支撑单元和包括该支撑单元的基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了支撑单元和包括该支撑单元的基板处理装置。本发明专利技术构思提供了一种支撑单元和基板处理装置，该支撑单元可以保证基板上的面对销孔的区域与基板的其他区域之间的温度均匀性，并且可以解决当基板与支撑单元分离时由于销孔中的负压而导致不容易分离基板的问题。

Support unit and substrate processing device including the support unit

The invention discloses a support unit and a substrate processing device including the support unit. The invention provides a support unit and a base plate processing device, which can ensure the temperature uniformity between the area facing pinhole on the base plate and other areas of the base plate, and can solve the problem that the base plate cannot be easily separated due to the negative pressure in the pinhole when the base plate and the support unit are separated.

【技术实现步骤摘要】
支撑单元和包括该支撑单元的基板处理装置
本文描述的本专利技术构思的实施方式涉及支撑单元和包括该支撑单元的基板处理装置，更具体地，涉及将传热气体供应到位于支撑单元上的基板的底表面的支撑单元和包括该支撑单元基板处理装置。
技术介绍
为了制造半导体器件，需要通过使用等离子体处理基板的各种工艺，例如蚀刻工艺、沉积工艺、灰化工艺和退火工艺。在等离子体处理过程中，通过从供应到工艺腔室内部的工艺气体产生等离子体并使等离子体与基板反应来处理基板。通常，如图1所示，等离子体处理装置具有支撑单元1，该支撑单元1被配置为通过使用静电力来支撑基板。升降销2设置在支撑单元1中，使得可以在支撑单元1和传输基板的机械手之间传送和接收外部基板。在升降销2插入到形成在支撑单元1中的销孔3的状态下，升降销2沿着销孔3向上和向下移动。此外，通过气体管线4将诸如氦气的传热气体供应到基板的底表面与支撑单元1的上表面之间的空间，使得基板的温度可以总体上保持均匀。传热气体通过形成在支撑单元1中的气体管线4被供应到基板的底表面。然而，因为在通过等离子体的基板处理过程中销孔3的内部被保持在真空或低压状态，所以传热气体难以存在于销孔3的上侧，因此，面对销孔3的基板区域的温度均匀性低于其他区域的温度均匀性。此外，如图2所示，因为当通过使用升降销2将基板与支撑单元1分离时，销孔3的内部被保持在真空或低压状态，所以力P2沿着与升降销2提升基板的力P1的方向相反的方向被施加到基板上，因此，基板可能被损坏。
技术实现思路
本专利技术构思的实施方式提供了一种支撑单元和基板处理装置，该支撑单元可以保证基板上的面对销孔的区域与基板的其他区域之间的温度均匀性。本专利技术构思的实施方式还提供了一种支撑单元以及基板处理装置，该支撑单元可以解决当基板与支撑单元分离时由于销孔中的负压而不容易分离基板的问题。待由本专利技术构思解决的问题不限于上述问题，并且未提及的问题将由本专利技术构思所属领域技术人员从本说明书和附图中清楚地理解。本专利技术构思提供了一种基板处理装置。根据一个实施方式，基板处理装置包括：腔室，所述腔室在所述基板处理装置的内部提供处理空间；支撑单元，所述支撑单元位于所述处理空间中并且在所述支撑单元上放置基板；气体供应单元，所述气体供应单元被配置为将工艺气体喷射到所述处理空间中；和等离子体产生单元，所述等离子体产生单元被配置为从所述工艺气体产生等离子体，其中所述支撑单元包括：气体管线，所述气体管线形成在所述支撑单元中以在位于所述支撑单元上的所述基板和所述支撑单元之间供应传热气体；升降销，所述升降销被配置为穿过形成在所述支撑单元中的销孔升降，并被配置为将所述基板传送到所述支撑单元或从所述支撑单元接收所述基板；和供应管线，所述供应管线被配置为向所述销孔供应气体。供应管线可以从气体管线分支，并且被供应到销孔的气体是传热气体。传热气体可以是氦气。在供应管线中可以安装有被配置成打开和关闭供应管线内部的阀。排出销孔内部的气体的通风管线可以连接到销孔，并且在通风管线中安装有打开和关闭通风管线的内部的阀。通风管线可以被配置成将气体排放到处理空间中。支撑单元可以包括：静电卡盘，其被配置为通过静电力吸附基板；电极板，其布置在静电卡盘下方；和绝缘板，其布置在冷却板下方，并且供应管线可以布置在绝缘板中。可以在支撑单元中设置多个销孔，并且可以在销孔中分别设置多个供应管线。本专利技术构思提供了一种支撑基板的支撑单元。根据一个实施方式，支撑单元包括：气体管线，其形成在支撑单元中以在位于支撑单元上的基板的底表面和支撑单元的上表面之间供应传热气体；升降销，其被配置为穿过形成在支撑单元中的销孔升降，并被配置为将基板传送到支撑单元或从支撑单元接收基板；和供应管线，其被配置为向销孔供应气体。支撑单元可包括：静电卡盘，其被配置为通过静电力吸附基板；电极板，其布置在静电卡盘下方；和绝缘板，其布置在冷却板下方，其中气体管线可以配置为穿过静电卡盘、电极板和绝缘板，并且其中，升降销可以被配置为通过从静电卡盘延伸到绝缘板的销孔在其内部升降。供应管线可以从气体管线分支，并且在供应管线中安装有被配置为打开和关闭供应管线的内部的阀门。排出销孔内部气体的通风管线可以连接到销孔，并且可以在通风管线中安装打开和关闭通风管线内部的阀。附图说明通过参考附图详细描述本专利技术构思的示例性实施方式，本专利技术构思的上述和其他目的和特征将变得显而易见。图1是示意性地示出一般等离子体基板处理装置的图；图2图示出当使用图1的装置时出现的问题；图3是示出根据本专利技术构思的一个实施方式的基板处理装置的截面图；图4是示出设置在图3的基板处理装置中的支撑单元的截面图；图5是示出根据本专利技术构思的另一实施方式的基板处理装置的截面图；且图6是示出设置在图5的基板处理装置中的支撑单元的截面图。具体实施方式在下文中，将参考附图更详细地描述本专利技术构思的示例性实施方式。可以以各种形式修改本专利技术构思的实施方式，并且本专利技术构思的范围不应该被解释为限于以下实施方式。提供本专利技术构思的实施方式以向本领域技术人员更完整地描述本专利技术构思。因此，夸大了附图的部件的形状以强调其更清楚的说明。在下文中，将参考附图描述根据本专利技术构思的实施方式的基板处理装置。图3是示出根据本专利技术构思的实施方式的基板处理装置的截面图。图4是示出设置在图3的基板处理装置中的支撑单元的截面图。如图3和图4所示，根据本专利技术构思的实施方式的基板处理装置包括腔室100、支撑单元200、等离子体产生单元300和气体供应单元400。工艺腔室100在其内部提供处理空间101，在处理空间101中执行基板处理工艺。工艺腔室100由金属材料形成。作为示例，工艺腔室100可以由铝形成。工艺腔室100可以接地。排气孔(未示出)形成在工艺腔室100的底表面上。排气孔连接到排气管线。在工艺中产生的反应副产物和留在工艺腔室100的内部空间中的工艺气体可以通过排气管线被排出到外部。通过排气过程，工艺腔室100内部的压力降低到特定压力。在腔室100的一个侧壁上形成引入孔130，通过该引入孔130引入和取出基板。引入孔130设置在主体110中。引入孔130被设置为通道，通过该通道，基板W可以被引入工艺腔室100的内部并从工艺腔室100的内部取出。引入孔130由位于工艺腔室100外部的门131打开和关闭。支撑单元200包括静电卡盘210、电极板220、绝缘板230、气体管线250、升降销260和供应管线270。静电卡盘210包括介电板211和电极212。介电板211位于支撑单元200的最上端，并且基板W位于介电板211上。介电板211由陶瓷形成。在介电板211的上表面上设置有多个凸台。设置在介电板211中的多个凸台提供空间213，该空间213在基板W位于介电板211上时供传热气体在基板W和介电板211之间流动。凸台具有环形形状，并且空间213可以被凸台分成多个区域。电极212位于介电板211的内部。向电极212施加DC电流，通过静电力将基板W吸附在静电卡盘210上。电极板220位于静电卡盘210下方。电极板220可以接地，或者高频电源可以连接到电极板220。供冷却水流过的制冷剂通道221设置在电极板220的内部。冷却水允许基板W在工艺期间或之后保持预设温度。聚焦环222安装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，包括：腔室，所述腔室在所述基板处理装置的内部提供处理空间；支撑单元，所述支撑单元位于所述处理空间中并且在所述支撑单元上放置基板；气体供应单元，所述气体供应单元被配置为将工艺气体喷射到所述处理空间中；和等离子体产生单元，所述等离子体产生单元被配置为从所述工艺气体产生等离子体，其中所述支撑单元包括：气体管线，所述气体管线形成在所述支撑单元中以在位于所述支撑单元上的所述基板和所述支撑单元之间供应传热气体；升降销，所述升降销被配置穿通过形成在所述支撑单元中的销孔升降，并被配置为将所述基板传送到所述支撑单元或从所述支撑单元接收所述基板；和供应管线，所述供应管线被配置为向所述销孔供应气体。

【技术特征摘要】
2017.11.17 KR 10-2017-01536151.一种基板处理装置，包括：腔室，所述腔室在所述基板处理装置的内部提供处理空间；支撑单元，所述支撑单元位于所述处理空间中并且在所述支撑单元上放置基板；气体供应单元，所述气体供应单元被配置为将工艺气体喷射到所述处理空间中；和等离子体产生单元，所述等离子体产生单元被配置为从所述工艺气体产生等离子体，其中所述支撑单元包括：气体管线，所述气体管线形成在所述支撑单元中以在位于所述支撑单元上的所述基板和所述支撑单元之间供应传热气体；升降销，所述升降销被配置穿通过形成在所述支撑单元中的销孔升降，并被配置为将所述基板传送到所述支撑单元或从所述支撑单元接收所述基板；和供应管线，所述供应管线被配置为向所述销孔供应气体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述供应管线从所述气体管线分支，并且被供应到所述销孔的气体是所述传热气体。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述传热气体是氦气。4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，在所述供应管线中安装有被配置为将所述供应管线的内部打开和关闭的阀。5.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，排出所述销孔的内部的气体的通风管线连接到所述销孔，并且在所述通风管线中安装有将所述通风管线的内部打开和关闭的阀。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述通风管线被配置为将所述气体排放到所述处理空间中。7.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处...

【专利技术属性】
技术研发人员：李承杓，金炯俊，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR