The invention relates to the technical field of electronic components, in particular to a manufacturing method of foil for low-voltage and high-dielectric aluminium electrolytic capacitors. By using silane coupling agent in the regeneration treatment of four-stage low-voltage corrosion foil, a \molecular bridge\ can be erected between the interface of inorganic and organic substances, and two materials with different properties can be joined together to improve the properties of composite materials. By adding silane coupling agent to the low-pressure corrosion foil, the aluminum and titanium of the composite film can be well combined, and ultimately the electrical properties of the foil can be improved.
【技术实现步骤摘要】
一种低压高介电铝电解电容器用化成箔的制造方法
:本专利技术涉及电子元器件
,特指一种低压高介电铝电解电容器用化成箔的制造方法。
技术介绍
:所谓电容,就是容纳和释放电荷的电子元器件。电容的基本工作原理就是充电放电,还有整流、振荡以及其它的作用。另外电容的结构非常简单,主要由两块正负电极和夹在中间的绝缘介质组成,所以电容类型主要是由电极和绝缘介质决定的。在现在的电子市场上主要以电解电容为主,尤其是铝电解电容器占市场的主导地位。电解电容的结构与纸介电容相似,不同的是作为电极的两种金属箔不同(所以在电解电容上有正负极之分,且一般只标明负极),两电极金属箔与纸介质卷成圆柱形后,装在盛有电解液的圆形铝桶中封闭起来。电解电容都是圆柱形,体积大而容量大,其中,耐压值一般在几伏特~几百伏特之间,容量一般在几微法~几千微法之间,最高工作温度一般为85℃~105℃,因此在如今电子元件向小型化、微型化发展的时候,特别是低压电子元器件更是要求体积要小,所以我们要得到高容量的电容就必须提高电极的单位面积的电容量。为了进一步提高电极箔的静电容量,人们专利技术了高介电工艺来提高氧化膜的介电常数,从而达到提高比容的目的。高介电常数电极箔的制造工艺主要是,将钛、锶、钡等元素物质用溶胶凝胶法制作成稳定的分散均匀的胶体,将胶体涂敷到电极箔表面,通过热处理的方式生成高介电薄膜,称为铁电薄膜。由于铁电膜的介电常数一般在100以上,其与氧化铝的复合膜的介电常数可以达到10以上,所以可以大幅度提高阳极箔比容。复合氧化膜化成箔由于参杂其它微量金属元素带来了严重的副作用,如化成箔的电性能下滑且很难提 ...
【技术保护点】
1.一种低压高介电铝电解电容器用化成箔的制造方法,其特征在于:具体步骤如下:a.将低压腐蚀箔在己二酸铵溶液中进行四级化成处理;b.将箔片在硅酸钠溶液中浸泡处理,然后纯水清洗;c.将箔片在己二酸铵溶液中按照步骤a的最高化成电压进行化成处理;d.将化成后的箔片进行纯水清洗并在空气氛围中进行热处理;e.将箔片在磷酸二氢氨和偶联剂硅烷的混合溶液中以最高化成电压进行化成处理;f.将箔片纯水清洗后放入100‑150℃的干燥箱中烘干即可。
【技术特征摘要】
1.一种低压高介电铝电解电容器用化成箔的制造方法,其特征在于:具体步骤如下:a.将低压腐蚀箔在己二酸铵溶液中进行四级化成处理;b.将箔片在硅酸钠溶液中浸泡处理,然后纯水清洗;c.将箔片在己二酸铵溶液中按照步骤a的最高化成电压进行化成处理;d.将化成后的箔片进行纯水清洗并在空气氛围中进行热处理;e.将箔片在磷酸二氢氨和偶联剂硅烷的混合溶液中以最高化成电压进行化成处理;f.将箔片纯水清洗后放入100-150℃的干燥箱中烘干即可。2.根据权利要求1所述的一种低压高介电铝电解电容器用化成箔的制造方法,其特征在于:所述步骤a中己二酸铵溶液是己二酸铵的水溶液,由纯水与己二酸铵配制而成,纯水电阻率≥2MΩ.cm;己二酸铵为电容级,浓度0.1-1.2mol/L,温度60-95℃,化成处理的化成电压分成四级进行,电压分别为一级:20V×35%=7V;二级:20V×60%=12V;三级:20V×80%=16V;四级:20V×100%=20V,即最高化成电压20V。3.根据权利要求1所述的一种低压高介电铝电解电容器用化成箔的制造方法,其特征在于:所述步骤b中硅酸钠溶液处...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨小兵,
申请(专利权)人:天全君力电子材料有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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