一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法技术

本发明专利技术公开一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法，本方法通过对NAND Flash存储器进行浅擦除测试获取NAND Flash存储器的浅擦除效应（Shallow Erase）与闪存块（Block）中被使用过的字线（Wordline）之间的关系。基于该方法测试的结果，NAND Flash存储器的使用者可以采取不同的应对方案，从而规避浅擦除效应（Shallow Erase）的影响。

A Method for Obtaining the Shallow Erasion Characteristics of NAND Flash Memory

The invention discloses a method for obtaining shallow erasure characteristics of NAND Flash memory. The method obtains the relationship between shallow erase effect of NAND Flash memory and word line used in Block by shallow erase test of NAND Flash memory. Based on the test results of this method, users of NAND Flash memory can adopt different solutions to avoid the influence of Shallow Erase.

【技术实现步骤摘要】
一种获取NANDFlash存储器浅擦除特性规律的方法
本专利技术涉及一种获取NANDFlash存储器浅擦除特性规律的方法，属于存储器

技术介绍
NANDFlash存储器是Flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NANDFlash存储器具有容量较大，体积小、读写速度快、掉电数据不丢失等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。NANDFlash存储器有若干个块（Block）组成，每个块（Block）包含若干个字线（Wordline），每个字线（Wordline）包含若干个页（Page）。在向NANDFlash存储器中写入数据之前，需要先对块（Block）执行擦除（Erase）操作，之后将数据存入字线（Wordline）的闪存页（Page）中。当用户需要获取数据时，可以从页（Page）中读取数据。由于硬件电气特性的影响，当读取存储在NANDFlash存储器中的数据时，部分数据位会发生反转。对一个块（Block）进行擦除操作时，如果该块（Block）只有一部分字线（Wordline）被写入过数据，其余的字线（Wordline）未被使用，那么向该块（Block）写入新数据之后，用户进行读取操作时数据位反转的概率会增大，即数据出错的概率会增大，这种现象称为浅擦除效应（ShallowErase）。传统的技术方案中，为了规避浅擦除效应（ShallowErase）的影响，通常会在每次擦除（Erase）之前对NANDFlash存储器块（Block）中没有被使用的字线（Wordline）全部使用无效数据进行填充，这种方法会引入大量冗余的写操作，降低用户对NANDFlash存储器的访问效率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种获取NANDFlash存储器浅擦除特性规律的方法，获取NANDFlash存储器的浅擦除效应（ShallowErase）与闪存块（Block）中被使用过的字线（Wordline）之间的关系。基于该方法测试的结果，NANDFlash存储器的使用者可以采取不同的应对方案，从而规避浅擦除效应（ShallowErase）的影响。为了解决所述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种获取NANDFlash存储器浅擦除特性规律的方法，包括以下步骤：S01）、选定磨损次数X、数据保存时间Y、数据读干扰次数Z；S02）、选定两组NANDFlash存储器块，第一组用于浅擦除测试，第二组用于正常擦除测试；S03）、确定NANDFlash存储器块包含的字线总数及用于浅擦除测试的字线数V，V＜U，本步骤中，令V=1；S04）、将两组块磨损X次，将第一组中每个块的前V个字线写入数据，将第二组块中每个块的U个字线全部写入数据；S05）、对第一组、第二组所有的块进行擦除；S06）、将第一组、第二组所有块的U个字线全部写入数据；S07）、将两组测试样本放置Y小时；S08）、对两组测试样本的每个块执行Z次读干扰；S09）、读取两组块中的数据，记录数据的出错位数；S10）、令V的值加1；S11）、重复步骤S04至S10，直到V=U；S12）、统计测试数据，分析浅擦除效应与被使用的子线数据V的关系，得出Vopt，该值表示当NANDFlash存储器块中有至少Vopt个字线被写入数据时，浅擦除效应的影响可以被忽略。进一步的，如果在擦除之前发现某个块中写入数据的字线小于Vopt，则将一些无效数据写入该块，使其写入数据的字线数量达到Vopt。进一步的，X≥0，Y≤3个月，Z≤1000000。本专利技术的有益效果：通过本专利描述的方法，可以获取NANDFlash存储器的浅擦除效应（ShallowErase）与闪存块（Block）中被使用过的字线（Wordline）之间的关系。基于该方法测试的结果，NANDFlash存储器的使用者可以采取不同的应对方案，从而规避浅擦除效应（ShallowErase）的影响。具体的说，通过本方法可以找到一个合适的值Vopt，该值表示当NANDFlash存储器块（Block）中有Vopt个字线（Wordline）被写入数据时，浅擦除效应（ShallowErase）的影响可以被忽略。基于此值，用户在进行块（Block）擦除操作时，只要确保被使用的字线（Wordline）大于等于Vopt即可，从而可以避免很多冗余的写操作，提升NANDFlash存储器的访问效率。附图说明图1为专利技术的流程图；图2为当A组写入的字线数量小于Vopt时，A组数据错误情况与B组数据错误情况的对比示意图；图3为当A组写入的字线数量大于或者等于Vopt时，A组数据错误情况与B组数据错误情况的对比示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步的限定。实施例1本实施例公开一种获取NANDFlash存储器浅擦除特性规律的方法，如图1所示，包括以下步骤：首先，选定磨损次数X（PECycles）、数据保存时间Y（RetentionTime）、数据读干扰次数Z（ReadDisturb）。其中，X≥0，Y≤3个月，Z≤1000000。其次，选定两组NANDFlash存储器块（Block），第一组用于浅擦除测试，第二组用于正常擦除测试。第三，确定NANDFlash存储器块（Block）包含的字线（Wordline）总数U及用于浅擦除测试的字线（Wordline）数V，其中，V＜U，本步骤中，令V=1；第四，将两组块（Block）磨损X次。第五，将第一组中每个块（Block）的前V个字线（Worldline）写入数据，将第二组中每个块（Block）的U个字线（Wordline）全部写入数据。第六，对第一组、第二组所有的块（Block）进行擦除。第七，将第一组、第二组所有块（Block）的U个字线（Wordline）全部写入数据。第八，将两组测试样本放置Y小时。第九，对两组测试样本的每个块（Block）执行Z次读干扰。第十，读取两组块（Block）中的数据，记录数据的出错位数。第十一，使V的值加1；第十二，重复步骤四~步骤十一，直到V=U。第十三，统计测试数据，分析浅擦除效应（ShallowErase）与被使用的字线（Wordline）数量V的关系，得出Vopt，该值表示当NANDFlash存储器块中有至少Vopt个字线被写入数据时，浅擦除效应的影响可以被忽略。如果在擦除之前发现某个块中写入数据的字线小于Vopt，则将一些无效数据写入该块，使其写入数据的字线数量达到Vopt。本实施例中，令X=1000，Y=0，Z=0，当A组写入的字线数量V小于196时，A组数据错误情况与B组数据错误情况对比如图2所示，当A组写入的字线数量V大于等于196时，A组数据错误情况与B组数据错误情况对比如图3所示。由图2和图3可知，当A组写入的字线数量V小于196时，A组数据错误情况明显高于B组数据错误情况，浅擦除效应不可忽略，而当A组写入的子线数量V大于等于196时，A组数据错误情况与B组数据错误情况大致相当，浅擦除效应可以忽略。这就是通过上述方法获取的NANDFlash存储器浅擦除特性规律。基于该规律，用户只要保证NANDFlash存储器块（Block）中有至少Vopt=196个字线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、选定磨损次数X、数据保存时间Y、数据读干扰次数Z；S02）、选定两组NAND Flash存储器块，第一组用于浅擦除测试，第二组用于正常擦除测试；S03）、确定NAND Flash存储器块包含的字线总数及用于浅擦除测试的字线数V，V＜U，本步骤中，令V=1；S04）、将两组块磨损X次，将第一组中每个块的前V个字线写入数据，将第二组块中每个块的U个字线全部写入数据；S05）、对第一组、第二组所有的块进行擦除；S06）、将第一组、第二组所有块的U个字线全部写入数据；S07）、将两组测试样本放置Y小时；S08）、对两组测试样本的每个块执行Z次读干扰；S09）、读取两组块中的数据，记录数据的出错位数；S10）、令V的值加1；S11）、重复步骤S04至S10，直到V=U；S12）、统计测试数据，分析浅擦除效应与被使用的子线数据V的关系，得出Vopt，该值表示当NAND Flash存储器块中有至少Vopt个字线被写入数据时，浅擦除效应的影响可以被忽略。

【技术特征摘要】
1.一种获取NANDFlash存储器浅擦除特性规律的方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、选定磨损次数X、数据保存时间Y、数据读干扰次数Z；S02）、选定两组NANDFlash存储器块，第一组用于浅擦除测试，第二组用于正常擦除测试；S03）、确定NANDFlash存储器块包含的字线总数及用于浅擦除测试的字线数V，V＜U，本步骤中，令V=1；S04）、将两组块磨损X次，将第一组中每个块的前V个字线写入数据，将第二组块中每个块的U个字线全部写入数据；S05）、对第一组、第二组所有的块进行擦除；S06）、将第一组、第二组所有块的U个字线全部写入数据；S07）、将两组测试样本放置Y小时；S08）、对两组测试样本的每个块执行Z次读...

【专利技术属性】
技术研发人员：王彬，曹成，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37