溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体技术

本发明专利技术的溅镀靶含有Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属作为金属成分，上述选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为1/2以上，且含有Nb2O5作为金属氧化物成分。

Manufacturing method, deposited film and magnetic recording medium of sputtering target and deposited film

The sputtering target of the invention contains more than one metal in a group composed of Co and selected free Crand Ru as a metal component. The molar ratio of the content of more than one metal in the group composed of selected free Crand Ru to the content of Co is more than 1/2, and contains Nb2O5 as a metal oxide component.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体
本专利技术涉及一种含有Co与Cr及/或Ru作为金属成分，例如适宜用于形成垂直磁记录媒体的基底层与磁性层之间的中间层等的溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体，尤其提出一种可有助于硬磁碟驱动机的高密度化的技术。
技术介绍
在硬磁碟驱动机中，在相对于记录面垂直的方向进行磁记录的垂直磁记录方式被实用化，该方式与此前的面内磁记录方式相比，能够进行高密度的记录，因此被广泛采用。垂直磁记录方式的磁记录媒体大致是在铝或玻璃等基板上依序积层密接层、软磁性层、晶种(Seed)层、Ru层等基底层、中间层、磁性层及保护层等而构成的。其中，磁性层在下部存在以Co作为主成分的Co－Pt系合金等中分散有SiO2或其他金属氧化物的颗粒(グラニュラ)膜，具有较高的饱和磁化Ms与磁各向异性Ku。又，积层于磁性层下方侧的中间层是由Co－Cr－Ru系合金等中分散有相同的金属氧化物的组织结构所构成的，有为了成为非磁性而含有相对较多的Ru或Cr等的情形。在此种磁性层及中间层中，成为非磁性材料的上述金属氧化物向沿垂直方向配向的Co合金等磁性粒子的晶界析出，降低磁性粒子间的磁相互作用，由此实现杂讯特性的提高及较高的记录密度。再者，一般而言，磁性层或中间层等各层通过使用具有特定的组成或组织的溅镀靶在基板上进行溅镀而制膜形成。作为此种技术，先前有专利文献1所记载等。
技术介绍
文献专利文献专利文献1：日本专利第5960287号公报。
技术实现思路
专利技术所欲解决的问题且说，为了实现硬磁碟驱动机的高密度化，要求磁各向异性Ku的增大以确保热稳定性，及磁性粒子的较高的磁分离性以提高解析度。然而，在如上所述的饱和磁化Ms较高的磁性层中，由于磁性粒子间的交换耦合较为牢固，故而磁性粒子彼此的磁分离性不足。此处，若为了提高磁分离性而添加较多的金属氧化物，则金属氧化物进入磁性粒子内而导致磁性粒子的结晶性劣化，随之饱和磁化Ms及磁各向异性Ku降低。本专利技术将解决现有技术所存在的此种问题作为问题，其目的在于提供一种不会大幅地降低磁记录媒体的磁性层的磁各向异性而可提高磁性粒子间的磁分离性的溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体。解决问题的技术手段专利技术人努力进行研究，结果获得如下见解，即，作为分散于磁性层及中间层的磁性材料即Co合金中的非磁性材料的金属氧化物，除使用此前所使用的SiO2等以外或取而代之而使用Nb2O5，由此，即便不那么增大金属氧化物的含量，亦可显著地改善磁性粒子间的磁分离性。又，发现由此可维持以Co－Pt为主体的磁性层的较高的饱和磁化Ms与较高的磁各向异性Ku。认为其原因在于，Nb2O5与Co的润湿性适度，且即便缺失一部分氧，亦可作为稳定的氧化物存在，但本专利技术并不限定于此种理论。基于此种见解，本专利技术的溅镀靶含有Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属作为金属成分，上述选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为1/2以上，且含有Nb2O5作为金属氧化物成分。此处，在本专利技术的溅镀靶中，优选仅含有Nb2O5作为金属氧化物成分，Nb2O5的含量为5mol％～15mol％。或者，在本专利技术的溅镀靶中，优选Nb2O5的含量为2mol％～5mol％，进一步含有Nb2O5以外的金属氧化物，包含Nb2O5的金属氧化物的合计含量为30vol％以上。在此情形时，优选上述Nb2O5以外的金属氧化物是选自由TiO2、SiO2、B2O3、CoO、Co3O4、Cr2O3、Ta2O5、ZnO及MnO组成的群中的至少一种金属氧化物。本专利技术的溅镀靶适宜以15mol％～60mol％含有Co。在本专利技术的溅镀靶中，优选含有Cr或Ru或其两者，且将Cr及Ru的合计含量设为30mol％～60mol％。再者，本专利技术的溅镀靶可设为进一步以5mol％～30mol％含有Pt作为金属成分。本专利技术的积层膜的制造方法包括：通过使用上述任一项所述的溅镀靶的溅镀，在含有Ru的基底层上形成中间层。本专利技术的积层膜的制造方法优选进一步包括：通过使用含有Co及Pt作为金属成分的溅镀靶的溅镀，在上述中间层上形成磁性层。本专利技术的积层膜具有：基底层：含有Ru；中间层：形成于上述基底层上，含有Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属作为金属成分，上述选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为1/2以上；以及磁性层：形成于上述中间层上，含有Co及Pt作为金属成分；上述中间层含有Nb2O5作为金属氧化物成分。本专利技术的磁记录媒体具备上述积层膜。专利技术的效果根据本专利技术，通过含有Nb2O5作为金属氧化物成分，可同时实现磁性粒子间的良好的磁分离性与较高的磁各向异性Ku。附图说明图1是表示实施例中所制造的积层膜的层构成的示意图。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方案进行详细说明。本专利技术的一个实施方案的溅镀靶的特征在于：其含有Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属作为金属成分，上述选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为1/2以上，且含有Nb2O5作为金属氧化物成分。更具体而言，具有在Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的合金中分散有含有Nb2O5的金属氧化物的组织结构。该溅镀靶尤其优选为用于形成位于垂直磁记录方式的磁记录媒体的基底层与磁性层之间的中间层。在此情形时，在通过使用该溅镀靶的溅镀所成膜的中间层中，上述金属成分构成磁性层的磁性粒子的基底，并且含有Nb2O5的金属氧化物成为包含磁性层的金属氧化物的非磁性晶界材料的基底，提高沿垂直方向配向的磁性粒子的配向性，并且使晶界材料均匀地分布于周围，有效地降低磁性粒子间的磁相互作用。(组成)溅镀靶的金属成分主要由Co构成，除此以外，亦含有Cr及Ru中的至少一种。金属成分尤其是含有Cr及/或Ru的Co合金。Co的含量优选设为15mol％～60mol％。若Co过多，则有成为强磁性的忧虑，另一方面，若Co过少，则有hcp结构不稳定、或上部磁性层的晶格常数大幅地变化的可能性。就该观点而言，Co含量更优选为30mol％～60mol％。在含有Cr或Ru或其两者作为金属成分的情形时，Cr及Ru的合计含量优选设为30mol％～60mol％。若Cr及Ru的合计含量过多，则有hcp结构不稳定、或上部磁性层的晶格常数大幅地变化的忧虑，另一方面，若Cr及Ru的合计含量过少，则有成为强磁性的忧虑。选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属优选以相对于Co的含量的摩尔比成为1/2以上的量被含有。其原因在于，即，若选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比未达1/2，则有成为强磁性的忧虑。就该观点而言，更优选选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为2/3以上。另一方面，若该摩尔比过大，则有hcp结构不稳定、或上部磁性层的晶格常数大幅地变化的可能性，因此该摩尔比优选设为3以下，更优选设为1以下。本专利技术的实施方案的溅镀靶可进一步以5mol％～30mol％含有Pt作为金属成分。通过含有Pt，具有可使磁性层的晶格常数一致而使磁性层的结晶性变得良好，且可提高磁性层与中间层的界面附近的磁各向异性的优点。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅镀靶，其含有Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属作为金属成分，该选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为1/2以上，且含有Nb2O5作为金属氧化物成分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.09.21 JP 2017-1808301.一种溅镀靶，其含有Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属作为金属成分，该选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为1/2以上，且含有Nb2O5作为金属氧化物成分。2.根据权利要求1所述的溅镀靶，其仅含有Nb2O5作为金属氧化物成分，Nb2O5的含量为5mol％～15mol％。3.根据权利要求1所述的溅镀靶，其中，Nb2O5的含量为2mol％～5mol％，进一步含有Nb2O5以外的金属氧化物，包含Nb2O5的金属氧化物的合计含量为30vol％以上。4.根据权利要求3所述的溅镀靶，其中，该Nb2O5以外的金属氧化物是选自由TiO2、SiO2、B2O3、CoO、Co3O4、Cr2O3、Ta2O5、ZnO及MnO组成的群中的至少一种金属氧化物。5.根据权利要求1至4中任一项所述的溅镀靶，其以15mol％～60mol％含...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水正义，岩渊靖幸，增田爱美，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP