含碱金属的半导体阴极。如锑铯阴极、钾锑铯阴极(K2CsSb)等,这种阴极需要在高真空系统中制备和使用,但这种阴极具有很高的量子效率,一般在10-2左右,所以目前也有许多学者在研究这类阴极。但碱金属锑化物阴极特别容易与残余的活泼气体反应 ...
【技术保护点】
1.一种用于微波真空电子器件的光电阴极,包括:碱金属源;锑扩散层,制备在所述碱金属源上;加热体,设置于所述碱金属源下部,对所述碱金属源进行加热。
【技术特征摘要】
1.一种用于微波真空电子器件的光电阴极,包括:碱金属源;锑扩散层,制备在所述碱金属源上;加热体,设置于所述碱金属源下部,对所述碱金属源进行加热。2.根据权利要求1所述的用于微波真空电子器件的光电阴极,其中,还包括:外壁筒,套设于所述碱金属源和所述锑扩散层外,所述加热体伸入所述外壁筒。3.根据权利要求1所述的用于微波真空电子器件的光电阴极,其中,所述外壁筒为金属筒,材料为钼和/或镍。4.根据权利要求1所述的用于微波真空电子器件的光电阴极,其中,所述锑扩散层的制备材料包括:锑粉与镍粉和/或锑粉与钨粉。5.根据权利要求1所述的用于微波真空电子器件的光电阴极,其中,所述碱金属源的制备材料包括:碱金属化合物、还原剂和金属粉末中的一种或多种。6.一种用于微波真空电子器件的光电阴极的制备方法,其中,包括:步骤S100:制备碱金属源,将碱金属化合物、还原剂和金属粉...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘燕文,田宏,石文奇,朱虹,李芬,李云,王小霞,
申请(专利权)人:中国科学院电子学研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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